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全日程更新丨2025英飛凌寬禁帶開發者論壇向你發出邀請

英飛凌全球寬禁帶開發者論壇連續多年舉辦，匯集了來自碳化硅SiC和氮化鎵GaN領域的專家，更有一個來自中國客戶的特邀報告。2025年3月11日北京時間下午...

2025-02-27 標簽：英飛凌氮化鎵 GaN 390 0

浮思特 | 攻克GaN材料挑戰：實現性能突破的關鍵

GaN技術正迎來其高光時刻——這絕非偶然。這種材料具備快速開關、低能耗和優異熱性能等優勢，完美契合當今AI基礎設施、電動汽車平臺、可再生能源和工業控制等...

2025-05-27 標簽：材料氮化鎵 GaN 388 0

2023年更多車企將SiC技術引入主逆變器

德州儀器、英飛凌、Microchip、Wolfspeed、安森美等廠商擴產的另一大重點，則是模擬芯片。

2023-02-27 標簽：逆變器功率器件 GaN 387 0

天岳先進占據全球導電型碳化硅襯底市場第二

在電動汽車、電力設備以及能源領域驅動下，SiC功率器件市場需求整體堅挺， 2030年SiC功率器件市場規模將達到近150億美元，占到整體功率器件市場約2...

2024-02-22 標簽：SiC GaN 碳化硅 383 0

譽鴻錦半導體GaN器件品牌發布會，攜全產業鏈Super IDM模式實現產業效率革命

10月13日，譽鴻錦半導體在深圳國際會展中心（寶安新館) 正式舉辦氮化鎵（GaN）器件品牌發布會，暨譽鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發布會活動...

2023-10-13 標簽：GaN 369 0

薩瑞微電子SiC 和 GaN賦能AI服務器電源系統

01AI服務器電源的核心挑戰與技術需求超高功率密度：單機架功率已從傳統服務器的數千瓦提升至數十千瓦（如英偉達DGX-2需10kW，未來GB300芯片預計...

2025-04-03 標簽：SiC GaN AI服務器 361 0

德州儀器2025慕尼黑上海電子展精彩繼續

TI 分享精準的電機控制、邊緣計算、智能傳感及實時通信技術，以及如何助力重塑智能、高效、安全的自動化工廠。

2025-04-18 標簽：德州儀器 GaN 慕尼黑上海電子展 352 0

CHA6282-QCB?GaN大功率放大器

UMS?CHA6282-QCB是款工作在17.3-21.5GHz頻率段三級GaN大功率放大器。CHA6282-QCB一般提供28%的功率額外效率相關聯的...

2023-02-28 標簽：放大器 GaN UMS 341 0

E-GaN快充電源IC U8731的特點

作為蘋果全新打造的iOS操作系統，視覺效果確實令人耳目一新，但新界面所帶來的耗電量嚴重、續航時間縮短、機身發熱發燙等問題，讓體驗感大打折扣。無論系統多么...

2025-06-13 標簽：GaN 電源IC 快充 339 0

GaN已非小功率快充那么low，大功率路線開啟在即！

近日，有權威人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業寫入正在制定中的“十四五”規劃，以期在 2021-2025 年期間實現產業獨立自主。第三代半...

2020-10-30 標簽：GaN 338 0

E-GaN電源芯片U8722EE的45W、30W同步搭配推薦

2025-04-03 標簽：GaN 電源芯片 336 0

CGHV60040D?L波段功率放大器

Wolfspeed的CGHV60040D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備優異的性能參數。包括相對較高的...

2023-02-01 標簽：放大器晶體管 GaN 331 0

寬帶隙WBG功率晶體管的性能測試與挑戰

功率電子技術的快速發展，得益于寬帶隙(WBG)半導體材料的進步，尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統硅材料相比，這些材料具有更高的擊穿電壓、...

2025-04-23 標簽：SiC GaN 功率晶體管 330 0

芯干線GaN/SiC功率器件如何優化開關損耗

在功率器件的世界里，開關損耗是一個繞不開的關鍵話題。

2025-05-07 標簽：功率器件 SiC GaN 328 0

英飛凌CoolGaN功率晶體管賦能SounDigital放大器，更小尺寸、更高保真

【2025年3月3日, 德國慕尼黑訊】由于市場對于音頻設備的緊湊、輕便、高集成度和節能的需求越來越高，領先的音頻設備制造商在不斷提高音質的同時，也在努...

2025-03-11 標簽：英飛凌 GaN 功率晶體管 314 0

SiC與GaN，誰擁有更廣闊的星辰大海？

當下，低碳化和數字化齊頭并進的發展，帶來了萬物互聯、能源效率、未來出行等多重變革。而在這個突飛猛進的過程中，第三代半導體則發揮著重要作用。

2023-06-04 標簽：SiC GaN 碳化硅 313 0

氮化鎵器件在高頻應用中的優勢

氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠實現更高效率，主要歸功于GaN材料本身的內在特性。

2025-06-13 標簽：半導體氮化鎵 GaN 308 0

英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管

英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區損耗提高功率系統...

2025-05-21 標簽：晶體管肖特基二極管 GaN 304 0

2025芯導科技產品推介會暨合作伙伴大會順利結束

此前，4月16日下午，春意融融，陽光灑滿大地，2025（春季）芯導科技產品推介會暨合作伙伴大會在芯導科技上海總部圓滿舉行。此次大會匯聚了近百位行業專家與...

2025-04-21 標簽：GaN 功率半導體芯導科技 303 0

EPC專利被判決無效，英諾賽科獲ITC案件終極勝利

2025 年3月19日 - 英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（香港聯交所代碼：2577）是一家致力于高性能、低成本的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）芯片...

2025-03-19 標簽：專利 GaN 英諾賽科 301 0

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