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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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便攜式設(shè)備的開關(guān)機電源電路設(shè)計
便攜式設(shè)備最大的特點是攜帶方便、可以在任何時間、任何場合進行使用,可以脫離電源線供電,使用電池,且大多產(chǎn)品支持電池的自行更換,這個電量問題經(jīng)常也是用戶...
2023-04-24 標簽:原理圖電路設(shè)計便攜式設(shè)備 3335 0
引言:由于電源效率變得越來越重要,會使用更高的開關(guān)速度來降低損耗(開關(guān)損耗的評估傳送門:DC-DC-22:如何選擇DC-DC的開關(guān)頻率-2),現(xiàn)常見的開...
一、對于一個部件,比如射頻功放,供電是直流48V,其他的接口都是信號的輸入/輸出/控制等,像這類的部件需要單獨進行EMC要求嗎,如果要測試EMC,一般測...
開關(guān)電源的設(shè)計是一份非常耗時費力的苦差事,需要不斷地修正多個設(shè)計變量,直到性能達到設(shè)計目標為止。 本文step-by-step介紹反激變換器的設(shè)計步驟,...
2023-03-07 標簽:變壓器開關(guān)電源MOS 3216 0
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fi...
適用于LLC變壓器,其特征在于,包括:第一MOS開關(guān)管、第二MOS開關(guān)管、第一電容、電感和至少兩個變壓器;所述變壓器的原邊串聯(lián)、副邊并聯(lián);所述第一MOS...
AIN/AIGaN/GaN MIS異質(zhì)結(jié)構(gòu)C-V分析
C-V測試是研究絕緣柵HEMT器件性能的重要方法,采用Keithley 4200半導體表征系統(tǒng)的CVU模塊測量了肖特基柵和絕緣柵異質(zhì)結(jié)構(gòu)的C-V特性。
MOSFET規(guī)格書中單脈沖雪崩能量EAS如何理解?電路設(shè)計咋用它計算MOS會損壞嗎?
單脈沖雪崩能量簡稱是EAS,這一參數(shù)是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量極限的參數(shù),我們一般在電路設(shè)計中拿這個參數(shù)來評估MOSFET 的瞬態(tài)過壓耐...
MOS,即場效應管,四端器件,S、D、G、B四個端口可以實現(xiàn)開和關(guān)的邏輯狀態(tài),進而實現(xiàn)基本的邏輯門。NMOS和PMOS具有明顯的對偶特性:NMOS高電平...
伴隨著CPU, GPU等的性能進步和制程發(fā)展,主板的供電設(shè)計也迎來了更多的挑戰(zhàn),大電流、高效率、空間占用小、動態(tài)響應快、保護更智能的需求使得傳統(tǒng)的采用分...
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