激光功率對(duì)金剛石缺陷產(chǎn)生的原因及反應(yīng)機(jī)理簡(jiǎn)析

具有通孔結(jié)構(gòu)的金剛石在高精度引線成型及高功率微波器件散熱領(lǐng)域， 具有良好的應(yīng)用前景。

2023-08-12 標(biāo)簽：激光器XPS激光功率計(jì) 2731 0

求一種可控漏感的磁集成變壓器設(shè)計(jì)方案

所謂磁集成技術(shù)，就是將多個(gè)電感、變壓器繞在一個(gè)磁芯上；再通俗一點(diǎn)，就是把電感集成在變壓器之中。

2023-07-03 標(biāo)簽：PCB設(shè)計(jì)諧振變換器GaN技術(shù) 2315 0

基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測(cè)器件研究

一種能夠在日光下工作而不受可見(jiàn)光干擾的紫外光探測(cè)器。日盲紫外探測(cè)器對(duì)可見(jiàn)光具有很低的響應(yīng)，在環(huán)境監(jiān)測(cè)、太陽(yáng)輻射測(cè)量、航天科學(xué)、太陽(yáng)能電池優(yōu)化和軍事應(yīng)用等...

2023-08-04 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池探測(cè)器MOCVD 2245 0

PI氮化鎵的質(zhì)量與可靠性介紹

氮化鎵(GaN) 是一種寬禁帶的直接帶隙半導(dǎo)體，它有著很寬的直接帶隙，很高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，很高的熱導(dǎo)率和非常好的物理、化學(xué)穩(wěn)定性。正因其各方面都有著非常好的...

2023-07-27 標(biāo)簽：氮化鎵半導(dǎo)體芯片GaN技術(shù) 2097 0

表面終端金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究

金剛石不僅具有包括最高的硬度、極高的熱導(dǎo)率、達(dá)5.5eV的寬帶隙、極高的擊穿電場(chǎng)和高固有載流子遷移率等多種卓越性質(zhì)

2023-07-25 標(biāo)簽：傳感器MOSFETFET 1627 0

如何使用GaN HEMT抽取Self-heating效應(yīng)和Trapping效應(yīng)模型參數(shù)？

氮化鎵(GaN)技術(shù)在5G基站、衛(wèi)星通信、國(guó)防系統(tǒng)和其他應(yīng)用中的迅速普及提高了晶體管建模的門(mén)檻。

2024-05-19 標(biāo)簽：晶體管ASM氮化鎵 1571 0

GaN與SiC功率器件的特點(diǎn) GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

　SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...

2023-08-09 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器SiC氮化鎵 1416 0

GaN技術(shù)的電源是如何開(kāi)發(fā)的

在英語(yǔ)里，“ready”是很有意思的一個(gè)詞，它在不同的語(yǔ)境下會(huì)有完全不同的意思。有一大屋子女兒時(shí)，“ready”的意思就是為做好準(zhǔn)備而準(zhǔn)備；而準(zhǔn)備的時(shí)間...

2022-02-06 標(biāo)簽：電源控制器GaN技術(shù) 1140 0

一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)—U8722

氮化鎵充電器是一種新型的快充技術(shù)，在充電速度、安全性做到了突破。

2024-04-09 標(biāo)簽：充電器氮化鎵驅(qū)動(dòng)電流 1119 0

Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉(zhuǎn)換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢(shì)。

2023-08-09 標(biāo)簽：MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 1103 0

金剛石基GaN問(wèn)世 化合物半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入第三波材料技術(shù)浪潮

材料往往因特定優(yōu)勢(shì)而聞名。金剛石正因?yàn)樵谑覝叵戮哂凶罡叩臒釋?dǎo)率(2000W/m.K)，兼具帶隙寬、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、載流子遷移率高、耐高溫、抗酸堿、抗腐蝕、抗...

2023-07-19 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體技術(shù)晶體管 1046 0

襯底工程對(duì)氮化物L(fēng)ED的影響研究

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-08 標(biāo)簽：led激光器發(fā)光二極管 529 0

使用集成GaN技術(shù)實(shí)現(xiàn)小尺寸ACDC適配器應(yīng)用資料

隨著快速充電系統(tǒng)的趨勢(shì)和不斷增長(zhǎng)的電力需求，迫切需要?jiǎng)?chuàng)建占地面積小、方便、便攜的設(shè)計(jì)。小型化、高功率密度的電源設(shè)計(jì)在消費(fèi)類(lèi)AC/DC市場(chǎng)中占據(jù)了迫在眉睫...

2025-02-25 標(biāo)簽：適配器充電系統(tǒng)開(kāi)關(guān)頻率 352 0