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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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思睿達(dá)TT6267SK測試報告 良好EMI特性 低功耗 方便散熱
1、樣機(jī)介紹 該測試報告是基于一個能適用于寬輸入電壓范圍,輸出功率18W,恒壓輸出的工程樣機(jī),控制IC采用了本公司的TT6267SK。 TT6267SK...
MOS管的種類、結(jié)構(gòu)及導(dǎo)通特性
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...
什么是智能音響?智能音響內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)詳解
隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的升級與發(fā)展,讓很多物體都有了“感知”和“生命”。例如智能音響,能在一天的勞累工作之后讓雙手得到釋放。不僅如此,它還可以實(shí)現(xiàn)語音點(diǎn)歌、網(wǎng)上...
歡迎來到電源設(shè)計小秘笈! 隨著現(xiàn)在對更高效、 更低成本電源解決方案需求的強(qiáng)調(diào),本文就各種電源管理課題提出一些對您有幫助的小技巧。無論您是從事電源業(yè)務(wù)多年...
2014-09-23 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源 6469 0
雙向電平轉(zhuǎn)換工作原理 自動雙向電平轉(zhuǎn)換芯片介紹
如今整個電路系統(tǒng),性能要求越來越高,功耗要求越來越低,其設(shè)計也越來越復(fù)雜,在目前復(fù)雜系統(tǒng)設(shè)計中會存在各個元器件之間的工作電壓不一致的情況;
2023-12-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動器場效應(yīng)管 6465 0
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是一種金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。...
2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 6463 0
如何在反激式轉(zhuǎn)換器啟動過程中有效消除MOSFET的過應(yīng)力
本應(yīng)用筆記主要從三個方面探討“如何在反激式轉(zhuǎn)換器啟動過程中有效消除 MOSFET 的過應(yīng)力”:第一,具有立锜專有嵌入式軟啟動功能的反激式控制器設(shè)計;其次...
2022-04-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET反激式控制器 6454 0
SSR 或固態(tài)繼電器是高功率電氣開關(guān),無需機(jī)械觸點(diǎn)即可工作,而是使用 MOSFET 等固態(tài)半導(dǎo)體來切換電氣負(fù)載。
2023-06-03 標(biāo)簽:MOSFET固態(tài)繼電器SSR 6423 0
意法半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET技術(shù),不但每單位面積的導(dǎo)通電阻非常之低,切換效能絕佳,而且跟傳統(tǒng)的硅基續(xù)流二極體(FWD)相比,內(nèi)接二極體關(guān)閉時的反向恢復(fù)...
首先我們先了解什么是MOSFET?全稱是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Tra...
2023-04-25 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 6380 0
SiC MOSFET驅(qū)動電壓尖峰的抑制方法簡析(下)
高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一,這能讓系統(tǒng)效率顯著提升,但也會在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩,從而在驅(qū)動電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。
?了解如何創(chuàng)建一個設(shè)計,及運(yùn)行Vout變換仿真
對于服務(wù)器、以太網(wǎng)交換機(jī)、基站、以及等云端基礎(chǔ)設(shè)施終端設(shè)備內(nèi)電源的功率密度的要求越來越高。為了應(yīng)對這一要求,將集成MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶...
理想二極管的應(yīng)用實(shí)例及主要規(guī)格
本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進(jìn)的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統(tǒng)保護(hù)的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器...
SiC MOSFET的實(shí)時結(jié)溫監(jiān)控電路測量方案
本文介紹了一種新穎的測量電路,以測量用于測量SiC MOSFET的實(shí)時或?qū)嶋H結(jié)溫??梢钥闯?,出于訂購和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的,不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。
2021-04-23 標(biāo)簽:MOSFET監(jiān)控電路SiC 6331 0
在我為這個系列所撰寫與熱點(diǎn)問答有關(guān)的上一篇博文中,我曾經(jīng)解釋了什么是電氣過應(yīng)力 (EOS),它是如何影響集成電路 (IC) 組件的,以及電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)(根...
碳化硅(SiC)由于其固有的寬帶隙和高導(dǎo)熱性的材料特性而被廣泛用于中高壓電力半導(dǎo)體器件的制造中。如今,肖特基二極管,MOSFET和JFET是市場上最受歡...
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列第二篇,主要介紹電性能相關(guān)的參數(shù)。 這部分的參數(shù)是我們經(jīng)常提到并且用到的,相關(guān)的參數(shù)如下表所示。
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