、耐高壓的特性被越來越多的車企認可，市場發(fā)展前景逐漸明朗。 ? 在此歲末年初之際，讓我們共同回顧2021國內(nèi)外碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)生的重大事件。 ? 天岳先進躋身碳化硅襯底第一梯隊，首發(fā)過會并成功上市 ? 天岳先進是國內(nèi)碳化硅襯底領(lǐng)域
2022-01-24 09:31:57
3816 中科院成功制備8英寸碳化硅襯底 ? 近日中科院物理研究所在官網(wǎng)發(fā)文表示，科研人員通過優(yōu)化生長工藝，進一步解決了多型相變問題，持續(xù)改善晶體結(jié)晶質(zhì)量，成功生長出單一4H晶型的8英寸SiC晶體，加工出厚度
2022-05-07 00:55:003759 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）新能源汽車市場規(guī)模急劇上漲，對于碳化硅產(chǎn)業(yè)而言，上游產(chǎn)能擴充是現(xiàn)今各大廠商所一直努力的方向。可以看到過去一年里，海內(nèi)外都持續(xù)投入到包括碳化硅上游襯底和外延片、中游
2023-02-20 09:13:0116076 從產(chǎn)業(yè)鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計、器件制造等環(huán)節(jié)，但目前全球碳化硅市場基本被在國外企業(yè)所壟斷。
2018-12-06 16:03:5612188 摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:381637 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）襯底產(chǎn)能在近年成為了碳化硅行業(yè)痛點，隨著電力電子行業(yè)，包括電動汽車、光伏、儲能、風電等新能源應(yīng)用市場的發(fā)展，碳化硅功率器件因為高效率、高耐壓等優(yōu)勢受到了追捧，導(dǎo)致產(chǎn)能
2022-09-07 07:56:002422 快速發(fā)展，碳化硅芯片在未來2至3年都將呈現(xiàn)供不應(yīng)求的態(tài)勢。DIGITIMES Research預(yù)測，2030年全球電動汽車銷量有望超越5000萬輛，將帶動SiC功率器件于電動車市場銷售額突破八成。 ? 5月3日，英飛凌與國內(nèi)碳化硅公司天科合達、天岳先進簽訂長期協(xié)
2023-05-24 00:10:003423 
空間大 ? 國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來發(fā)展神速，首先是碳化硅襯底上6英寸襯底的量產(chǎn)以及8英寸襯底的研發(fā)進度大幅拉近了與海外領(lǐng)先玩家的差距，另一方面是產(chǎn)能擴張上的投入越來越大。這使得國內(nèi)在全球碳化硅產(chǎn)業(yè)中，無論是從市場需求，還是
2023-12-12 01:35:001178 不變。這是由于碳化硅肖特基二極管是單極器件，沒有少數(shù)載流子注入和自由電荷的存儲。在恢復(fù)瞬態(tài)，所涉及的電荷只有結(jié)耗盡區(qū)電荷，而且它比相同結(jié)構(gòu)的Si器件結(jié)耗盡區(qū)電荷至少小一個數(shù)量級。這對于要求工作于高阻斷
2020-09-24 16:22:14
一樣，可以制成結(jié)型器件、場效應(yīng)器件、和金屬與半導(dǎo)體接觸的肖特基二極管。 其優(yōu)點是： (1)碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄，開態(tài)電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導(dǎo)通電阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
碳化硅MOSFET開關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
了。 固有優(yōu)勢加上最新進展 碳化硅的固有優(yōu)勢有很多，如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優(yōu)良的導(dǎo)通電阻/片芯面積和開關(guān)損耗、快速開關(guān)等。最近，UnitedSiC采用常關(guān)型共源共柵的第三代SiC-FET器件已經(jīng)
2023-02-27 14:28:47
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
。抗氧化性也是所有非氧化物陶瓷中好的。是極其優(yōu)秀的陶瓷材料。碳化硅（SiC）的市場前景隨著信息科技的飛速發(fā)展，我國對半導(dǎo)體需求越來越多，我國已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費國，半導(dǎo)體消費量占全球消費量的比重
2021-01-12 11:48:45
關(guān)注該新藍海市場。由于汽車的使用是在高速行駛的惡劣環(huán)境下進行，使得碳化硅封裝基板在耐溫、抗電磁波、抗震與耐腐蝕等要求上更勝于傳統(tǒng)封裝基板,因此確保汽車零件的質(zhì)量并保障駕駛及乘客的生命安全是所有車廠最重
2020-12-16 11:31:13
10.5公斤/平方厘米，高溫強度很好。抗彎強度直至1400℃仍不受溫度的影響。1500℃時，彈性模量仍有100公斤/平方厘米。上述數(shù)據(jù)均測自大塊材料。4)熱膨脹系數(shù)較低，導(dǎo)熱性好。5)碳化硅導(dǎo)電性較強
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
）結(jié)構(gòu)示意圖，其結(jié)構(gòu)大致可分為四部分，上表面陽極金屬、外延層（漂移區(qū)+緩沖區(qū)）、襯底層和背面陰極金屬。 作為單極型器件，碳化硅肖特基二極管優(yōu)點尤為突出，其“反向恢復(fù)為零”的特點讓其反向特性相比硅基快恢復(fù)
2023-02-28 16:55:45
時，恢復(fù)時間和恢復(fù)電流就越大，損耗也就越大。 碳化硅肖特基二極管是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件（單極性器件），在工作過程中不會發(fā)生少數(shù)載流子存儲的現(xiàn)象，也不會產(chǎn)生過大的正反向切換瞬態(tài)沖擊電流，只有結(jié)電容放電
