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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))今年對(duì)于存儲(chǔ)廠商而言,可謂是重新梳理市場(chǎng)需求的一年,不少企業(yè)對(duì) NAND和DRAM 的業(yè)務(wù)進(jìn)行了大幅調(diào)整,有的就選擇了將重...
2023-12-13 標(biāo)簽:HBM 1715 0
集邦咨詢:先進(jìn)封裝產(chǎn)能供應(yīng)緊張有望緩解
在先進(jìn)封裝領(lǐng)域,三星正積極研發(fā)HBM技術(shù),并與臺(tái)積電攜手合作,助推CoWoS工藝發(fā)展,從而擴(kuò)大HBM3產(chǎn)品的銷售版圖。此外,三星于2022年加入臺(tái)積電O...
機(jī)構(gòu)發(fā)布2024年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)八大預(yù)測(cè):增長(zhǎng)率可達(dá)20%
到2024年,存儲(chǔ)器市場(chǎng)將經(jīng)歷近40%的不景氣,而且因減產(chǎn)效果,產(chǎn)品價(jià)格會(huì)上升,再加上高價(jià)hbm滲透率的提高,有望對(duì)市場(chǎng)增長(zhǎng)有所幫助。idc預(yù)測(cè)說(shuō),隨著...
三星從日本訂購(gòu)大量2.5D封裝設(shè)備,預(yù)計(jì)將為英偉達(dá)代工
據(jù)悉,三星很有可能將這些裝置作為2.5d包使用在nvidia ai gpu和hbm3芯片上。根據(jù)Shinkawa的訂單結(jié)構(gòu)分析,如果英偉達(dá)的訂單增加,三...
Rambus通過(guò)9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能
作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和 IP 核供應(yīng)商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:RMBS)今日宣布 Rambus HBM3 ...
最近,隨著人工智能行業(yè)的高速崛起,大算力芯片業(yè)成為半導(dǎo)體行業(yè)為數(shù)不多的熱門領(lǐng)域HBM(高寬帶內(nèi)存:High-bandwidthmemory)作為大算力芯...
SK海力士超過(guò)三星電子成為市場(chǎng)領(lǐng)頭羊
服務(wù)器DRAM是一種價(jià)值較高且至關(guān)重要的半導(dǎo)體產(chǎn)品,對(duì)企業(yè)云服務(wù)和數(shù)據(jù)中心發(fā)揮著重要作用,約占整個(gè)DRAM市場(chǎng)的35-40%。
半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)向好,應(yīng)用材料Q4繼續(xù)保持增長(zhǎng)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))由于今年半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)雜多變的格局,上下游也呈現(xiàn)出不同的樣貌,尤其是半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。近日,半導(dǎo)體設(shè)備頭部廠商應(yīng)用材料也公布了...
2023-12-04 標(biāo)簽:應(yīng)用材料HBM半導(dǎo)體設(shè)備 1491 0
算力需求催生存力風(fēng)口,HBM競(jìng)爭(zhēng)從先進(jìn)封裝開(kāi)始
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))今年是生成式AI爆火的一年,各類基于生成式AI的工具席卷了今年的各類熱點(diǎn),最近視頻領(lǐng)域Pika labs的產(chǎn)品也掀起了AI...
HBM4為何備受存儲(chǔ)行業(yè)關(guān)注?
當(dāng)前,生成式人工智能已經(jīng)成為推動(dòng)DRAM市場(chǎng)增長(zhǎng)的關(guān)鍵因素,與處理器一起處理數(shù)據(jù)的HBM的需求也必將增長(zhǎng)。未來(lái),隨著AI技術(shù)不斷演進(jìn),HBM將成為數(shù)據(jù)中...
據(jù)gartner稱,人工智能芯片市場(chǎng)規(guī)模有望從今年的534億美元增長(zhǎng)到2027年的1194億美元。但在hbm和ddr5 dram等先進(jìn)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上,三...
HBM市場(chǎng)將爆發(fā)“三國(guó)之戰(zhàn)”
英偉達(dá)的圖形處理器(gpu)是高附加值產(chǎn)品,特別是high end h100車型的售價(jià)為每個(gè)6000萬(wàn)韓元(約4.65萬(wàn)美元)。英偉達(dá)將在存儲(chǔ)半導(dǎo)體領(lǐng)域...
英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出
由于hbm芯片的驗(yàn)證過(guò)程復(fù)雜,預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間,因此業(yè)界預(yù)測(cè),最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是,驗(yàn)證工作可能會(huì)在2...
英偉達(dá)HBM3e 驗(yàn)證計(jì)劃2024 Q1完成
HBM4 預(yù)計(jì)將于 2026 年推出,具有針對(duì)英偉達(dá)和其他 CSP 未來(lái)產(chǎn)品量身定制的增強(qiáng)規(guī)格和性能。在更高速度的推動(dòng)下,HBM4 將標(biāo)志著其最底部邏輯...
2023-11-28 標(biāo)簽:存儲(chǔ)芯片Nand flash英偉達(dá) 583 0
預(yù)計(jì)英偉達(dá)將于Q1完成HBM3e驗(yàn)證 2026年HBM4將推出
由于hbm芯片的驗(yàn)證過(guò)程復(fù)雜,預(yù)計(jì)需要2個(gè)季度左右的時(shí)間,因此業(yè)界預(yù)測(cè),最快將于2023年末得到部分企業(yè)對(duì)hbm3e的驗(yàn)證結(jié)果。但是,驗(yàn)證工作可能會(huì)在2...
AI PC推動(dòng)存儲(chǔ)規(guī)格升級(jí) 預(yù)期明年上半年DDR5將會(huì)超越DDR4
隨著三大國(guó)際DRAM廠商三星、SK海力士、美光科技擴(kuò)大減產(chǎn)幅度,業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為,供給減少疊加AI帶動(dòng)的需求擴(kuò)大,存儲(chǔ)器市場(chǎng)有望揚(yáng)升。
DRAM產(chǎn)業(yè)在生成式AI中受益匪淺,未來(lái)DRAM產(chǎn)業(yè)格局將發(fā)生重大變化。
2023-11-25 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)芯片機(jī)器學(xué)習(xí) 978 0
DDR5實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng) 美光計(jì)劃明年初大量出貨HBM3E
預(yù)計(jì)2023年第4季度移動(dòng)DRAM的合約價(jià)格將上漲13-18%,而eMMC和UFS NAND Flash的合約價(jià)格將上漲約10-15%。這種上漲趨勢(shì)預(yù)計(jì)...
異質(zhì)集成時(shí)代半導(dǎo)體封裝技術(shù)的價(jià)值
隨著對(duì)高性能半導(dǎo)體需求的增加,半導(dǎo)體市場(chǎng)越來(lái)越重視“封裝工藝”的重要性。根據(jù)這一趨勢(shì),SK海力士正在大規(guī)模生產(chǎn)基于HBM3(高帶寬存儲(chǔ)器3)的高級(jí)封裝產(chǎn)...
速度優(yōu)勢(shì)是HBM產(chǎn)品成功的關(guān)鍵
速度優(yōu)勢(shì)是HBM產(chǎn)品成功的關(guān)鍵
2023-11-29 標(biāo)簽:DRAM帶寬機(jī)器學(xué)習(xí) 523 0
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