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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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橋式整流器(BRIDGE RECTIFIERS)是電力電子領(lǐng)域中一種重要的整流設(shè)備,其主要功能是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。橋式整流器以其高效、穩(wěn)定、結(jié)構(gòu)簡單...
MOSFET的操作可以分為兩種基本模式:線性模式和開關(guān)模式。在線性模式下,晶體管的柵源電壓足以使電流通過通道,但通道電阻相對較高。通道上的電壓和通過通道...
2024-06-13 標(biāo)簽:MOSFET晶體管開關(guān)損耗 2274 0
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體,相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體,他們都具有許多非常優(yōu)異的特性:耐壓高,導(dǎo)通...
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,簡稱MOSFET)是現(xiàn)...
引言:高性能的單(多)輸出同步升壓轉(zhuǎn)換器控制器,驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N通道功率MOSFET,同步整流提高效率,減少功率損耗,減輕散熱需求,簡化了高功率的應(yīng)用。
2023-10-18 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET控制器 2272 0
代對于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開關(guān)管呢?
對于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開關(guān)管呢?
半導(dǎo)體邏輯器件工藝流程 LTPS工藝對器件參數(shù)的影響
當(dāng)n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體接觸時(shí),電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴(kuò)散,稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。當(dāng)電子進(jìn)入p型區(qū)域,空穴進(jìn)入n型區(qū)域后,即與對方多子復(fù)合,留下了固定...
電流檢測電阻與開關(guān)穩(wěn)壓器架構(gòu)的放置決定了要檢測的電流。檢測的電流包括峰值電感電流、谷值電感電流(連續(xù)導(dǎo)通模式下電感電流的最小值)和平均輸出電流。檢測電阻...
如何用單NMOS設(shè)計(jì)分立式負(fù)載開關(guān)?
需要通過負(fù)載開關(guān)將電路或子系統(tǒng)與電源斷開有幾個(gè)原因,一個(gè)非常簡單和常見的原因是,它有助于節(jié)省電力。
2023-06-07 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)GPIO 2263 0
MOS場效應(yīng)晶體管(簡稱MOS管)是一種新型的半導(dǎo)體器件,圖1是N溝導(dǎo)MOS管芯結(jié)構(gòu)原理圖,即在P型硅基片上有兩個(gè) N+擴(kuò)散區(qū),其中一個(gè)稱源,用S表示,...
一文詳細(xì)告訴你如何避免MOSFET常見問題和失效模式
今天給大家分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì),如何避免常見問題和故障模式》。
啟動(dòng)期間的點(diǎn)火起動(dòng)和停機(jī)期間的負(fù)載突降是汽車電源線上電壓瞬變的常見來源。這些欠壓(UV)和過壓(OV)瞬變可能具有很大的幅度,并且會(huì)損壞未設(shè)計(jì)用于在這些...
IXYS功率MOSFET數(shù)據(jù)表中使用的參數(shù)定義
本應(yīng)用筆記介紹了IXYS功率MOSFET數(shù)據(jù)表中使用的參數(shù)定義。本文檔介紹了基本額定值和特性,例如溫度,能量,機(jī)械數(shù)據(jù)以及電流和電壓額定值。它還簡要介紹...
LED照明電路(臨界模式PFC+DC/DC):利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例
從本文開始將介紹在具體應(yīng)用中效率等的改善案例。LED照明電路(臨界模式PFC+DC/DC):利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例,下面的電路摘自實(shí)際...
2023-02-10 標(biāo)簽:led轉(zhuǎn)換器MOSFET 2253 0
有關(guān)電子電路的知識(shí),一例功率變換電路,介紹了MOS管的工作原理,常見MOS管的工作原理圖,并介紹了推挽式功率變換電路和有驅(qū)動(dòng)變壓器的功率變換電路,下面與...
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 是一種場效應(yīng)晶體管 (FET) 電子器件。它可以充當(dāng)壓控電流源,并主要用作開關(guān)或用于放大電信號。MOSF...
從底層重新認(rèn)識(shí)D觸發(fā)器、建立時(shí)間和保持時(shí)間
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)或 IGFET(絕緣柵場效應(yīng)晶體管)是一種場效應(yīng)晶體管,它在柵極和主體之間利用絕緣體(如 SiO2)。如今,...
2023-12-04 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管D觸發(fā)器 2246 0
龍騰半導(dǎo)體MOSFET和IGBT在戶用光伏儲(chǔ)能上的應(yīng)用
戶用儲(chǔ)能,也被稱為家庭儲(chǔ)能,是一種將分布式光伏與家庭儲(chǔ)能相結(jié)合的能源系統(tǒng)。該系統(tǒng)利用太陽能發(fā)電設(shè)備為家庭提供電力,并將多余的電能儲(chǔ)存起來,供給電網(wǎng)或供家庭使用。
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