高功率GaN放大器的主要特征和特性詳解

GaN還是反射頻電子戰(zhàn)(CREW)應用的首選技術，已有成千上萬的放大器交付實際使用。現(xiàn)在，該技術也被部署到機載電子戰(zhàn)領域，開發(fā)中的放大器能夠在RF/微波...

2017-12-01 標簽：RFganpapr 1.5萬 0

半導體材料的發(fā)展史及材料性能分析

現(xiàn)代世界里，沒有人可以說自己跟半導體沒有關系。半導體聽起來既生硬又冷冰冰，但它不僅是科學園區(qū)里那幫工程師的事，你每天滑的手機、用的電腦、看的電視、聽的音...

2017-11-29 標簽：半導體gan 3.5萬 0

GaN成為半導體界矚目的焦點

氮化鎵（GaN） 半導體行業(yè)在摩爾定律的魔咒下已經(jīng)狂奔了50多年，一路上挾風帶雨的，好不風光。不過隨著半導體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限，摩爾定律對半...

2017-10-11 標簽：GaN 8884 0

GaN直流設計相對于POL有何優(yōu)勢？

企業(yè)服務器、交換機、基站和存儲硬件設計師都在尋求在其主板上提高功率密度和效率。隨著主板上元件數(shù)量的增加和外形尺寸的減小，電源密度成為進一步減小面積的限制...

2018-07-10 標簽：ganpol 858 0

解讀射頻GaN市場的機遇及未來發(fā)展

今年的GaN(氮化鎵)器件市場異常活躍，GaN逐漸成為主流，開始滲透一些批量需求的商業(yè)市場。 GaN已經(jīng)在大部分高功率軍事應用中站穩(wěn)了腳跟，并且還抓住了...

2016-12-14 標簽：射頻氮化鎵gan 4836 0

安森美半導體GaN晶體管——追求更快、更智能和更高能效

氮化鎵(GaN)，作為時下新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優(yōu)勢。與硅器件相比，GaN在電源轉換效率和功率密度上實現(xiàn)了性能的飛躍，廣泛應用于功率因數(shù)...

2016-06-28 標簽：安森美氮化鎵GaN 2847 0

用集成驅動器優(yōu)化GaN性能

氮化鎵 （GaN） 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關損耗。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關...

2016-05-09 標簽：GaN集成驅動器共源電路 3165 0

確定GaN產(chǎn)品可靠性的綜合方法

　　TI正在設計基于GaN原理的綜合質(zhì)量保證計劃和相關的應用測試來提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵（GaN）的材料屬性可使電源開關具有令人興奮且具有突破...

2016-04-25 標簽：德州儀器晶體管GaN 3075 0

大尺寸磊晶技術突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解

近年來氮化鎵（GaN）系列化合物半導體材料已被證實極具潛力應用于液晶顯示器（LCD）之背光模組、光學儲存系統(tǒng)、高頻與大功率之微波電子元件等商業(yè)用途。然而...

2013-06-06 標簽：LCD氮化鎵GaN 2630 0

功率半導體的革命：SiC與GaN的共舞

功率半導體”多被用于轉換器及逆變器等電力轉換器進行電力控制。目前，功率半導體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二...

2013-03-07 標簽：SiCGaN功率半導體 4995 0