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豐田合成開發出8英寸GaN單晶晶圓

近日，日本豐田合成株式會社宣布了一項重大技術突破：成功開發出用于垂直晶體管的200mm（8英寸）氮化鎵（GaN）單晶晶圓。

2025-01-23 標簽：晶圓晶體管 GaN 837 0

ST 推出超小型5x6 包裝E-mode PowerGaN SGT65R65AL

SGT65R65AL 是一款第三代半導體650 V、25 A 增強型 PowerGaN ，結合了完善的封裝技術。由此產生的 G-HEMT 器件提供極...

2023-05-17 標簽：ST GaN 第三代半導體 837 0

PI推出新款精準穩壓多路輸出GaN電源IC

相較于傳統的兩級架構，這款新GaN電源IC采用750V PowiGaN?氮化鎵開關管、零電壓開關(無需有源鉗位)和同步整流技術，且無需使用單獨的DC-D...

2024-04-10 標簽：電源 PI GaN 836 0

意法半導體MasterGaN與VIPerGaN產品家族介紹

隨著半導體技術不斷革新，智能功率氮化鎵（GaN）成為備受矚目的關鍵技術。它融合了氮化鎵材料高電子遷移率、低導通電阻、耐高溫高壓的特性，以及智能控制電路和...

2025-03-24 標簽：意法半導體晶體管氮化鎵 836 0

采訪 Alex Lidow：探索用于太空電源設計的 GaN

現代電信衛星的結構旨在將它們放置在正確的軌道上并使其能夠更有效地運行。衛星由核心部分組成，其中包含大部分電氣設備、推進系統和相關的坦克。通過伽馬射線、中...

2022-08-03 標簽：電源半導體 GaN 834 0

氮化鎵推動電源解決方案

隨著科學技術的不斷進步，電力電子設備的應用越來越廣泛，而在這些設備中，電源是一個非常重要的部件。近年來，氮化鎵（GaN）材料在電源領域的應用逐漸受到關注...

2023-10-20 標簽：電源氮化鎵 GaN 833 0

瑞薩電子完成對Transphorm的收購，加速GaN技術布局

在全球半導體技術競爭日益激烈的今天，瑞薩電子以其前瞻性的戰略眼光和果斷的行動，成功完成了對氮化鎵（GaN）器件商Transphorm的收購，收購價高達3...

2024-06-25 標簽：半導體 GaN 瑞薩電子 832 0

柵極驅動DC/DC系列產品擴展

非對稱穩壓輸出適合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅動 - 現在，借助新型 R24C2T25 DC/DC 轉換器為 IGBT、Si、S...

2023-12-21 標簽：驅動器 GaN dcdc轉換器 831 0

德州儀器 (TI) 推出兩個全新的功率轉換器件產品系列

采用熱增強封裝技術的 100V GaN 功率級，可將解決方案尺寸縮小 40% 以上，提高功率效率，并將開關損耗降低 50%。

2024-03-06 標簽：變壓器德州儀器功率轉換器 831 0

朗迅科技承擔國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項

近日，朗迅科技參與國家重點研發計劃“戰略性先進電子材料”重點專項 ——?GaN基新型電力電子器件關鍵技術綜合績效評價會議，至此，該項目順利結題。 “戰略...

2022-01-07 標簽：電子器件 GaN 828 0

號稱“氮化鎵龍頭企業”，英飛凌完成 8.3 億美元收購 GaN Systems 公司

?10 月 25 日消息，英飛凌科技于 2023 年 10 月 24 日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN Systems），并號稱“成為領先的氮化鎵龍...

2023-10-26 標簽：英飛凌氮化鎵 GaN 827 0

探討 GaN FET 在人形機器人中的應用優勢

德州儀器的 Eason Tian 和 Kyle Wolf 撰寫，主要探討了 GaN FET（氮化鎵場效應晶體管）在人形機器人中的應用優勢，旨在說明其如何...

2025-02-14 標簽：GaN 人形機器人 826 0

GaN-Based如何在EMI和功耗之間尋找一個最優的平衡？

GaN-Based如何在EMI和功耗之間尋找一個最優的平衡？ GaN-Based材料是一種具有廣泛應用前景的寬能隙半導體材料，其在高頻功率電子設備中具有...

2023-11-07 標簽：emi 電源電路 GaN 825 0

Ganvix與BluGlass合作開發基于GaN的綠光VCSEL

與此同時，總部位于澳大利亞的BluGlass正在開發一種稱為遠程等離子體化學氣相沉積（RPCVD）的新型沉積技術，其不同于金屬有機化學氣相沉積（MOCV...

2022-12-12 標簽：激光器氮化鎵 GaN 823 0

利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN 功率半導體結

盡管傳統高壓平面MOSFET取得了進步，但由于阻斷或漏源擊穿電壓因厚度、摻雜和幾何形狀而變化，因此局限性仍然存在。本文將講解超級結MOSFET(例如意法...

2024-04-23 標簽：SiC GaN 功率半導體 820 0

哪款氮化鎵芯片在第三代半導體中相對突出？

KT65C1R200D是一款采用DFN8x8封裝的650V（200mΩ）氮化鎵（GaN）。它是一款常關器件，將KeepTops最新的高壓GaN HEMT...

2023-08-22 標簽：芯片半導體封裝 816 0

Luminus Devices與湖南三安半導體簽署合作協議

Luminus Devices近日宣布，已與湖南三安半導體簽署了一項合作協議。根據協議，Luminus將成為湖南三安在美洲地區的獨家銷售渠道，負責銷售其...

2024-01-17 標簽：半導體 SiC GaN 815 0

GaN，又有新突破?

PI近日宣布推出1700V氮化鎵(GaN)開關IC，這一技術突破有哪些亮點?它將如何影響高壓氮化鎵市場? 近日，Power Integrations(以...

2024-11-15 標簽：氮化鎵 GaN 開關IC 815 0

德高化成第三代半導體GaN倒裝芯片LED封裝制造擴產項目正式開工

據天津經開區一泰達消息，近日，天津德高化成新材料股份有限公司的全資子公司天津德高化成科技有限公司（以下簡稱德高化成）在天津經開區的施工現場打下第一根樁，...

2024-08-01 標簽：led 芯片封裝 815 0

Transphorm的GaN首次達到對電機驅動應用至關重要的短路穩健性里程碑

Yaskawa企業技術部基礎研發管理部經理Motoshige Maeda表示：“如果功率半導體器件無法承受短路事件，系統本身可能失效。業界普遍認為GaN...

2023-08-14 標簽：電機驅動 GaN 功率晶體管 814 0

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藍牙5是藍牙技術聯盟于2016年6月16日發布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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