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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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隨著對(duì)器件的控制需求提升,越來(lái)越多的電源開(kāi)關(guān)電路出現(xiàn)在設(shè)計(jì)中。這些設(shè)計(jì)的目的各有不同:有的需要快速開(kāi)通與關(guān)斷,有的需要低導(dǎo)通電阻+大電流,有的需要閑時(shí)0...
2024-05-09 標(biāo)簽:電容電源開(kāi)關(guān)MOS 1.3萬(wàn) 0
由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異,導(dǎo)致同價(jià)格的NMOS在開(kāi)通速度、額定電流、導(dǎo)通內(nèi)阻這些參數(shù)上均優(yōu)于PMOS,所以設(shè)計(jì)中盡量?jī)?yōu)先選擇NMOS。
2024-04-25 標(biāo)簽:電機(jī)控制導(dǎo)通電阻電源開(kāi)關(guān) 4876 0
當(dāng) 3.3V 器件輸出高電平信號(hào),由于上拉 5V 作用,信號(hào)輸入器件被上拉為 5V 電平。 當(dāng) 3.3V 器件輸出低電平信號(hào),使 OUTPUT 信...
MOS管的話題雖說(shuō)是老生常談,但這份資料幾年前就有人給我分享過(guò),這是網(wǎng)上評(píng)價(jià)非常高的一篇關(guān)于MOS管電路工作原理的講解,從管腳的識(shí)別,到極性的分辨,再到...
電子世界的開(kāi)關(guān)大師:MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,也就是我們熟知的MOSFET。它就像是高速信息公路上的交通警察,控制著電流的方向和大小,讓整個(gè)系統(tǒng)高效而穩(wěn)定地運(yùn)行。
電測(cè)在失效分析中的作用 重現(xiàn)失效現(xiàn)象,確定失效模式,縮小故障隔離區(qū),確定失效定位的激勵(lì)條件,為進(jìn)行信號(hào)尋跡法失效定位創(chuàng)造條件
基于JEDEC柵電荷測(cè)試方法測(cè)量MOSFET的柵電荷
在柵極電荷方法中,將固定測(cè)試電流(Ig)引入MOS晶體管的柵極,并且測(cè)量的柵極源電壓(Vgs)與流入柵極的電荷相對(duì)應(yīng)。對(duì)漏極端子施加一個(gè)固定的電壓偏置。
SDA和SCL都是雙向線路,都通過(guò)一個(gè)電流源或上拉電阻連接到正的電源電壓。當(dāng)總線空閑時(shí),這兩條線路都是高電平,連接到總線的器件輸出級(jí)必須是漏極開(kāi)路或集電...
2024-04-10 標(biāo)簽:芯片振蕩器場(chǎng)效應(yīng)管 519 0
ACM5807是一款同步升壓控制器,同步升壓效率高,對(duì)于大功率應(yīng)用非常重要。升壓范圍在5-36V,更寬的電壓符合大部分應(yīng)用。
2024-03-29 標(biāo)簽:電壓MOS電源系統(tǒng) 1764 0
深度解析MOS場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)用實(shí)例
MOSFET的輸入電阻很高,高達(dá)109Ω以上,從導(dǎo)電溝道來(lái)分,可以分為N溝道和P溝道兩種,無(wú)論是N溝道還是P溝道,又可以分為增強(qiáng)型和耗盡型。
當(dāng) SDA2 輸出低電平時(shí):MOS 管不導(dǎo)通,但是它有體二極管,MOS 管里的體二極管把 SDA1 拉低到低電平,此時(shí) Vgs 約等于 3.3V,MOS...
LLC天王大功率設(shè)計(jì)的12個(gè)工作狀態(tài)解析
諧振LLC技術(shù),ZVS和ZCS使得提高了效率,正玄波形式,可以提高開(kāi)關(guān)頻率,使得MOS少,變壓器小,可磁集成,所以功率密度提升;另外高Q值的旋波電流,使...
一個(gè)簡(jiǎn)單的MOS驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
看了一眼這個(gè)電路,我感覺(jué)有問(wèn)題,MOS管應(yīng)該不會(huì)導(dǎo)通,就跟同事講了,同事說(shuō)這個(gè)電路是之前用過(guò)的,認(rèn)為沒(méi)有問(wèn)題,于是就上電了。
Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結(jié)MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時(shí),漂移層會(huì)變厚,導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增加的問(wèn)題。
半導(dǎo)體器件在使用過(guò)程中最常見(jiàn)的失效模式之一,就是靜電放電和電浪涌引起對(duì)器件造成的損傷。其破壞性是嚴(yán)重的,已成了影響元器件可靠性最大的隱患,因而其實(shí)際的防...
當(dāng)帶電離子、電子或射線通過(guò)MOS結(jié)構(gòu)的硅和二氧化硅絕緣層時(shí),引起原子電離而產(chǎn)生電子—空穴對(duì),在外加電場(chǎng)條件下,電子在1ps(1×10-12s)時(shí)間內(nèi)被電...
2024-02-27 標(biāo)簽:元器件電子系統(tǒng)MOS 4217 0
同步整流降壓轉(zhuǎn)換器是一種高效率的DC-DC轉(zhuǎn)換器,它利用低導(dǎo)通電阻的功率MOSFET代替?zhèn)鹘y(tǒng)的二極管作為整流元件,以減少整流過(guò)程中的能量損耗。盡管同步整...
2024-02-26 標(biāo)簽:MOS降壓轉(zhuǎn)換器同步整流 1064 0
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