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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3037個 瀏覽：253587次 帖子：482個

      igbt技術

      是什么原因造成IGBT擊穿短路？

      IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）擊穿短路的原因是一個復雜且多元的問題，涉及多個因素相互作用。以下是對IGBT擊穿短路原因的詳細分析，旨在達到1000字的要求。

      2024-02-06 標簽：IGBT晶體管電源電壓 8575 0

      IGBT短路時電流為什么那么大？

      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應用于電力電子領域的半導體器件，因其高效率和快速開關特性而受到青睞。

      2024-02-06 標簽：半導體IGBT晶體管 1777 0

      igbt屬于什么器件　igbt模塊的作用和功能

      　IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導體功率器件。它結合了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和雙極型晶體管的特性。

      2024-02-06 標簽：二極管MOSFETIGBT 9530 0

      IGBT的動態特性及開通過程

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      導通時，當柵極電壓高于閾值電壓，電流開始通過IGBT。飽和電壓下降速度表示在IC（集電極電流）上升到特定值時，VCE（集電極-發射極電壓）下降的速度。

      2024-02-06 標簽：IGBT晶體管集電極 3558 0

      IGBT的結構和工作原理 igbt和mos管的區別

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      絕緣層位于IGBT的N區表面，通常使用氧化硅（SiO2）等絕緣材料，用于隔離控制電極（柵極）與功率電極（P區和N+區）。

      2024-02-06 標簽：二極管MOSFETMOS管 2657 0

      IGBT負載短路下的幾種后果

      由于短路會導致負載電阻降低或短路，使得電流突然增大。IGBT作為開關管，其額定電流通常有限，該突然增大的電流可能會超過IGBT管的額定電流，導致IGBT...

      2024-02-06 標簽：驅動器IGBT電解電容 2785 0

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      2024-02-03 標簽：濾波電容變頻器IGBT 2563 0

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      IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種雙極性器件，結合了MOSFET和普通晶體管的優勢，既具有IGFET（...

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