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MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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mos技術(shù)

開關(guān)電源的整流橋并聯(lián),浮地驅(qū)動等十條基本電路原理圖分析

在小功率設計中，一般很少用到整流橋的并聯(lián)，但在某些大功率輸出的情況下，不想增添新的器件單個整流橋電流又不滿足輸入功率要求，就需要用到整流橋的并聯(lián)了，整流...

2018-09-24 標簽：開關(guān)電源 MOS 驅(qū)動電路 2.6萬 0

做一個合格的Layout工程師，這些設計要點你都要知道

如今的電源市場，拼體積、拼價格、拼性能，如何做到這3點就需要一個經(jīng)驗豐富的Layout工程師。

2017-12-03 標簽：開關(guān)電源 layout mos 2.6萬 0

詳解逆變器電路的工作原理

逆變器，別稱為變流器、反流器，是一種可將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的器件，由逆變橋、邏輯控制、濾波電路三大部分組成，主要包括輸入接口、電壓啟動回路、MOS開關(guān)管...

2022-09-14 標簽：場效應管逆變器 MOS 2.4萬 0

詳解提升MOS管驅(qū)動電路抗干擾性能的方法

詳解MOS管驅(qū)動電路抗干擾能力的方法以及計算方式

2022-04-10 標簽：MOS 電磁干擾抗干擾 2.3萬 0

MOS的C-V曲線與襯底濃度以及GOX特性的關(guān)系

隨著半導體制程越來越復雜，我們最關(guān)鍵的參數(shù)Vt的控制越來越重要，有的時候我們的Vt如果單純是襯底濃度影響我們自然可以通過長溝和短溝以及NMOS和PMOS...

2022-07-03 標簽：電容 MOS 曲線 2.3萬 0

n溝道m(xù)os管和p溝道m(xù)os管詳解

場效應晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種利用電場效應來控制電流的半導體器件。根據(jù)導電溝道的類型，場效應晶體管可以分為...

2023-12-28 標簽：半導體 MOS N溝道 2.3萬 0

萬事開頭難，開關(guān)電源設計就應該這樣一步一步來

針對開關(guān)電源很多人覺得很難，其實不然。設計一款開關(guān)電源并不難，難就難在做精，等你真正入門了，積累一定的經(jīng)驗，再采用分立的結(jié)構(gòu)進行設計就簡單多了。萬事開頭...

2018-01-07 標簽：開關(guān)電源 pwm mos 2.2萬 0

全面認識MOS管，一篇文章就夠了

今天勢必要來一篇文章，徹底掌握mos管！

2023-06-13 標簽：場效應管 MOS管 FET 2.2萬 2

耗盡型MOS管的結(jié)構(gòu)及工作原理

在SiO2絕緣層中摻入大量正離子，那么即使Ugs=0,在正離子作用下，P襯底的表面會有電子匯聚，也會形成反型層，造成漏-源之間存在導電溝道。

2023-02-13 標簽：半導體 MOS管 MOS 2.1萬 0

三極管和MOS管的區(qū)別

制的區(qū)別：首選，要清楚的是：三極管是電流驅(qū)動的，較低的電壓就可以驅(qū)動三極管，但是三極管需要較大的控制電流; 而MOS管是電壓驅(qū)動的，驅(qū)動電壓較高，但是驅(qū)...

2023-02-21 標簽：三極管工藝 MOS管 2.1萬 0

有刷電機和無刷電機應該如何接線

電機，一個簡單的詞匯，在實際生活中卻具備廣泛應用。對于電機，我們應該都挺熟悉。往期文章中，小編對有刷電機、無刷電機之間的性能差異有所探討。為增進大家對有...

2021-02-08 標簽：控制器電機 MOS 2.0萬 0

EMC有哪些整改對策EMC常用整改對策

EMC 整改常用對策如下：CE1. 在頻率 9KHz-1MHz, 電源輸入端加 X 電容和電感 (共模、差模 ) 或更換電容和電感的參數(shù)；2. 在頻率...

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MOS管和IGBT管的定義與辨別

MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，...

2019-02-24 標簽：IGBT MOS 1.8萬 0

如何消除mos管的GS波形振蕩？

對于咱們電源工程師來講，我們很多時候都在波形，看輸入波形，MOS開關(guān)波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我們拿開關(guān)GS波形為例...

2018-08-30 標簽：MOS 振蕩 1.7萬 0

半導體制造之外延工藝詳解

外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講，外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導體制造，...

2023-02-13 標簽：集成電路工藝晶體管 1.6萬 0

LV HV P-Well BCD技術(shù)的芯片與制程剖面結(jié)構(gòu)的資料概述

LV/HV P-Well BCD技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)低壓 5 V 與高壓 100～700 V（或更高）兼容的 BCD 工藝。為了便于高低壓 MOS 器件兼容集成...

2018-07-09 標簽：MOS BCD LV 1.6萬 0

常用的MOS做電源開關(guān)的電路分享

隨著對器件的控制需求提升，越來越多的電源開關(guān)電路出現(xiàn)在設計中。這些設計的目的各有不同：有的需要快速開通與關(guān)斷，有的需要低導通電阻+大電流，有的需要閑時0...

2024-05-09 標簽：電容電源開關(guān)MOS 1.5萬 0

multisim怎么修改場效應管MOS的參數(shù)

Multisim是一種基于電路仿真的軟件，可以用于仿真和分析各種電路，包括場效應管MOS。要修改MOS的參數(shù)，首先需要了解MOS的基本原理和參數(shù)，然后使...

2024-01-04 標簽：場效應管 Multisim MOS 1.4萬 0

MOS晶體管漏電流的6個原因

漏電流會導致功耗，尤其是在較低閾值電壓下。了解MOS晶體管中可以找到的六種泄漏電流。在討論MOS晶體管時，短通道器件中基本上有六種類型的漏電流元件： ...

2023-05-03 標簽：晶體管 MOS 漏電流 1.3萬 0

MOS器件深度解析 MOS器件有哪些重要特性

對于速度飽和所引起的電流飽和情況，一般說來，當電場很強、載流子速度飽和之后，再進一步增大源-漏電壓，也不會使電流增大。因此，這時的飽和電流原則上是與源-...

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802.11ac與11基站測試（base station tests）在基站設備安裝完畢后，對基站設備電氣性能所進行的測量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動，802.11n怎么安裝。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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