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瑞薩24億收購Transphorm！

此次收購將為瑞薩電子提供自主的GaN技術，從而將其業務范圍擴大到電動汽車、計算（數據中心、人工智能、基礎設施）、可再生能源、工業電力轉換等快速增長的市場。

2024-01-15 標簽：電動汽車瑞薩氮化鎵 1014 0

三菱電機發布用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM

三菱電機集團近日宣布，開始為5G massive MIMO*1（mMIMO）基站提供新型16W平均功率氮化鎵（GaN）功率放大器模塊（PAM）的樣品。P...

2024-09-13 標簽：功率放大器三菱電機 GaN 1010 0

意法半導體GaN驅動器集成電流隔離功能具有卓越的安全性和可靠性

近日，意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅動器，新產品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應...

2023-09-12 標簽：驅動器意法半導體氮化鎵 1007 0

如何選擇性價比高的氮化鎵芯片？采用KT65C1R200D產品

選擇氮化鎵芯片時，根據應用的需求，確定所需的性能指標，包括功耗、頻率、工作溫度范圍等。不同型號的氮化鎵芯片有不同的性能特點，需要根據具體的應用場景選擇合...

2023-09-20 標簽：芯片氮化鎵 GaN 1007 0

氮化鎵(GaN)功率半導體市場風起云涌,引領技術革新與產業升級

自去年以來，氮化鎵（GaN）功率半導體市場持續升溫，成為半導體行業的焦點。英飛凌、瑞薩電子、格芯等業界巨頭紛紛通過并購GaN技術公司，加速在這一領域的布...

2024-08-26 標簽：氮化鎵 GaN 功率半導體 1003 0

載流子輸運與復合模型數據庫在臺面二次刻蝕的Micro-LED中的應用

Micro-LED顯示技術憑借高分辨、快響應、長壽命、低能耗等優勢已應用在智能手機、平板、電腦等高分辨率全彩顯示產品中，預計到2026年或將能帶來1.9...

2023-03-01 標簽：led 芯片 Micro 1001 0

120W氮化鎵芯片KT65C1R120D的特點

隨著科技的不斷進步，電力電子技術也在飛速發展。其中，氮化鎵（GaN）芯片作為一種新型的電力電子器件，因其具有高效能、高速、高溫等優點，已經開始在各個領域...

2023-10-27 標簽：芯片氮化鎵 GaN 1001 0

采用基于GaN的馬達系統提高機器人應用的效率和功率密度

機器人在不同的市場領域中都有著廣泛應用，并呈現出多種形式，其中包括服務機器人、協作機器人（cobot）、工業機器人、自動駕駛無人機和自動導引車輛等。...

2022-12-06 標簽：機器人 GaN 1001 0

ROHM具有業界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z...

2023-05-24 標簽：GaN 羅姆半導體功率元器件 999 0

又一芯片廠倒閉，全員解散！

來源：集微網，謝謝編輯：感知芯視界 Link GaasLabs LLC決定關閉其全資子公司——新加坡RF GaN芯片供應商Gallium Semi（加...

2024-03-04 標簽：芯片 GaN 998 0

半導體資料丨氧化鋅、晶體硅/鈣鈦礦、表面化學蝕刻的 MOCVD GaN

蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使...

2024-02-02 標簽：半導體 MOCVD GaN 991 0

支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET

基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率...

2023-05-30 標簽：服務器 FET GaN 990 0

瑞薩宣布收購Transphorm，大舉進軍GaN

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子與全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于今天宣布雙方...

2024-01-12 標簽：瑞薩 GaN Transphorm 990 0

如何為您的應用選擇合適的高壓示波器探頭

直流母線電壓將確定用于測量的探頭所需的最大額定電壓。對于交流線路信號，這是交流線路的峰峰值電壓。在開關功率器件中，母線電壓通常是AC線路全波整流的峰值電...

2022-10-03 標簽：示波器 GaN 無源探頭 985 0

瑞薩電子收購氮化鎵廠商Transphorm

瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領導者Transphorm宣布，雙方已達成最終收購協議。根據協議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Trans...

2024-01-17 標簽：氮化鎵 GaN 瑞薩電子 985 0

KLA Instruments?為儀器行業提供值得信賴的量測技術

2024一開年，科學儀器行業便迎面而來一大新政策。3月13日國務院印發《推動大規模設備更新和消費品以舊換新行動方案》。

2024-04-03 標簽：半導體 GaN 電阻測試儀 981 0

聚焦功率半導體測試 | 普賽斯儀表多款測試新品亮相中國光谷九峰山論壇

“聚勢賦能共赴未來”，2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導體產業博覽會，已在中國武漢光谷圓滿落下帷幕。此次活動作為化合物半導體產業領域規模最大、規格最...

2024-06-05 標簽：IGBT SiC GaN 980 0

Ga2O3器件仿真技術面臨哪些難點

目前，以GaN和SiC為代表的第三代半導體材料具有禁帶寬度大、臨界電場高和電子飽和漂移速度快等優勢，突破了硅與傳統化合物材料（GaAs、InP等）技術發...

2021-04-22 標簽：半導體 SiC GaN 979 0

三星進軍化合物半導體代工市場，各廠商加速入局GAN市場氮化鎵行業快報

報道強調，隨著全球消費電子、電動汽車領域的技術升級和需求成長，功率半導體的價格一直在上漲。因此，市場希望于碳化硅、氮化鎵這樣的化合物材料所制造功率半導體...

2023-07-13 標簽：氮化鎵 GaN 半導體代工 979 0

Porotech與富士康簽訂微顯示器合作協議！

Porotech是英國劍橋大學的子公司，正在開發基于氮化鎵(GaN)的microLED技術，用于AR微顯示器。

2024-01-10 標簽：氮化鎵 GaN 可穿戴設備 977 0

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藍牙5是藍牙技術聯盟于2016年6月16日發布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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