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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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數(shù)字電路基礎(chǔ)知識(shí)之MOS管特性
mos管是金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者是金屬-絕緣體(insulator)、半導(dǎo)體...
分析MOSFETs 中電荷的產(chǎn)生和傳輸建立它們與各端電壓之間的函數(shù)關(guān)系。推導(dǎo)出I/V特性方程。這樣就能夠?qū)⒊橄蠹?jí)別從器件物理級(jí)提升到電路級(jí)。
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目前市場(chǎng)上很多芯片不具備輸入過壓保護(hù)功能,個(gè)別芯片的輸入過壓保護(hù)需要外接一串電阻來實(shí)現(xiàn),我們的芯片將輸入過壓保護(hù)功能集成到內(nèi)部,簡(jiǎn)化了外圍電路配置,降低成本。
今天給大家講一下關(guān)于MOS管燒毀的原因,文字比較多點(diǎn),不容易讀,希望大家可以認(rèn)真看完。 MOS 管可能會(huì)遭受與其他功率器件相同的故障,例如過電壓(半導(dǎo)體...
MOS在控制器電路中的工作狀態(tài):開通過程(由截止到導(dǎo)通的過渡過程)、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程(由導(dǎo)通到截止的過渡過程)、截止?fàn)顟B(tài)。
MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)你會(huì)看了嗎?
三、熱阻Thermalresistance熱阻描述了物質(zhì)的熱傳導(dǎo)特性,該參數(shù)直接影響器件的散熱效率和穩(wěn)定性。熱阻越小,意味著器件的散熱能力越強(qiáng)。針對(duì)這份...
2024-05-10 標(biāo)簽:MOSFETMOS數(shù)據(jù)手冊(cè) 2381 0
上篇文章聊了MOS管-傳輸特性曲線的細(xì)微之處,希望同學(xué)們能精準(zhǔn)識(shí)別三種特性曲線的區(qū)別,而不是死記硬背。研究MOS管,一定繞不開一個(gè)重要現(xiàn)象——Mille...
檢查和修理集成電路前首先要熟悉所用集成電路的功能、內(nèi)部電路、主要電氣參數(shù)、各引腳的作用以及引腳的正常電壓、波形與外圍元件組成電路的工作原理。如果具備以上...
相信很多工程師在使用電子測(cè)量?jī)x器的時(shí)候大家都了解MOS管,下面一起看看MOS管究竟是什么?
MOS檢測(cè)電路原理圖 自制一個(gè)簡(jiǎn)易的MOS檢測(cè)電路
很多小伙伴都說MOS不好檢測(cè)。下面我?guī)Т蠹襾碜鲆粋€(gè)簡(jiǎn)單的MOS檢測(cè)電路。使用的材料很簡(jiǎn)單。一個(gè)管腳插座。一個(gè)100歐電阻。一個(gè)USB輸入插頭。一塊敷銅板...
MOS開關(guān)電路是一種常見的電子電路,用于控制電源的通斷或傳輸信號(hào)。它的連接方式取決于具體的應(yīng)用需求和電路設(shè)計(jì)。下面將詳細(xì)介紹MOS開關(guān)電路的連接方式。 ...
2023-12-19 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOS電子電路 2328 0
MOS晶體管結(jié)構(gòu)與CMOS單元電路與版圖闡述
作者 IC_learner 在此特別鳴謝; 今天我就來聊聊基本的器件:CMOS器件及其電路。在后面會(huì)聊聊鎖存器和觸發(fā)器。 今天的主要內(nèi)容如下所示: ·M...
基于邏輯門的構(gòu)成解釋如何完成任意邏輯的管級(jí)電路設(shè)計(jì)
明白上述原因后,就可以理解輸出的高電平由上管決定,低電平由下管決定。為了保證在某一時(shí)刻,輸出只能為高電平或低電平,需要結(jié)合上下管,即當(dāng)上管導(dǎo)通時(shí),下管必...
2022-12-13 標(biāo)簽:電流電路設(shè)計(jì)邏輯門 2298 0
電機(jī)控制器中的MOS驅(qū)動(dòng),你懂了嗎?
通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V3.3V,IO的電流輸出能力在20MA以下,不足以直接驅(qū)動(dòng)功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)...
輸出端相當(dāng)于三極管的集電極。 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行。適合于做電流型的驅(qū)動(dòng),其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)(一般20ma以內(nèi))。
NMOS我們通常都能看到比較好的Snap-back特性,但是實(shí)際上PMOS很難有snap-back特性,而且PMOS耐ESD的特性普遍比NMOS好,這個(gè)...
2023-10-26 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻IC設(shè)計(jì)靜電放電 2208 0
場(chǎng)效應(yīng)管的分類 基本共源放大電路的組成及工作原理
場(chǎng)效應(yīng)管的分類 基本共源放大電路的組成及工作原理
2023-02-20 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管MOS 2199 0
NMOS場(chǎng)效應(yīng)管/PMOS場(chǎng)效應(yīng)管防反保護(hù)解析
NMOS場(chǎng)效應(yīng)管通過D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間,電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置,VR1用于限制VGS間電壓,防止被擊穿。正接時(shí)候,R1、R...
2023-04-19 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管NMOS控制電路 2178 0
通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V3.3V,IO的電流輸出能力在20MA以下,不足以直接驅(qū)動(dòng)功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)...
2022-07-27 標(biāo)簽:控制器電機(jī)驅(qū)動(dòng)MOS 2171 0
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