BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場(chǎng)長(zhǎng)期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G007MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強(qiáng)型GaNHEMT和Si驅(qū)動(dòng)器集成于ROHM自有封裝，與以往的分立解決方案相比，由PCB布線和引線鍵合引起的寄生電感大大降低，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)150V/ns的開關(guān)速度。另外，其柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度可調(diào)節(jié)，這非常有助于降低EMI。該產(chǎn)品還內(nèi)置各種保護(hù)功能和其他附加功能，可優(yōu)化成本和PCB尺寸。該IC的設(shè)計(jì)旨在通用于現(xiàn)有的主要控制器，因此也可以替代SJ MOSFET等以往的分立功率開關(guān)。
*附件：BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
主要規(guī)格
型號(hào) | BM3G007MUV-LBE2
封裝 | VQFN046V8080
包裝形態(tài) | Taping
包裝數(shù)量 | 1000
最小獨(dú)立包裝數(shù)量 | 1000
RoHS | Yes
特性
- Nano Cap?集成輸出可選的 5V 低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）
- 面向工業(yè)應(yīng)用的長(zhǎng)期支持產(chǎn)品
- VDD 引腳電壓寬工作范圍
- IN 引腳電壓寬工作范圍
- 低 VDD 靜態(tài)和工作電流
- 低傳播延遲
- 高抗 dv/dt 能力
- 可調(diào)節(jié)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
- 電源正常信號(hào)輸出
- VDD 欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)
- 熱關(guān)斷保護(hù)
應(yīng)用
典型應(yīng)用電路
引腳配置
引腳描述
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
2186瀏覽量
76340 -
數(shù)據(jù)手冊(cè)
+關(guān)注
關(guān)注
95文章
6204瀏覽量
43569 -
HEMT
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
74瀏覽量
13403 -
功率IC
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
50瀏覽量
11100
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（GaN）市場(chǎng)。
發(fā)表于 11-22 15:16
?2224次閱讀
ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！
*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（
發(fā)表于 07-24 11:47
?659次閱讀
ROHM具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡(jiǎn)稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適
未來智能城市的動(dòng)力引擎：潤(rùn)新微電子的650V GaN功率晶體管（FET）
潤(rùn)新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 易于使用：650V
ROHM開發(fā)出EcoGaN Power Stage IC
*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（
ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC BM3G0xxMUV-LB，助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積
*1 ，開發(fā)出集650V GaN HEMT *2 和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“ BM3G0xxMUV-LB
大大減少體積及損耗！羅姆Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”重磅來襲
“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。 在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅和氮化鎵都是目前比較熱門的材料代表。以氮化鎵材料應(yīng)用為例，隨著5G
汽車650V GaN功率級(jí)頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設(shè)計(jì)和性能
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《汽車650V GaN功率級(jí)頂部冷卻QFN 12x12封裝的熱設(shè)計(jì)和性能.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 09-24 11:27
?0次下載
ROHM攜手ATX量產(chǎn)650V耐壓GaN HEMT
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進(jìn)展
GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊(cè)
） ，導(dǎo)通電阻 70mΩ，柵極電荷 5.2nC。 *附件：GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf 主要規(guī)格 型
GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊(cè)
GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減
BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
該產(chǎn)品是工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的一流產(chǎn)品。這是在這些應(yīng)用中使用的最佳產(chǎn)品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過將650V增強(qiáng)型GaN
BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，是這些應(yīng)用場(chǎng)景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過將 650V 增強(qiáng)型氮化鎵高電子遷移率晶體管
BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場(chǎng)的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，是適用于這些應(yīng)用場(chǎng)景的最佳產(chǎn)品。BM3G005MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最優(yōu)解決方案。通過將 650 伏增強(qiáng)型氮化鎵高電子遷移率
BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級(jí)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場(chǎng)長(zhǎng)期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強(qiáng)型GaN HEMT
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論