2023-02-28 16:34:16
已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體消費國，半導(dǎo)體消費量占全球消費量的比重超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅(qū)動技術(shù)研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
，該晶圓有望實現(xiàn)縱型FET。與碳化硅基的縱型MOS FET相比，在性能方面，縱型FET具有更高的潛力（下圖5）。與利用傳統(tǒng)的體塊式氮化鎵晶圓制成的芯片相比，實驗制作的二極管的ON電阻值降低了50%，縱
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對電網(wǎng)的干擾，都會采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時出現(xiàn)，強強聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動力推出的碳化硅二
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓撲相結(jié)合，可提供最佳的性價比。混合碳化硅結(jié)合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管，也是一個不錯的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達50
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開關(guān)拓撲打造了一個兼顧品質(zhì)和性價比的完美方案。 該器件將傳統(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
的一個原因是由關(guān)斷時驅(qū)動集成電路和碳化硅MOSFET之間電路板寄生電感制造的柵源極電壓振蕩，這振蕩是由于碳化硅MOSFET關(guān)斷時電路板寄生電感有高速關(guān)斷電流（di/dt）通過所致。第二個常見原因是導(dǎo)
2023-03-14 14:05:02
了第一代和第二代產(chǎn)品的優(yōu)點，采用JBS結(jié)構(gòu)，優(yōu)化了N-外延層的摻雜濃度，減薄N+襯底層，使得二極管具有更低的正向?qū)▔航礦F和結(jié)電荷QC，可以降低應(yīng)用端的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。 圖（1）碳化硅二
2023-02-28 17:13:35
用碳化硅MOSFET設(shè)計一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
，保證各大功率負載的正常運行。同時在汽車驅(qū)動模塊中還需要抗震耐磨的PCB，而碳化硅材料的耐磨與抗震等機械性能優(yōu)良，能保證其長久的使用壽命。根據(jù)時報，新能源汽車電源模塊至2020年市場空間有望提升
2020-12-09 14:15:07
碳化硅 MOSFET 量身打造的解決方案，搭配基本半導(dǎo)體TO-247-3 封裝碳化硅 MOSFET。 2、通用型驅(qū)動核 1CD0214T17-XXYY 是青銅劍科技自主研發(fā)的一系列針對于單管碳化硅
2023-02-27 16:03:36
LED襯底目前主要是藍寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數(shù)都采用藍寶石襯底技術(shù)。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數(shù)據(jù)不得而知。硅襯底成本低，但目前技術(shù)還不完善。 從LED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
好，硬度大（莫氏硬度為9.5級，僅次于世界上最硬的金剛石（10級））、導(dǎo)熱性能優(yōu)良、高溫抗氧化能力強等。由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。二、碳化硅半導(dǎo)體器件由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
碳化硅市場，X—Fab、日本羅姆等企業(yè)早些時候也相繼宣布將擴大碳化硅產(chǎn)能，碳化硅產(chǎn)業(yè)海外重要玩家已開始備戰(zhàn)。從產(chǎn)業(yè)鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計、器件制造等環(huán)節(jié)，但目前全球碳化硅市場基本被在國外企業(yè)所壟斷。
2018-12-06 16:08:00138137 碳化硅襯底生產(chǎn)的國外核心企業(yè)，主要是美國CREE，美國 II-VI，和日本昭和電工，三者合計占據(jù)75%以上的市場。技術(shù)上，正在從 4 英寸襯底向 6 英寸過渡，8 英寸硅基襯底在研。
2020-10-19 14:59:079808 隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領(lǐng)域的爆發(fā)，引爆了對第三代半導(dǎo)體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場需求，國內(nèi)眾多企業(yè)紛紛通過加強技術(shù)研發(fā)與資本投入布局碳化硅產(chǎn)業(yè)，今天我們首先
2021-07-29 11:01:184375 前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關(guān)鍵的四個環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2021-08-16 10:46:405267 設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè) Soitec 宣布，與全球電力和先進材料領(lǐng)域?qū)＜颐罓柹_成戰(zhàn)略合作，攜手為電動汽車市場開發(fā)多晶碳化硅（poly-SiC）系列襯底。
