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WBG 器件給柵極驅動器電源帶來的挑戰

碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅動器電源必須滿足這些寬帶隙半導體的獨特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應用中設計柵極驅...

2024-09-27 標簽：驅動器 SiC GaN 1011 0

CoolGaN和增強型GaN區別是什么

CoolGaN和增強型GaN（通常指的是增強型高電子遷移率晶體管，即e-mode HEMT）在概念上有所重疊，但具體來說，它們之間的區別主要體現在以下幾...

2024-09-07 標簽：晶體管功率器件 GaN 1109 0

基于AC驅動的電容結構GaN LED模型開發和應用

隨著芯片尺寸減小，微小尺寸GaN 基 Micro LED 顯示面臨著顯示與驅動高密度集成的難題，傳統直流(DC)驅動技術會導致結溫上升，降低器件壽命。

2024-09-07 標簽：半導體電容 GaN 559 0

650V氮化鎵芯片U8722AH的工作原理

針對寬輸出電壓應用場合，為了滿足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...

2024-09-06 標簽：芯片氮化鎵 GaN 1120 0

GaN和SiC在工業電子領域的優勢

提高工業能源效率是制造業關鍵趨勢，聚焦于優化電力電子設備。MOSFET作為主流電子元件，雖控制高效但壽命短、對過載敏感。新材料如氮化鎵與碳化硅的出現，通...

2024-08-30 標簽：MOSFET SiC GaN 702 0

芯朋微電子新一代20-65W GaN快充方案

本期，芯朋微技術團隊為各位粉絲分享新一代20-65W GaN快充方案，該方案集當前行業最新控制技術、器件技術、功率封裝技術之大成，進一步優化快充方案的待...

2024-08-28 標簽：變壓器 GaN 芯朋微 2116 0

GaN FET(場效應晶體管)中集成電流傳感的優勢

本文重點介紹了一項新發展：將電流傳感(CS)直接集成到采用PDFN封裝的氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)中，且無需外部供電。我們將深入探討這一解決...

2024-08-23 標簽：傳感器場效應晶體管 GaN 624 0

#參考設計#（900 V PowiGaN 開關）的 60 W 隔離反激式適配器

使用 InnoSwitch3-EP（900 V PowiGaN 開關）的 60 W 隔離反激式適配器 *附件：DER-982 60W 12V5A 90-...

2024-08-22 標簽：GaN POWI 隔離反激式適配器 8000 0

簡述開關電源芯片U8608的工作原理

開關電源芯片U8608集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電...

2024-08-21 標簽：FET GaN 開關電源芯片 1468 0

芯干線科技GaN功率器件及應用

第一代半導體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們為半導體行業奠定了堅實的基礎。隨著技術的發展，第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）和銻化銦（InSb...

2024-08-21 標簽：半導體功率器件 GaN 1008 0

GaN晶體管的應用場景有哪些

GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領域展現出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩定性以及...

2024-08-15 標簽：晶體管氮化鎵 GaN 1631 0

GaN晶體管和SiC晶體管有什么不同

GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進的功率半導體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應用等領域展現出了顯著的優勢。然而，它們在材料...

2024-08-15 標簽：晶體管 SiC GaN 1626 0

GaN HEMT有哪些優缺點

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）作為一種先進的功率半導體器件，在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領域展現出了顯著的優勢，但同時也存在一些缺...

2024-08-15 標簽：GaN 功率半導體 HEMT 2725 0

GaN晶體管的基本結構和性能優勢

GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領域受到廣泛關注的一種新型功率器件。其結構復雜而精細，...

2024-08-15 標簽：晶體管氮化鎵 GaN 2259 0

GaN快充電源芯片U8607的主要特征

在GaN快充問世的前兩年，許多人還處在觀望狀態，然而再經過兩年之后，GaN在快充上的應用已經愈發成熟，并席卷快充市場。GaN等第三代半導體的出現，為各相...

2024-08-14 標簽：GaN 電源芯片快充 766 0

SiC 技術相對于 Si 具有不可否認的優勢

在逆變器、電機驅動和充電器等應用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、降低的冷卻需求和更低的整體系統成本等優勢。盡管SiC器件的成本高于硅器件，但...

2024-08-08 標簽：MTTF SiC GaN 564 0

采用GaN功率IC簡化電力電子設計

早期的氮化鎵(GaN)功率器件需要復雜、昂貴且頻率受限的外部電路，以及復雜的封裝來保護和控制脆弱的柵極，這嚴重限制了市場的采用。單片集成的GaN功率IC...

2024-07-30 標簽：電子設計 GaN 功率IC 733 0

安森美GaN功率器件iGaN NCP5892x系列更簡單容易

GaN功率器件的應用在消費類產品電源近年相當普及，大大提升了電源的效率和功率密度，其優點和用量遞增，也逐漸延伸到服務器和工業電源領域。? 安森美（ons...

2024-07-23 標簽：驅動器安森美功率器件 862 0

簡述半導體原理——晶體管家族的核心工作機制

2024-07-20 標簽：半導體 IGBT 晶體管 1540 0

GaN MOSFET 器件結構及原理

GaN MOSFET（氮化鎵金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種新型的功率器件，具有高功率密度、高效率和快速開關速度等優點。與傳統的硅基MOSFET相比...

2024-07-14 標簽：MOSFET GaN 金屬 2479 0

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藍牙5是藍牙技術聯盟于2016年6月16日發布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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