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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC...
討論了汽車應(yīng)用基本電源中電源路徑的典型框圖。本文介紹如何將有源限壓器集成到該基本電源設(shè)計(jì)中。描述了集成限壓器的好處。Maxim的幾個(gè)有源限壓器就是這種設(shè)...
驅(qū)動(dòng)芯片的desat保護(hù)時(shí)間是如何計(jì)算的?
SiC MOSFET短路時(shí)間相比IGBT短很多,Easy模塊保證2us的短路時(shí)間,因此要求驅(qū)動(dòng)電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天,我們來具體看一下這個(gè)短而...
2023-01-21 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路SiC 2236 0
柵極驅(qū)動(dòng)器以及SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)
碳化硅(SiC)MOSFET 的使用促使了多個(gè)應(yīng)用的高效率電力輸送,比如電動(dòng)車快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。
淺析正負(fù)端5V2.4A同步整流ic U7711特點(diǎn)
近期ChatGPT持續(xù)更新?lián)Q代,其背后也帶動(dòng)算力需求提升,從而帶動(dòng)AI服務(wù)器需求量上漲,而AI服務(wù)器核心依托高性能芯片,因此芯片板塊近期連續(xù)6個(gè)工作日收漲。
MOSFET的失效機(jī)理:什么是SOA(Safety Operation Area)失效
MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫,意為“安全工作區(qū)”。?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSF...
碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 2233 0
三相MOSFET(三個(gè)半橋)門驅(qū)芯片-PT5671概述
PT5671 是為控制N溝道MOSFETs而設(shè)計(jì)的三相Gate驅(qū)動(dòng)IC。芯片內(nèi)部有3個(gè)半橋,共驅(qū)動(dòng)6個(gè)N溝道功率MOSFETs,每一路輸出均由單一邏輯輸...
HFAN-03.1.1: 數(shù)字可編程低噪聲雪崩光電探測(cè)器(APD)偏置電路
描述了一種電路來偏置光纖接收器中使用的雪崩光電二極管。具有倍壓器輸出的簡(jiǎn)單升壓轉(zhuǎn)換器采用 25V 電源提供 71V 至 5V 的數(shù)字編程輸出電壓。陶瓷濾...
BLDC驅(qū)動(dòng)必修課:為何現(xiàn)代MOSFET驅(qū)動(dòng)IC偏愛“上高下高”邏輯???
在無刷直流(BLDC)電機(jī)的控制系統(tǒng)中,6路PWM信號(hào)精準(zhǔn)控制上下橋MOSFET的開關(guān)是核心。你是否注意到,驅(qū)動(dòng)IC對(duì)PWM高低電平有效性的配置,經(jīng)歷了...
2025-06-13 標(biāo)簽:MOSFETIC驅(qū)動(dòng) 2228 0
相比于傳統(tǒng)的電磁式繼電器,下圖尺寸作為參考,實(shí)際應(yīng)用中與工作電壓電流等導(dǎo)致其尺寸大小會(huì)有所區(qū)別。
2023-04-06 標(biāo)簽:MOSFET可控硅固態(tài)繼電器 2225 0
節(jié)能是較低電源電壓和便攜式電子系統(tǒng)的共同點(diǎn)。電池供電和便攜式電子產(chǎn)品的首要需求——節(jié)省功耗——也是從5V轉(zhuǎn)向3.3V(或更低)電源軌的主要優(yōu)勢(shì)。即便如此...
IGBT工作原理與MOSFET的關(guān)聯(lián)
IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高...
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源...
2023-05-17 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源電路 2209 0
動(dòng)態(tài)測(cè)試確認(rèn)SiC開關(guān)頻率的準(zhǔn)確性
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)等寬帶隙材料由于其電氣特性已被證明優(yōu)于硅,因此在電力電子應(yīng)用中占據(jù)領(lǐng)先地位。盡管被廣泛接受,專家們?nèi)圆粩鄼z查其真實(shí)性。
2022-08-08 標(biāo)簽:MOSFETSiC動(dòng)態(tài)測(cè)試 2208 0
過壓保護(hù) (OVP) 器件可保護(hù)下游電路免受拋負(fù)載事件或瞬變期間發(fā)生的過壓情況的影響。有時(shí),OVP器件的基本應(yīng)用電路不足以滿足特定應(yīng)用;以下是兩種常見的...
TMC6140 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器概述、性能及優(yōu)勢(shì)
高度集成的TMC6140-LA有效簡(jiǎn)化高性能BLDC/PMSM驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì),效率提升30%。
2022-03-04 標(biāo)簽:微控制器MOSFET驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 2203 0
DC-DC變換器,即直流-直流變換器,是一種在直流電路中將一個(gè)電壓值的電能轉(zhuǎn)換為另一個(gè)電壓值的電能的裝置。它廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,特別是在需要不同電...
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