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mosfet

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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet資訊

意法半導(dǎo)體STGAP3S系列隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器概述

STGAP3S系列具備快速去飽和保護(hù)和靈活的米勒鉗位功能,專為工業(yè)和能源應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款柵極驅(qū)動(dòng)器具有高CMTI,能夠滿足現(xiàn)今對電流能力和保護(hù)功能的最新要...

2025-02-21 標(biāo)簽:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 546 0

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一文了解IGBT的前世今生 引言 1、何為IGBT? 2、傳統(tǒng)的功率MOSFET 為了等一下便于理解IGBT,我還是先講下Power MOSFET的結(jié)構(gòu)...

2025-02-18 標(biāo)簽:MOSFETIGBT 9631 0

Wolfspeed發(fā)布第4代MOSFET技術(shù)平臺(tái)

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DIA58104/8是帝奧微最新推出的多通道半橋預(yù)驅(qū)系列,采用7mm x 7mm的QFN封裝,可控制多達(dá)8個(gè)半橋(最多16個(gè)n溝道MOSFET),為系統(tǒng)...

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東芝S-TOGL封裝賦能車載MOSFET性能提升

全球范圍內(nèi),綠色低碳的浪潮正以不可阻擋之勢席卷各個(gè)行業(yè)。其中,汽車行業(yè)所受影響尤為深遠(yuǎn)。在這場電氣化轉(zhuǎn)型的洪流中,車載MOSFET作為汽車電子系統(tǒng)的核心...

2025-02-15 標(biāo)簽:MOSFET東芝封裝 725 0

國產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動(dòng)的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案

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傾佳電子楊茜為客戶提供BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動(dòng)的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案,助力射頻電源...

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BASiC基本股份國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述

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傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅M...

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在橋式電路中,國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET(如BASiC基本股份)替換超結(jié)(SJ)MOSFET具有顯著優(yōu)勢,但也需注意技術(shù)細(xì)節(jié)。傾佳電子楊茜從性能優(yōu)...

2025-02-11 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅 247 0

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MDD辰達(dá)半導(dǎo)體通過IATF 16949認(rèn)證

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2025-02-10 標(biāo)簽:二極管電子元器件MOSFET 437 0

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傾佳電子楊茜以48V 3000W 5G電源應(yīng)用為例分析BASiC基本股份國產(chǎn)碳化硅MOSFET B3M040065Z替代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢,并做損耗...

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6.6 KW雙向OBC碳化硅MOSFET替代超結(jié)的仿真計(jì)算

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2025-02-10 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅OBC 411 0

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英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及卓越的...

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650V碳化硅MOSFET在AI服務(wù)器電源中的高能效解決方案

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650V碳化硅MOSFET(如BASiC基本股份)在AI服務(wù)器電源中的高能效解決方案 一、AI服務(wù)器電源的核心需求與挑戰(zhàn) AI服務(wù)器電源需滿足高效率、高...

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安建半導(dǎo)體(JSAB)隆重推出第二代30V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái),融合國內(nèi)尖端技術(shù)與設(shè)計(jì),開創(chuàng)功率密度新高度,在開關(guān)特性和導(dǎo)通電阻等關(guān)鍵參數(shù)方面...

2025-02-07 標(biāo)簽:MOSFET安建半導(dǎo)體 693 0

英飛凌推出全新400V CoolSiC MOSFET系列

隨著人工智能(AI)技術(shù)的迅猛發(fā)展,為AI處理器提供高效、可靠的電源供應(yīng),成為了一個(gè)不容忽視的挑戰(zhàn)。想要應(yīng)對這一挑戰(zhàn),打造新一代功率器件是關(guān)鍵的一環(huán)。

2025-02-06 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET碳化硅 474 0

中國電力電子系統(tǒng)制造商的未來事業(yè)發(fā)展藍(lán)圖

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2025-02-05 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 297 0

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    IOT
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  • 海思
    海思
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  • STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成,光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說,光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換,發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號,通過光纖傳送后,接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。
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  • STM32單片機(jī)
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    +關(guān)注
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    ESP8266
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    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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