BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊
本產品是面向工業設備市場的優質產品，是適用于這些應用場景的最佳產品。BM3G005MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統提供了最優解決方案。通過將 650 伏增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaNHEMT）和硅驅動器集成到羅姆公司的原創封裝中，與傳統的分立解決方案相比，由印刷電路板（PCB）和引線鍵合所導致的寄生電感大幅降低。正因如此，能夠實現高達 150 伏 /納秒的高開關轉換速率。另一方面，可調節的柵極驅動強度有助于降低電磁干擾（EMI），并且各種保護功能以及其他附加功能實現了成本和印刷電路板尺寸的優化。這款集成電路設計為適配現有的主流控制器，因此它也可用于替代傳統的分立功率開關，比如超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。
*附件：BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊.pdf
主要規格
型號 | BM3G005MUV-LBE2
封裝 | VQFN046V8080
包裝形態 | Taping
包裝數量 | 1000
最小獨立包裝數量 | 1000
RoHS | Yes
特性
- Nano Cap?集成 5V 低壓差線性穩壓器（LDO）
- VDD 引腳電壓寬工作范圍
- IN 引腳電壓寬工作范圍
- 低 VDD 靜態和工作電流
- 低傳播延遲
- 高抗 dv/dt 能力
- 可調節柵極驅動強度
- 電源正常信號輸出
- VDD 欠壓鎖定（UVLO）保護
- 熱關斷保護
應用
典型應用電路
引腳配置
引腳描述
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