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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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低劣品質碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機直接推向“早衰”
低質量碳化硅MOSFET對SiC碳化硅MOSFET逆變焊機新興品類的惡劣影響 低質量碳化硅MOSFET的濫用,可能將這一本應引領焊機產業升級的SiC碳化...
除了安森美CREE等還有哪些在美國境內流片的SiC碳化硅器件品牌
根據搜索結果,除了安森美(onsemi)、CREE(Wolfspeed)和Microchip之外,以下品牌在美國境內涉及碳化硅(SiC)器件流片或代工合...
2025-04-14 標簽:MOSFET 166 0
BMF240R12E2G3成為新一代工商業儲能變流器(PCS)首選的SiC MOSFET功率模塊
BMF240R12E2G3憑借 低損耗、高耐壓、強散熱、高集成度及完整生態支持 ,成為工商業儲能PCS的理想選擇。其通過優化動態特性與熱管理,顯著提升系...
SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊來顛覆電鍍電源和高頻電源行業
SiC MOSFET模塊(BMF80R12RA3和BMF160R12RA3)能夠替代傳統IGBT模塊并顛覆電鍍電源和高頻電源行業,主要原因在于: SiC...
功率 MOSFET 怎么選?4 大核心參數 + 5 類照明場景適配指南(內有實測數據)
在智能照明系統中,功率 MOSFET 作為驅動電路核心器件,其選型直接影響燈具的亮度一致性、能效及壽命。本文針對工程師在器件選型中的核心痛點,系統解析導...
終端用戶通過TDDB和HTGB反制劣幣碳化硅MOSFET供應商的做賊心虛
針對部分國產碳化硅MOSFET廠商的閉口不談的柵氧可靠性隱患,終端用戶可通過TDDB(時變介質擊穿) 和 HTGB(高溫柵極偏壓)實驗方法進行檢驗,反制...
國產SiC碳化硅MOSFET廠商絕口不提柵氧可靠性的根本原因是什么
部分國產SiC碳化硅MOSFET廠商避談柵氧可靠性以及TDDB(時間相關介電擊穿)和HTGB(高溫柵偏)報告作假的現象,反映了行業深層次的技術矛盾、市場...
車載充電機OBC中部分國產SiC MOSFET“爆雷”的本質原因
柵氧工藝和電性能指標的矛盾:部分國產SiC碳化硅MOSFET廠商為降低成本,追求電性能指標,加上工藝條件受限,導致柵氧均勻性差、缺陷密度高,批次間柵氧可...
近日,省工信廳公布了省級制造業單項冠軍培育庫入庫企業名單,憑借在功率半導體細分領域的卓越表現成功入選,這一榮譽標志著公司在技術創新、市場競爭力及行業引領...
碳化硅(SiC)MOSFET的柵氧可靠性成為電力電子客戶應用中的核心關切點
為什么現在越來越多的客戶一看到SiC碳化硅MOSFET功率器件供應商聊的第一個話題就是碳化硅MOSFET的柵氧可靠性,碳化硅(SiC)MOSFET的柵氧...
慕尼黑上海電子展(electronica China)是亞太地區最具影響力的電子行業展會之一,已成為電子元器件、系統解決方案及前沿技術的國際化展示平臺,...
近日, 2025(春季)亞洲充電展在深圳·前海國際會議中心盛大開幕。作為WPC(無線充電聯盟)官方許可的鑒權芯片服務商,紫光同芯攜多款無線充電芯片及解決...
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)比亞迪在最近的超級e平臺技術發布會上,推出了一系列的“王炸”技術,包括全域1000V高壓架構、10C兆瓦閃充平臺、3萬轉5...
新品 | EiceDRIVER? 6.5A 5.7 kVrms單通道柵極驅動器1ED314xMC12H
新品EiceDRIVER6.5A5.7kVRMS單通道柵極驅動器1ED314xMC12HEiceDRIVER緊湊型單通道隔離柵極驅動器,具有6.5A峰值...
Vishay推出第4.5代650V E系列高效能電源MOSFET
VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導體技術創新——第4.5代650VE系列電源MOSFET,型號為SiHK0...
從陳星弼院士無奈賣出超結MOSFET專利到碳化硅功率半導體中國龍崛起
中國功率半導體行業的發展歷程是一部從技術引進到自主創新、從受制于人到逐步突破的篳路藍縷奮斗史。從陳星弼院士的超結MOSFET專利到全國產碳化硅(SiC)...
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