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納微半導(dǎo)體亮相2024亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇
近日日,由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的第十五屆“亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”于深圳盛大舉辦。上百余電源上下游企業(yè)和3000多名專業(yè)工程師匯聚一堂,共同交流電源技術(shù)最新研究...
讓GAN再次偉大!拽一拽關(guān)鍵點就能讓獅子張嘴&大象轉(zhuǎn)身
如此“有手就能做”的修圖神器,來自一個MIT、谷歌、馬普所等機構(gòu)聯(lián)手打造的DragGAN新模型,論文已入選SIGGRAPH 2023。
三安與朗明納斯達成美洲獨家銷售協(xié)議,加速寬禁帶半導(dǎo)體市場拓展
據(jù)了解,三安半導(dǎo)體與朗明納斯均為三安光電集團的子公司,2013年,三安光電收購了朗明納斯100%股權(quán)。
2024-01-12 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 933 0
GaN技術(shù)引領(lǐng)功率電子產(chǎn)業(yè)新風(fēng)潮,預(yù)估2030年市場規(guī)模將突破43億美元
隨著全球?qū)Ω咝茈娏鉀Q方案的需求日益增加,氮化鎵(GaN)技術(shù)正在成為功率電子產(chǎn)業(yè)的一大亮點。近期,英飛凌和德州儀器等行業(yè)巨頭對GaN技術(shù)的投入不斷加...
Diodes 超高功率密度140瓦PD3.1 GaN充電器解決方案
Diodes公司推出了一款高效140WUSBType-C充電解決方案,采用獲得專利的ACF拓?fù)洌瑵M足DOEVI和COCTier2效率要求。該方案支持PD...
2021 年是世界決定向氮化鎵 (GaN) 敞開大門的過渡年。EPC 首席執(zhí)行官 Alex Lidow 在 CES 周期間接受 Power Electr...
進入第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域,開啟電子技術(shù)的新紀(jì)元
第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比,第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢,這些優(yōu)勢源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
氮化鎵(GaN)是第三代半導(dǎo)體材料,其運行速度比舊式慢速硅(Si)技術(shù)加快了二十倍,并且能夠?qū)崿F(xiàn)高出三倍的功率,用于尖端快速充電器產(chǎn)品時,可以實現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超...
電動工具圓桌論壇將匯聚電機控制、快速充電、鋰電技術(shù)一眾廠商和專家,共同探討電動工具技術(shù)創(chuàng)新與市場發(fā)展。 由嗶哥嗶特商務(wù)網(wǎng)主辦,《半導(dǎo)體器件應(yīng)用》雜志承辦...
Gel-Pak VR真空釋放盒應(yīng)用于50V GaN HEMT 芯片
50V GaN HMET 芯片采用上海伯東美國 Gel-Pak VR 真空釋放盒進行包裝, Gel-Pak 采用了無殘膠的膜技術(shù), 可以將芯片牢固地固定...
大連理工大學(xué):科研團隊在氮化鎵高溫三維磁傳感芯片領(lǐng)域取得突破性進展
近期,光電工程與儀器科學(xué)學(xué)院黃火林教授團隊在第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)磁傳感器領(lǐng)域取得重要進展,在國際上率先研制出可穩(wěn)定工作在1.9 K~673K極寬...
適用于CSP GaN FET的簡單且高性能的熱管理解決方案?
本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優(yōu)于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能,GaN FET 的尺...
了解更多方案細(xì)節(jié),歡迎您訪問官網(wǎng)(Neurocle | 友思特 機器視覺 光電檢測 ) 導(dǎo)讀 深度學(xué)習(xí)模型幫助工業(yè)生產(chǎn)實現(xiàn)更加精確的缺陷檢測,但其準(zhǔn)確性...
格芯收購 Tagore Technology 的 GaN 技術(shù)
來源:Silicon Semiconductor 此次技術(shù)收購擴展了 GF(格芯) 的電源管理解決方案和差異化路線圖。 GlobalFoundries ...
2024-07-08 標(biāo)簽:GaNTechnology 923 0
德州儀器日本會津工廠投產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體
近日,德州儀器(TI)宣布了一個重要的里程碑事件:其基于氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體已在日本會津工廠正式投產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著德州儀器在GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)...
2024-10-30 標(biāo)簽:德州儀器GaN功率半導(dǎo)體 922 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 3月22日,九峰山實驗室首次公布了GaN相關(guān)的研究成果,包括國際首創(chuàng)8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底(N-polar GaNOI);全國...
2025-03-25 標(biāo)簽:GaN 922 0
GaN(氮化鎵)功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems今天宣布,其低電流,大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
華潤微電子(重慶)有限公司GaN基HEMT器件及制作方法專利公布
此項發(fā)明主要涉及在襯底上構(gòu)建外延疊層,并在此基礎(chǔ)上制備柵極、漏極和源極;同時,在器件有源區(qū)周圍形成屏蔽環(huán)層,并利用第一和第二金屬互連層將襯底與源極連接起來。
MP1918數(shù)據(jù)手冊#100V、高頻、半橋 GaN/MOSFET 驅(qū)動器
MP1918 是一款 100V 半橋驅(qū)動器,用于在半橋或同步應(yīng)用中驅(qū)動具有低柵極閾值電壓的增強型氮化鎵 (GaN) FET 或 N 通道 MOSFET。...
2025-03-01 標(biāo)簽:GaNMOSFET驅(qū)動 904 0
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