2021-12-08 11:18:17638 意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）襯底制造廠，以支持意法半導(dǎo)體客戶對汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求，協(xié)助其向電氣化邁進并達到更高效率。新廠預(yù)計2023年開始投產(chǎn)，以實現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對內(nèi)采購及行業(yè)供貨間達到平衡。
2022-10-08 17:04:031349 意法半導(dǎo)體將于意大利興建一座整合式碳化硅(Silicon Carbide;SiC)襯底制造廠，以支持意法半導(dǎo)體客戶對汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求，協(xié)助其向電氣化邁進并達到更高效率。新廠預(yù)計2023年開始投產(chǎn)，以實現(xiàn)碳化硅襯底的供應(yīng)在對內(nèi)采購及行業(yè)供貨間達到平衡。
2022-10-09 09:10:55741 雙方同意對Soitec技術(shù)進行產(chǎn)前驗證， 以面向未來的8寸碳化硅襯底制造 提供關(guān)鍵半導(dǎo)體賦能技術(shù)，支持汽車電動化和工業(yè)系統(tǒng)能效提升等轉(zhuǎn)型目標 意法半導(dǎo)體(簡稱ST)和世界先驅(qū)的創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計制造
2022-12-08 12:22:48616 前言：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關(guān)鍵的四個環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2023-01-05 11:23:191191 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物
2023-02-02 14:50:021981 碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè) 碳化硅市場格局 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié)，目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示，Cree、英飛凌、羅姆約占據(jù)了90％的SiC
2023-02-02 15:02:543931 碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變，但在一定的溫度范圍內(nèi)與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關(guān)系更為復(fù)雜。碳化硅的導(dǎo)電率隨溫度升高到一定值時出現(xiàn)峰值，繼續(xù)升高溫度，導(dǎo)電率又會下降。
2023-02-03 09:31:234410 碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163637 
碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:352997 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長、器件制造以及下游應(yīng)用。通常采用物理氣相傳輸法（PVT法）制備碳化硅單晶，再在襯底上使用化學氣相沉積法（CVD法）等生成外延片，最后制成相關(guān)器件。在SiC器件的產(chǎn)業(yè)鏈中，由于襯底制造工藝難度大，產(chǎn)業(yè)鏈價值量主要集中于上游襯底環(huán)節(jié)。
2023-02-03 16:30:133953 碳化硅在半導(dǎo)體芯片中的主要形式為襯底。半導(dǎo)體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結(jié)構(gòu)都可劃分為“襯底-外延-器件”結(jié)構(gòu)。碳化硅在半導(dǎo)體中存在的主要形式是作為襯底材料。
2023-02-19 10:18:481086 晶錠進過晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底；再經(jīng)過外延生長就變成碳化硅外延片，也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經(jīng)過光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，已成為兵家必爭之地。
2023-03-23 10:30:041284 點擊藍字?關(guān)注我們 本文來源：中國電子報 在能源電子產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展的背景下，全球光伏裝機量持續(xù)攀升，為碳化硅帶來可觀的市場增量。Yole研報預(yù)計，應(yīng)用于光伏發(fā)電及儲能的碳化硅市場規(guī)模將在2025年達到
2023-04-20 07:15:07583 
按照電學性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。導(dǎo)電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層后進一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:483430 
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場，以及未來的發(fā)展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應(yīng)用四大環(huán)節(jié)，襯底與外延占據(jù) 70%的碳 化硅器件成本。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，碳化硅器件的成本構(gòu)成中，襯底、外延、前段、 研發(fā)費用和其他分別占比為 47%，23%，19%，6%，5%，襯底+外延合計約 70%
2023-06-26 11:30:56733 
