BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊
該產品是保證在工業市場長期供應的產品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統。通過將650V增強型GaN HEMT和Si驅動器集成于ROHM自有封裝，與以往的分立解決方案相比，由PCB布線和引線鍵合引起的寄生電感大大降低，可實現高達150V/ns的開關速度。另外，其柵極驅動強度可調節，這非常有助于降低EMI。該產品還內置各種保護功能和其他附加功能，可優化成本和PCB尺寸。該IC的設計旨在通用于現有的主要控制器，因此也可以替代SJ MOSFET等以往的分立功率開關。
*附件：BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊.pdf
主要規格
型號 | BM3G015MUV-LBE2
封裝 | VQFN046V8080
包裝形態 | Taping
包裝數量 | 1000
最小獨立包裝數量 | 1000
RoHS | Yes
特性
- Nano Cap?集成輸出可選的 5V 低壓差線性穩壓器（LDO）
- 面向工業應用的長期支持產品
- VDD 引腳電壓寬工作范圍
- IN 引腳電壓寬工作范圍
- 低 VDD 靜態和工作電流
- 低傳播延遲
- 高抗 dv/dt 能力
- 可調節柵極驅動強度
- 電源正常信號輸出
- VDD 欠壓鎖定（UVLO）保護
- 熱關斷保護
應用
典型應用電路
引腳配置
引腳描述
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