全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產,這兩款產品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統。
據悉,電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半,為實現無碳社會,如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關鍵,SiC (Silicon Carbide:碳化硅)和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年,ROHM將柵極耐壓高達8V的150V耐壓GaN HEMT投入量產;2023年3月,又確立了能夠更大程度地發揮出GaN性能的控制IC技術。此次,為了助力各種電源系統的效率提升和小型化,ROHM又推出器件性能達到業界超高水平的650V耐壓GaN HEMT。
新產品是ROHM與Delta Electronics, Inc. (以下簡稱“臺達電子”)的子公司——專注于GaN元器件開發的Ancora Semiconductors Inc.(以下簡稱“碇基半導體”)聯合開發而成的,在650V GaN HEMT的器件性能指數(RDS(ON)×Ciss / RDS(ON)×Coss*2)方面,達到了業界超高水平。因此,新產品可以大大降低開關損耗,從而能夠進一步提高電源系統的效率。另外,新產品還內置ESD*3保護器件,將抗靜電能力提高至3.5kV,這將有助于提高應用產品的可靠性。不僅如此,新產品還具有GaN HEMT器件的優勢——高速開關工作,從而有助于外圍元器件的小型化。詳細信息可以通過www.ameya360.com進行了解!
ROHM將有助于應用產品的節能和小型化的GaN器件命名為“EcoGaN?系列”,并不斷致力于進一步提高器件的性能。另外,除了元器件的開發,ROHM還積極與業內相關企業建立戰略合作伙伴關系并推動聯合開發,通過助力應用產品的效率提升和小型化,持續為解決社會問題貢獻力量。
什么是EcoGaN?
EcoGaN?是通過更大程度地發揮GaN的性能,助力應用產品進一步節能和小型化的ROHM GaN器件,該系列產品有助于應用產品進一步降低功耗、實現外圍元器件的小型化、減少設計工時和元器件數量等。
審核編輯:湯梓紅
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