AMD Instinct MI300新版將采用HBM3e內(nèi)存，競(jìng)爭(zhēng)英偉達(dá)B100

AMD于去年宣布旗下兩款I(lǐng)nstinct MI300加速器，包括基于GPU的MI300X以及基于APU架構(gòu)的MI300A， both配備192GB/12...

2024-02-23 標(biāo)簽：amdcpu加速器 1365 0

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM，帶寬高達(dá)1280GB/s，容量達(dá)36G

“隨著AI行業(yè)對(duì)大容量HBM的需求日益增大，我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H應(yīng)運(yùn)而生，”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門(mén)Yongcheol Bae解釋道，“這個(gè)存儲(chǔ)方...

2024-02-27 標(biāo)簽：三星電子AIHBM 1324 0

DDR5實(shí)現(xiàn)大幅增長(zhǎng) 美光計(jì)劃明年初大量出貨HBM3E

預(yù)計(jì)2023年第4季度移動(dòng)DRAM的合約價(jià)格將上漲13-18%，而eMMC和UFS NAND Flash的合約價(jià)格將上漲約10-15%。這種上漲趨勢(shì)預(yù)計(jì)...

2023-11-24 標(biāo)簽：DRAMNANDHBM 1317 0

SK海力士HBM3E正式量產(chǎn)，鞏固AI存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預(yù)計(jì)這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應(yīng)HBM3制造商所累積的經(jīng)驗(yàn)，將進(jìn)一步強(qiáng)化公司在AI存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者地位。

2024-03-19 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器SK海力士HBM3 1312 0

英偉達(dá)大量訂購(gòu)HBM3E內(nèi)存，搶占市場(chǎng)先機(jī)

英偉達(dá)（NVIDIA）近日宣布，已向SK海力士、美光等公司訂購(gòu)大量HBM3E內(nèi)存，為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準(zhǔn)備。也預(yù)示著內(nèi)存市場(chǎng)將新一輪競(jìng)爭(zhēng)。

2023-12-29 標(biāo)簽：三星電子內(nèi)存英偉達(dá) 1295 0

SK海力士開(kāi)發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E，向英偉達(dá)提供樣品

該公司表示，HBM3E（HBM3的擴(kuò)展版本）的成功開(kāi)發(fā)得益于其作為業(yè)界唯一的HBM3大規(guī)模供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)。憑借作為業(yè)界最大HBM產(chǎn)品供應(yīng)商的經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)準(zhǔn)備...

2023-08-22 標(biāo)簽：芯片DRAM英偉達(dá) 1266 0

SK海力士：HBM3E量產(chǎn)時(shí)間縮短50%，達(dá)到大約80%范圍的目標(biāo)良率

據(jù)報(bào)道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲(chǔ)（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。

2024-05-27 標(biāo)簽：DRAMSK海力士HBM3E 1243 0

SK海力士推全球最高性能HBM3E內(nèi)存

HBM3E內(nèi)存（也可以說(shuō)是顯存）主要面向AI應(yīng)用，是HBM3規(guī)范的擴(kuò)展，它有著當(dāng)前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶(hù)友好性上全面針對(duì)AI優(yōu)化。

2023-08-22 標(biāo)簽：AI超級(jí)芯片SK海力士 1242 0

SK海力士開(kāi)發(fā)出全球最高規(guī)格HBM3E

sk海力士表示：“以唯一批量生產(chǎn)hbm3的經(jīng)驗(yàn)為基礎(chǔ)，成功開(kāi)發(fā)出了世界最高性能的擴(kuò)展版hbm3e?！皩⒁詷I(yè)界最大規(guī)模的hbm供應(yīng)經(jīng)驗(yàn)和量產(chǎn)成熟度為基礎(chǔ)，...

2023-08-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器SK海力士HBM 1232 0

SK海力士預(yù)計(jì)3月量產(chǎn)HBM3E，供貨英偉達(dá)

近日，全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation ...

2024-02-25 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器英偉達(dá)SK海力士 1232 0

美光宣布開(kāi)始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存 功耗比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品低30％

存儲(chǔ)三強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)更加激烈了。

2024-02-28 標(biāo)簽：DDR美光HBM 1211 0

英偉達(dá)巨資預(yù)訂HBM3E，力拼上半年算力市場(chǎng)

在全球AI芯片領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，英偉達(dá)以其卓越的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)影響力，始終保持著領(lǐng)先地位。最近，這家AI芯片大廠再次展現(xiàn)出了其獨(dú)特的戰(zhàn)略眼光和強(qiáng)大的資金...

2024-06-22 標(biāo)簽：美光SK海力士AI芯片 1206 0

美光科技開(kāi)始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案

美光科技股份有限公司（Micron Technology, Inc.）是全球內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，近日宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解...

2024-03-05 標(biāo)簽：gpu美光科技內(nèi)存技術(shù) 1197 0

GTC 2024：三大存儲(chǔ)廠商齊展HBM3E與GDDR7技術(shù)

據(jù)悉，HBM3E廣泛應(yīng)用于Blackwell加速器、NVIDIA H200、GH200芯片；AMD Instinct MI300A / X亦有可能采用其...

2024-03-20 標(biāo)簽：加速器顯卡HBM3 1194 0

三星電子HBM存儲(chǔ)技術(shù)進(jìn)展：12層HBM3E芯片，2TB/s帶寬HBM4即將上市

據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領(lǐng)先其他公司，有能力在2024年9月實(shí)現(xiàn)對(duì)英偉達(dá)的替代，這意味著它將成為英偉達(dá)12層HBM3E的壟斷供應(yīng)商。...

2024-03-27 標(biāo)簽：英偉達(dá)三星HBM3 1192 0

消息稱(chēng)三星Q2供應(yīng)超微HBM3E 下半年啟動(dòng)大規(guī)模量產(chǎn)

HBM，即高帶寬內(nèi)存，以其獨(dú)特的“樓房設(shè)計(jì)”概念，打破了傳統(tǒng)DDR內(nèi)存的設(shè)計(jì)局限，憑借出色的性能在市場(chǎng)中贏得了廣泛認(rèn)可。

2024-04-15 標(biāo)簽：DDR內(nèi)存HBM三星 1176 0