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GaN充電器高頻化之路:分立器件如何破解電磁干擾與協同難題?
本文針對 GaN 器件高頻化挑戰,合科泰分析寄生電感振蕩與驅動信號失真問題,提出通過器件選型、PCB 布局及電路優化等方案,提升高頻應用性能與可靠性。
在GaN功率器件場景化爆發的關鍵窗口期,京東方華燦以消費類GaN功率器件通過1000H可靠性為起點,正式開啟“消費級普及、工業級深化、車規級突破”的三級...
45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269
45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269氮化鎵電源電路由于減少了元件數量和功率轉換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯寶科技作為E...
深度分析650V國產碳化硅MOSFET的產品力及替代高壓GaN器件的潛力
深度分析B3M040065Z和B3M040065L的產品力及替代高壓GaN器件的潛力 傾佳電子(Changer Tech)-專業汽車連接器及功率半導體(...
鎵未來攜手聯想 GaN黑科技賦能筆電,解鎖“小體積高效率”快充新體驗
全球第一大PC廠商聯想Lenovo,近期發布 Lenovo Air X AI元啟版,Lenovo YOGA 360 14 Aura Al元啟翻轉輕薄本、...
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