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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET,助力低地球軌道應(yīng)用
英飛凌(Infineon)近日宣布,擴(kuò)大其輻射耐受功率MOSFET系列,新增P溝道功率MOSFET,以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應(yīng)用需求。這...
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的陣痛期預(yù)計(jì)持續(xù)到2028年
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)當(dāng)前正處于技術(shù)追趕、市場(chǎng)調(diào)整與產(chǎn)業(yè)鏈整合的關(guān)鍵階段,其亂象的陣痛期預(yù)計(jì)將持續(xù)3年左右,行業(yè)出清需到2028年前后完成。
微源半導(dǎo)體推出650V半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片LPD2106
LPD2106是一款高耐壓的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片,具有0.3A拉電流和1.0A灌電流能力,專用于驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFET或IGBT組成的半橋。LPD2106集...
2025-03-08 標(biāo)簽:MOSFET邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng) 584 0
國產(chǎn)碳化硅MOSFET解決LLC功率調(diào)整時(shí)的硬開關(guān)損耗痛點(diǎn)
LLC諧振轉(zhuǎn)換器的核心優(yōu)勢(shì)在于 軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)的高效率、寬輸入適應(yīng)性及高功率密度 ,其典型應(yīng)用涵蓋消費(fèi)電子、工業(yè)電源、新能源、醫(yī)療等高要求領(lǐng)域。與SiC M...
2025-03-07 標(biāo)簽:MOSFETLLC諧振轉(zhuǎn)換器 275 0
東芝TLP5814H 具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布,最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅(SiC)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“ TLP5814H ”,具備...
2025-03-06 標(biāo)簽:MOSFET光電耦合器柵極驅(qū)動(dòng) 1451 0
隨著市場(chǎng)對(duì)高性能功率半導(dǎo)體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長,新潔能(NCE)產(chǎn)品研發(fā)部門推出HO系列MOSFET產(chǎn)品,優(yōu)化了SOA工作區(qū)間,可滿...
2025-03-04 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體新潔能 498 0
120V/4A半橋MOSFET高頻高側(cè)及低側(cè)驅(qū)動(dòng)器為工業(yè)及汽車應(yīng)用方案新選擇
概述:(兼用UCC27301A-Q1? NGD4300) PC1209是一款半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器,具有峰值源極和漏極輸出電流能力為4A,能夠最小化開關(guān)...
2025-03-04 標(biāo)簽:二極管MOSFET驅(qū)動(dòng)器 281 0
SemiQ第三代SiC MOSFET:車充與工業(yè)應(yīng)用新突破
SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)突破性升級(jí),芯片面積縮小20%,開關(guān)損耗更低,能效表現(xiàn)更優(yōu)。...
見證功率半導(dǎo)體歷史:SiC碳化硅MOSFET價(jià)格首次低于IGBT!
進(jìn)入2025年以來,全行業(yè)出現(xiàn)SiC碳化硅MOSFET價(jià)格開始低于傳統(tǒng)IGBT的現(xiàn)象,比行業(yè)認(rèn)知提前十幾年見證功率半導(dǎo)體歷史拐點(diǎn):SiC碳化硅MOSFE...
2025-03-03 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 648 0
國產(chǎn)碳化硅MOSFET全面開啟對(duì)超結(jié)MOSFET的替代浪潮
碳化硅(SiC)MOSFET全面取代超結(jié)(SJ)MOSFET的趨勢(shì)分析及2025年對(duì)電源行業(yè)的影響 一、SiC MOSFET取代SJ MOSFET的必然...
安意法合資工廠通線啟示:國產(chǎn)自主品牌碳化硅功率半導(dǎo)體的自強(qiáng)之路
近日,三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓工廠正式通線,預(yù)計(jì)2025年四季度批量生產(chǎn),形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚效應(yīng),結(jié)合過去...
2025-03-01 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 475 0
超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析
隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全...
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的深度分析
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的深度分析,產(chǎn)品亂象本質(zhì)上是技術(shù)追趕期“速度”與“質(zhì)量”失衡的產(chǎn)物。唯有通過技術(shù)深耕、標(biāo)準(zhǔn)完善與生態(tài)重構(gòu),才能實(shí)現(xiàn)從“低端...
新品 | 100V耐壓360A電流 MOSFET 高效能 小體積TOLL封裝——開啟電源管理新紀(jì)元
在現(xiàn)代智能電子設(shè)備中,體積與效率的博弈從未停止。為應(yīng)對(duì)5G、新能源、汽車電子對(duì)高密度設(shè)計(jì)的需求,其中,MOSFET作為電源管理的核心器件,我們KUU原廠...
隨著可再生能源的崛起和電動(dòng)汽車的普及,全球?qū)Ω咝堋⒌湍芎碾娏﹄娮悠骷男枨笕找嬖黾印T谶@一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體...
BTP1521P/F是碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)隔離供電的性價(jià)比最優(yōu)解
在碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趨勢(shì)中,驅(qū)動(dòng)隔離供電方案的性能與成本成為關(guān)鍵制約因素。基本半導(dǎo)體的 BTP1521P 和 BTP1521F ...
WD5208高性能低功耗PWM控制功率開關(guān),集成500V高壓MOSFET和高壓啟動(dòng)電路
WD5208詳解和應(yīng)用
2025-02-25 標(biāo)簽:MOSFETPWM功率開關(guān) 242 0
國產(chǎn)SiC MOSFET在T型三電平拓?fù)渲械膽?yīng)用分析
分析BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) 兩個(gè)SiC MOSFET型號(hào)(B3M040065Z和B3M040120Z)在T型三電平...
英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2
【2025年2月20日, 德國慕尼黑訊】 電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新,全球功率系統(tǒng)、汽車和物...
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