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鎵未來助力聯(lián)想筆記本GaN適配器標(biāo)配化,賦能高效用戶體驗(yàn)
鎵未來賦能筆記本電腦GaN適配器標(biāo)配化 據(jù)悉,Lenovo 2024年推出搭配的多款新型 筆記本原裝適配器電源ADL100UDGC3A ,采用了 鎵未來...
三菱電機(jī)推出新型GaN功率放大器模塊,助力5G mMIMO基站擴(kuò)展
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,將向市場提供新型16W平均功率氮化鎵(GaN)功率放大器模塊(PAM)的樣品,專為5G massive MIMO(mMIMO)基站...
CGD新型ICeGaN GaN功率IC使數(shù)據(jù)中心、逆變器和工業(yè)開關(guān)電源的實(shí)現(xiàn)超高效率
采用新型熱阻 增強(qiáng)封裝的 P2 系列表現(xiàn)出超高的電氣性能,支持具有挑戰(zhàn)性的高功率應(yīng)用,堅(jiān)固可靠 英國劍橋 - 無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambrid...
2024-06-11 標(biāo)簽:開關(guān)電源逆變器GaN 3546 0
CGD開發(fā)GaN,致力于打造更環(huán)保電子器件
位于英國劍橋市的無晶圓制造環(huán)保科技型半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices(簡稱 CGD)研發(fā)了一系列高能效氮化鎵(GaN)功率器件,主...
功率電子學(xué)在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色,尤其是在可再生能源和電動(dòng)交通領(lǐng)域。為了滿足日益增長的高效率、小巧緊湊組件的需求,我們需充分認(rèn)識(shí)并保證寬禁帶...
2024-06-07 標(biāo)簽:SiCGaN寬禁帶半導(dǎo)體 999 0
國產(chǎn)科學(xué)儀器走出去:武漢普賽斯IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)出口國際市場
前言隨著全球科技水平的提高和科學(xué)研究的深入,科學(xué)儀器成為各個(gè)國家和地區(qū)科研機(jī)構(gòu)、高校和企業(yè)必不可少的工具。受益于全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)跑馬圈地?cái)U(kuò)張產(chǎn)能,測(cè)...
聚焦功率半導(dǎo)體測(cè)試 | 普賽斯儀表多款測(cè)試新品亮相中國光谷九峰山論壇
“聚勢(shì)賦能共赴未來”,2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì),已在中國武漢光谷圓滿落下帷幕。此次活動(dòng)作為化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域規(guī)模最大、規(guī)格最...
攬獲殊榮!普賽斯儀表榮獲“金翎獎(jiǎng)”功率半導(dǎo)體領(lǐng)域2024年度優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商獎(jiǎng)項(xiàng)
全球半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展,暢通著能源產(chǎn)業(yè)的命脈。新能源時(shí)代,功率半導(dǎo)體成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的名片之一。4月23日,CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展...
在追求環(huán)保與高效能的科技浪潮中,無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司Cambridge GaN Devices(CGD)成功研發(fā)了一系列高性能的GaN功率器件。這...
CGD推出兩款新型 ICeGaN 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC封裝
為電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具、筆記本電腦和手機(jī)應(yīng)用開發(fā)功率密度超過30 W/in3的140-240 W USB-PD適配器 (2024年6月4日,英國劍橋訊)無...
CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
新封裝提供了更高的功率輸出、便于光學(xué)檢查、節(jié)省了系統(tǒng)成本,并提高了可靠性 ? 英國劍橋 - 無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN De...
2024-06-04 標(biāo)簽:逆變器數(shù)據(jù)中心GaN 1034 0
應(yīng)用需求升級(jí),100V GaN市場爆發(fā)?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)近年來隨著AI以及電動(dòng)汽車的熱潮,在數(shù)據(jù)中心電源以及汽車低壓系統(tǒng)中,都開始進(jìn)入技術(shù)升級(jí)。 ? 數(shù)據(jù)中心單機(jī)架的功率不斷提高...
2024-06-04 標(biāo)簽:GaN 2759 0
CGD與中國臺(tái)灣綠能與環(huán)境研究所簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄
為電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具、筆記本電腦和手機(jī)應(yīng)用開發(fā)功率密度超過30 W/ in3? 的140-240 W USB-PD適配器 (2024年5月30日,英國劍...
臺(tái)亞半導(dǎo)體再度調(diào)整業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)
臺(tái)亞半導(dǎo)體于近日成功召開股東會(huì),會(huì)議通過了將8英寸GaN(氮化鎵)事業(yè)群分割給子公司冠亞半導(dǎo)體的計(jì)劃。這是繼兩年前臺(tái)亞將系統(tǒng)事業(yè)群劃分給星亞視覺后,再次...
CGD與中國臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄
為電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具、筆記本電腦和手機(jī)應(yīng)用開發(fā)功率密度超過 30 W/in3 的 140-240 W USB-PD 適配器 英國劍橋 - Cambrid...
2024-05-30 標(biāo)簽:GaN 646 0
青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)合作簽約儀式圓滿成功!
5月28日,青島佳恩半導(dǎo)體有限公司與西安電子科技大學(xué)戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島隆重舉行,參加此次簽約儀式的嘉賓有城陽區(qū)科學(xué)與技術(shù)局領(lǐng)導(dǎo)、城陽區(qū)工業(yè)與信息化局...
一種無刻蝕損傷的新型Micro-LED像素制造技術(shù)
Micro-LED的高對(duì)比度,強(qiáng)亮度,優(yōu)能效和長壽命使其成為最具潛力的下一代顯示技術(shù)。然而,傳統(tǒng)的micro-LED制造過程中使用的等離子體刻蝕工藝會(huì)導(dǎo)...
2024-05-29 標(biāo)簽:虛擬現(xiàn)實(shí)GaNmicro-led 1879 0
量子效率測(cè)試:Micro-LED量子效率的研究進(jìn)展
光電轉(zhuǎn)化效率是評(píng)價(jià)LED等電致發(fā)光器件性能的重要參數(shù)。電能輸入到LED。熱量積聚會(huì)導(dǎo)致管芯溫度的升高,從而直接影響管芯的穩(wěn)定性及壽命。Micro-LED...
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