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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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igbt資訊

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2025-06-20 標簽:電機驅(qū)動IGBT 57 0

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在當今工業(yè)自動化和電力電子領(lǐng)域,高效、可靠的功率半導(dǎo)體器件是各類設(shè)備穩(wěn)定運行的核心。揚杰電子推出的MG35P12E1A IGBT模塊,正是為滿足這一需求...

2025-06-18 標簽:IGBT功率半導(dǎo)體 126 0

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三菱電機集團近日宣布與GE Vernova公司(美國馬薩諸塞州劍橋)簽署諒解備忘錄,強化雙方在高壓直流(HVDC)輸電系統(tǒng)用功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作。該協(xié)議...

2025-06-13 標簽:IGBT三菱電機功率半導(dǎo)體 226 0

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微型逆變器作為光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心組件,其性能與功率器件的選型密切相關(guān)。捷捷微電針對不同功率需求,提供了基于MOSFET和IGBT的多樣化解決方案。本文結(jié)...

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