三星電子日前公布了其創新的12層HBM3E內存芯片計劃，預計將于2024年第二季度正式投入量產，并有意將其融入超微新一代的人工智能半導體產品中，以穩固其市場地位。這一戰略動作無疑凸顯了三星在加速追趕HBM市場領頭羊SK海力士方面的決心，也展示了其在高帶寬內存技術領域的雄厚實力。

HBM，即高帶寬內存，以其獨特的“樓房設計”概念，打破了傳統DDR內存的設計局限，憑借出色的性能在市場中贏得了廣泛認可。隨著技術的日新月異，HBM產品已逐步從第一代演進至第五代HBM3E，其中，美光、SK海力士與三星作為行業的技術領軍者，持續推動著整個HBM市場的創新與發展。

在HBM3E技術的研發道路上，三星無疑展現出了令人矚目的能力。其最新推出的HBM3E 12H產品，不僅支持全天候最高帶寬達1280GB/s，而且產品容量高達36GB，相較于之前的8層堆疊HBM3 8H，帶寬和容量均實現了大幅提升，增幅超過50%。

這一技術突破的背后，是三星對先進技術的深度應用。它采用了熱壓非導電薄膜（TC NCF）技術，使得12層堆疊產品與8層堆疊產品的高度保持一致，滿足了當前HBM封裝的要求。同時，HBM3E 12H的垂直密度相比HBM3 8H提高了20%以上，再次證明了三星在內存技術領域的卓越成就。

此外，三星還通過優化芯片之間的凸塊（bump）尺寸，有效提升了HBM的熱性能，進一步增強了產品的穩定性和可靠性。

業界預測，搭載HBM3E 12H的人工智能應用在訓練速度上將實現顯著的提升，相比使用HBM3 8H的應用，速度將提升34%。同時，推理服務用戶數量也將實現跨越式增長，超過11.5倍。這一性能提升將使得人工智能應用在處理大規模數據和復雜任務時更加得心應手，為用戶帶來更加流暢和高效的體驗。

目前，三星已經開始向客戶提供HBM3E 12H的樣品，并計劃在今年下半年啟動大規模量產。這一戰略舉措將進一步鞏固三星在HBM市場的領導地位，為其在全球半導體市場的競爭中注入新的活力。

審核編輯：黃飛