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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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到底什么是雪崩失效呢,簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間,導(dǎo)致的一種失效模式...
逆變器電路圖分享 基于PWM IC TL494的逆變器電路設(shè)計
非常簡單但高度復(fù)雜的修正正弦波逆變器電路。PWM IC TL494 的使用不僅使設(shè)計的部件數(shù)量極其經(jīng)濟(jì),而且高效且準(zhǔn)確。
本文從MOSFET的工作原理入手,詳細(xì)介紹MOSFET的應(yīng)用以及其他注意事項,希望能夠提高大家對MOSFET的認(rèn)識。詳細(xì)介紹請看原文:MOSFET的原意...
2013-07-31 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管 1.5萬 2
場效應(yīng)管(MOSFET)檢測方法與經(jīng)驗
根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個電極。
2017-08-04 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管 1.5萬 0
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記:各家SiC廠商的MOSFET結(jié)構(gòu)
當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類,是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的,平面型和溝槽型。
IGBT器件介紹 IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡稱,其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應(yīng)晶...
用UC3842芯片做醫(yī)用開關(guān)電源設(shè)計方案
本文基于UC3842高性能電流模式脈沖寬度調(diào)制(PWM)發(fā)生器控制的開關(guān)電源,適合應(yīng)用于此類醫(yī)療系統(tǒng)。實(shí)驗通過光耦實(shí)現(xiàn)輸出和輸入的隔離,不僅提高了電源的...
反激開關(guān)MOSFET源極流出的電流精細(xì)剖析
大家都知道這個尖峰是開關(guān)MOS開通的時候出現(xiàn)的,根據(jù)反激回路,Ids電流環(huán)為Vbus經(jīng)變壓器原邊、然后經(jīng)過MOS再到Vbus形成回路。
功率MOSFET在開關(guān)過程中,在米勒平臺線性區(qū),由于VGS保持不變,相當(dāng)于使用恒流源進(jìn)行驅(qū)動,其它的時間段,使用恒壓源進(jìn)行驅(qū)動。VGS電壓變化時,和時...
最新關(guān)于全波橋式整流器的設(shè)計詳細(xì)解析
大多數(shù)電子元器件都需要一個來自AC電力線的輸入電源。對于電壓穩(wěn)壓器、開關(guān)模式電源和其它下游電子組件來說,一個全橋或半橋二極管整流器器件對正弦AC電壓波形...
MOSFET是一種利用場效應(yīng)的晶體管。MOSFET代表金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,它有一個柵極。為簡單起見,您可以將這個門想象成一個水龍頭,您逆時針旋...
2022-08-03 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOSFET晶體管 1.4萬 0
逆變器是一種將直流電能(電池、蓄電瓶)轉(zhuǎn)變成定頻定壓或調(diào)頻調(diào)壓交流電(一般為220V,50Hz正弦波)的轉(zhuǎn)換器。它由逆變橋、控制邏輯和濾波電路組成,廣泛...
雙脈沖是分析功率開關(guān)器件動態(tài)特性的基礎(chǔ)實(shí)驗方法,貫穿器件的研發(fā),應(yīng)用和驅(qū)動保護(hù)電路的設(shè)計。合理采用雙脈沖測試平臺,你可以在系統(tǒng)設(shè)計中從容的調(diào)試驅(qū)動電路,...
然而,在實(shí)際應(yīng)用中,工程師們都會遇到一個相同的困惑:器件的選型著實(shí)令人頭疼。對此,小編感同身受。今天,我們就一起來看看MOSFET和IGBT之間的有哪些...
2022-01-01 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半導(dǎo)體器件 1.4萬 0
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