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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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SKiN技術(shù)由2011年開始使用,包括將芯片燒結(jié)到DCB基板,將芯片的頂部側(cè)燒結(jié)到柔性電路板,以及將基板燒結(jié)到針翅片散熱器。該技術(shù)減小了模塊的體積和重量...
始于19世紀(jì)初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料,其中較為矚目的莫過于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
2023-11-03 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源整流器 1427 0
柵極驅(qū)動(dòng)DCDC電源模塊在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的應(yīng)用
在現(xiàn)代電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,高效能與高安全性是設(shè)計(jì)的核心目標(biāo)。而功率半導(dǎo)體器 (如 IGBT、MOSFET、SiC 和 GaN器件) 的性能直接決定系統(tǒng)的效率...
2025-01-09 標(biāo)簽:電機(jī)IGBT驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 1422 0
N+緩沖層結(jié)構(gòu)對MCT瞬態(tài)特性(TLP)的影響
隨著功率MOSFET和IGBT的出現(xiàn),雙極型晶體管的發(fā)展受到一定影響。但在更高電壓、更大電流的應(yīng)用中,隨著外延層(或單晶)厚度、電阻率的的增加,MOSF...
詳解IGBT并聯(lián)的技術(shù)要點(diǎn)(1)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載,并聯(lián)器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流...
氣候變化、人口結(jié)構(gòu)變化和城市化等大趨勢正在改變世界。這些推動(dòng)了能源效率、綠色能源和電氣化等行業(yè)趨勢,這些關(guān)鍵主題提出了新的要求和挑戰(zhàn)。工程師的目標(biāo)是在下...
今天給兄弟們分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì),如何避免常見問題和故障模式》,依然是我覺得比較好的。
如何進(jìn)行正確的IPM短路保護(hù)設(shè)計(jì)
在家用電器等應(yīng)用中常使用單電阻采樣電路,并通常使用RC低通濾波器消除采樣電阻上的高頻噪聲。下圖是采用單電阻采樣的典型電路。
2023-06-13 標(biāo)簽:保護(hù)電路功率開關(guān)IGBT 1410 0
IGBT頭部公司紛紛擴(kuò)產(chǎn) 中國有哪些優(yōu)秀的IGBT廠商
隨著新能源的爆火,IGBT缺貨成了近年來的“家常便飯”。根據(jù)富昌電子的數(shù)據(jù),目前英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體等IGBT國際大廠的訂單整體處于相對飽滿的狀態(tài)...
通過驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗-傳統(tǒng)的MOSFET驅(qū)動(dòng)方法
MOSFET和IGBT等電源開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關(guān)器件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗,但不同的應(yīng)用其降低損耗的...
2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1409 0
本文解決了這些問題,并通過并行比較,證明了碳化硅(SiC)是迄今為止在高功率應(yīng)用中優(yōu)于硅基器件的選擇。該演示使用 UPS 和充電器系統(tǒng)的一個(gè)重要部分,即...
變壓器結(jié)電容相對于電壓變化率過大,導(dǎo)致的耦合電流干擾問題。這個(gè)問題導(dǎo)致的后果是,輸出邏輯錯(cuò)誤,控制電路被干擾,電路失效等。
2023-12-22 標(biāo)簽:變壓器智能電網(wǎng)IGBT 1401 0
奧迪電機(jī)驅(qū)動(dòng)器(MCU)系統(tǒng)框圖、芯片、功能拆解
E-tron的逆變器的電壓覆蓋范圍為150V-460V,10 秒持續(xù)的最大電流為 530A,持續(xù)電流最大為 260A,功率密度為30kVA/L,和特斯拉...
SiC模塊開啟電機(jī)驅(qū)動(dòng)器更高功率密度
牽引驅(qū)動(dòng)器是電動(dòng)汽車(EV)幾乎所有能量的消耗源。因此,驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)必須盡可能提高效率,同時(shí)以最低重量占用最小空間 — 這些均旨在盡可能提高電動(dòng)汽車的續(xù)航能力。
2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器IGBT 1399 0
Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素
Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要素
為什么使用 S 參數(shù)進(jìn)行功率模塊優(yōu)化更有優(yōu)勢?
? 功率模塊是一種采用絕緣柵雙極性晶體管 (IGBT) 或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管作為開關(guān)元件的高功率開關(guān)電路,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、可再生能源、光伏...
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