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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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意法半導(dǎo)體STGAP3S系列隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器概述
STGAP3S系列具備快速去飽和保護(hù)和靈活的米勒鉗位功能,專為工業(yè)和能源應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款柵極驅(qū)動(dòng)器具有高CMTI,能夠滿足現(xiàn)今對電流能力和保護(hù)功能的最新要...
2025-02-21 標(biāo)簽:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 546 0
聯(lián)合電子新一代車載充配電單元產(chǎn)品批量交付
近日,聯(lián)合電子新一代車載充配電單元產(chǎn)品CharCON5U成功實(shí)現(xiàn)批量交付。這款產(chǎn)品最大的亮點(diǎn)將車載充電機(jī)(OBC,On-board Charger)和高...
2025-02-19 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET車載充電機(jī) 1006 0
IGBT的演進(jìn)歷程:從起源到現(xiàn)狀的全面探索
一文了解IGBT的前世今生 引言 1、何為IGBT? 2、傳統(tǒng)的功率MOSFET 為了等一下便于理解IGBT,我還是先講下Power MOSFET的結(jié)構(gòu)...
Wolfspeed發(fā)布第4代MOSFET技術(shù)平臺(tái)
近日,碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)軍企業(yè)Wolfspeed推出了其全新的第4代MOSFET技術(shù)平臺(tái)。該平臺(tái)在設(shè)計(jì)之初就充分考慮了耐久性和高效性,旨在為高功率應(yīng)...
帝奧微電子推出多通道半橋預(yù)驅(qū)系列DIA58104/8
DIA58104/8是帝奧微最新推出的多通道半橋預(yù)驅(qū)系列,采用7mm x 7mm的QFN封裝,可控制多達(dá)8個(gè)半橋(最多16個(gè)n溝道MOSFET),為系統(tǒng)...
2025-02-17 標(biāo)簽:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器帝奧微電子 641 0
全球范圍內(nèi),綠色低碳的浪潮正以不可阻擋之勢席卷各個(gè)行業(yè)。其中,汽車行業(yè)所受影響尤為深遠(yuǎn)。在這場電氣化轉(zhuǎn)型的洪流中,車載MOSFET作為汽車電子系統(tǒng)的核心...
國產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動(dòng)的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案
傾佳電子楊茜為客戶提供BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動(dòng)的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案,助力射頻電源...
2025-02-13 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì) 315 0
BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述
傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅M...
橋式電路中碳化硅MOSFET替換超結(jié)MOSFET技術(shù)注意事項(xiàng)
在橋式電路中,國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET(如BASiC基本股份)替換超結(jié)(SJ)MOSFET具有顯著優(yōu)勢,但也需注意技術(shù)細(xì)節(jié)。傾佳電子楊茜從性能優(yōu)...
新品 | 集成溫度傳感器工業(yè)和汽車級CoolMOS? S7T和S7TA SJ MOSFET 10mΩ
新品集成溫度傳感器工業(yè)和汽車級CoolMOSS7T和S7TASJMOSFET10mΩ,采用Q-DPAKTSC和BSC封裝CoolMOSS7T和S7TA現(xiàn)...
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體通過IATF 16949認(rèn)證
近日,安徽辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司與母公司深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司(以下合并簡稱“MDD辰達(dá)半導(dǎo)體”)共同接受了全球領(lǐng)先認(rèn)證機(jī)構(gòu)德國TüV萊茵的IATF 169...
e絡(luò)盟正式開售 Diotec Semiconductor 產(chǎn)品
安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟宣布旗下產(chǎn)品新增 Diotec Semiconductor 公司的分立半導(dǎo)體和相關(guān)外設(shè)系列,現(xiàn)可訂購,...
5G電源應(yīng)用碳化硅B3M040065Z替代超結(jié)MOSFET
傾佳電子楊茜以48V 3000W 5G電源應(yīng)用為例分析BASiC基本股份國產(chǎn)碳化硅MOSFET B3M040065Z替代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢,并做損耗...
6.6 KW雙向OBC碳化硅MOSFET替代超結(jié)的仿真計(jì)算
傾佳電子楊茜以6.6 KW雙向OBC(內(nèi)置3KW DC/DC )應(yīng)用為例做BASiC基本股份碳化硅MOSFET B3M040065和超結(jié)MOSFET O...
英飛凌再次榮膺2024年全球電子成就獎(jiǎng),CoolSiC? MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目
英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及卓越的...
新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離
新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiCMO...
650V碳化硅MOSFET在AI服務(wù)器電源中的高能效解決方案
650V碳化硅MOSFET(如BASiC基本股份)在AI服務(wù)器電源中的高能效解決方案 一、AI服務(wù)器電源的核心需求與挑戰(zhàn) AI服務(wù)器電源需滿足高效率、高...
安建半導(dǎo)體推出第二代30V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)
安建半導(dǎo)體(JSAB)隆重推出第二代30V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái),融合國內(nèi)尖端技術(shù)與設(shè)計(jì),開創(chuàng)功率密度新高度,在開關(guān)特性和導(dǎo)通電阻等關(guān)鍵參數(shù)方面...
2025-02-07 標(biāo)簽:MOSFET安建半導(dǎo)體 693 0
隨著人工智能(AI)技術(shù)的迅猛發(fā)展,為AI處理器提供高效、可靠的電源供應(yīng),成為了一個(gè)不容忽視的挑戰(zhàn)。想要應(yīng)對這一挑戰(zhàn),打造新一代功率器件是關(guān)鍵的一環(huán)。
中國電力電子系統(tǒng)制造商的未來事業(yè)發(fā)展藍(lán)圖
超高壓與高頻化:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件供應(yīng)商(比如BASiC基本股份)研發(fā)3300V及以上SiC MOSFET,適配海上風(fēng)電、軌道交通需求;突破MHz...
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