長 據(jù)TechInsights最新電動汽車服務(wù)報告指出，碳化硅市場收益在2022年至2027年期間預(yù)計將以35%的復(fù)合年增長率從12億美元增長至53億美元。到2029年，碳化硅市場規(guī)模將增長至94億美元，其中中國將占據(jù)半壁江山。 另一家分析機構(gòu)TrendForce也認為，汽車將主導(dǎo)碳化硅
2023-08-14 12:27:01468 當前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立態(tài)勢，碳化硅材料七成以上來自美國公司，歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈，日本則在碳化硅芯片、模塊和應(yīng)用開發(fā)方面占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢。
2023-08-15 10:07:41260 
目前，碳化硅（SiC）這種半導(dǎo)體材料因其在電力電子應(yīng)用中的出色表現(xiàn)引起了廣泛的關(guān)注。對晶圓和器件的研究在近年來已經(jīng)取得很大進展。碳化硅是一種寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料。禁帶通常是指價帶和導(dǎo)帶之間
2023-08-30 08:11:47695 
前來看，在未來一段時間內(nèi)，6英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品將作為主流尺寸，但隨著技術(shù)的進步、基于成本和下游應(yīng)用領(lǐng)域等因素考慮，8英寸導(dǎo)電型碳化硅產(chǎn)品將是碳化硅襯底行業(yè)的發(fā)展趨勢。最終的周期將取決于技術(shù)的進度、下游市場的發(fā)展情況等多方面因素。
2023-09-12 09:27:35234 在碳化硅襯底的制備原料里，以2021年為例，石墨件成本占比為45.21%，石墨氈占比為41.32%，占據(jù)了原料成本的86.53%，相對比與碳粉、硅粉占比0.97%、1.99%可謂差別巨大
2023-10-09 16:37:571211 
碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:06529 
2023年9月，科友半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線。
2023-10-18 09:17:46404 科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè)，加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:40724 業(yè)內(nèi)人士預(yù)測，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術(shù)。在國內(nèi)市場方面，碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進展，多家行業(yè)龍頭選擇與國際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21969 在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié)，是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:57931 碳化硅襯底，新能源與5G的基石
2023-01-13 09:07:40
3 單晶生長，以高純硅粉和高純碳粉作為原材料形成碳化硅晶體；2）襯底環(huán)節(jié)，碳化硅晶體經(jīng)過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成單晶薄片，也即半導(dǎo)體襯底材料；
2023-12-05 15:26:53561 
當前，大尺寸襯底成為碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向。
2023-12-24 14:18:08616 
導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層，得到碳化硅外延片后進一步加工制成，品種包括SBD（肖特基二極管）、MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）等，主要用于電動汽車、光伏、軌道交通、數(shù)據(jù)中心、充電等基礎(chǔ)建設(shè)。
2023-12-27 10:08:56306 
國內(nèi)主要的碳化硅襯底供應(yīng)商包括天岳先進、天科合達、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線，覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環(huán)節(jié)。部分廠商還自研單晶爐設(shè)備及外延片等產(chǎn)品。
2024-01-12 11:37:03864 
1月23日，山東有研硅半導(dǎo)體表示已與山東粵海金于1月17日正式簽署了《碳化硅襯底片業(yè)務(wù)合作協(xié)議》，該協(xié)議旨在充分發(fā)揮雙方各自優(yōu)勢，創(chuàng)新業(yè)務(wù)合作模式，共同拓展碳化硅襯底片市場與客戶。
2024-01-29 14:36:57459 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近期國內(nèi)碳化硅襯底供應(yīng)商陸續(xù)獲得海外大廠的訂單，4月底，天岳先進在2022年年報中披露去年公司與博世集團簽署了長期協(xié)議，公司將為博世供應(yīng)碳化硅襯底產(chǎn)品
2023-05-06 01:20:002328 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在過去的2023年里，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了可能是發(fā)展速度最快的一年。首先是碳化硅襯底取得突破，8英寸進展神速，同時三安和天岳先進、天科合達等獲得海外芯片巨頭的認可，簽下
2024-01-08 08:25:342171 
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