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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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多級圖騰柱 PFC 為設(shè)計人員提供了優(yōu)于 2 級設(shè)計的市場吸引力優(yōu)勢,包括顯著更小的電感器、更低的 dv/dt 和更低的開關(guān)損耗。開關(guān)工作電壓的固有降低...
逆變器(Inverter)是一種電源轉(zhuǎn)換裝置,可以將直流電(DC)轉(zhuǎn)換為交流電(AC),或者將一種交流電轉(zhuǎn)換為另一種交流電。這種轉(zhuǎn)換是通過半導體開關(guān)設(shè)備...
指夾式血氧儀是用來監(jiān)測血氧飽和度的一種小型儀器,體積小、功耗低、使用方便、便于攜帶。測量時只需將手指插入指夾式光電傳感器中,即可測量血氧飽和度值和脈率。
在有刷電機中,磁極方向的跳轉(zhuǎn)是通過移動固定位置的接觸點來完成的,該接觸點在電機轉(zhuǎn)子上與電觸點相對連接。這種固定觸點通常由石墨制成,與銅或其他金屬相比,在...
常見NMOS和PMOS的原理與區(qū)別 MOS管應用電路設(shè)計
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor F...
第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
調(diào)節(jié)直流電機的PWM驅(qū)動控制電路設(shè)計
20KHz,30%占空比的脈沖驅(qū)動車燈,在這個頻率下,車燈的感抗體現(xiàn)出來,造成了電流信號邊沿的巨大尖峰過沖。
電源IC與MOS管選定后,選擇合適的驅(qū)動電路很關(guān)鍵
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOS...
兩個MOSFET串聯(lián)在半橋時,電流的限制很關(guān)鍵
當兩個MOSFET串聯(lián)在串聯(lián)(半橋)時,請注意電流的限制,而這些限制并不總是在每個MOSFET都提供.
2018-03-26 標簽:MOSFET 1.6萬 0
由于IGBT管工作在大電流 高電壓狀態(tài),工作頻率較高,發(fā)熱量大,因此其故障率較高,又由于其價格較高,故代換IGBT管時,應遵循以下原則:首先,盡量用原型...
由于此結(jié)構(gòu)畫出的電路圖有點兒像印第安人的圖騰柱,所以叫圖騰柱式輸出(也叫圖騰式輸出)。輸出極采用一個上電阻接一個NPN型晶體管的集電極,這個管子的發(fā)射極...
2023-06-08 標簽:MOSFET開關(guān)電源邏輯電路 1.5萬 0
深入探討有源鉗位吸收器電路及其數(shù)字實現(xiàn)方式
本文將深入探討有源鉗位吸收器電路及其數(shù)字實現(xiàn)方式,該吸 收器電路可以避免電壓偏移,特別是能消除MOSFET中寄生二極 管的反向恢復損耗,還具有多種其他優(yōu)...
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