BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊
該產品是工業設備市場的一流產品。這是在這些應用中使用的最佳產品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統提供了最佳解決方案。通過將650V增強型GaN HEMT和硅驅動器集成到ROHM的原始封裝中，與傳統的分立解決方案相比，由PCB和引線鍵合引起的寄生電感顯著降低。因此，可以實現高達150V/ns的高開關壓擺率。另一方面，可調柵極驅動強度有助于降低EMI，各種保護和其它附加功能可優化成本和PCB尺寸。該IC旨在適應現有的主要控制器，因此它也可以用來取代傳統的分立功率開關，如超級結MOSFET。
*附件：BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數據手冊.pdf
主要規格
型號| BM3G115MUV-LBE2
封裝| VQFN046V8080
包裝形態| 磁帶錄音
包裝數量| 1000
最小獨立包裝數量| 1000
特點：
應用
典型應用電路
引腳配置
引腳描述
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