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標簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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為什么數(shù)據(jù)沒有保存,掉電就丟失了呢?因為我們編輯文檔等操作,都是在內存中進行的。內存是揮發(fā)性介質,掉電后數(shù)據(jù)就丟失。而硬盤是非揮發(fā)性介質,數(shù)據(jù)一旦保存,...
電子存儲器迎來革新,RRAM和MRAM的優(yōu)勢是什么
在最近的一年,固態(tài)硬盤和內存的漲勢卻是讓很多廠商都掙得盆滿缽滿的,就連美光也一反頹勢,取得了相當不錯的成績。
內存市場轉向成效浮現(xiàn) 三星、Intel促嵌入式MRAM普及
在內存市場,業(yè)界普遍認為,在前沿SoC(片上系統(tǒng))和大規(guī)模微控制器(MCU)中的邏輯嵌入式非易失性存儲器的開發(fā)可謂非常活躍。到目前為止,處理器內核的程序...
未來五年預計上漲40倍的MRAM,正在收割下一代非易失性存儲市場?
8月5日,在美國舉行的MRAM開發(fā)者日活動上,Yole Development分析師Simone Bertolazzi分享了MRAM技術和市場的最新趨勢...
2021國內新能源汽車銷量近300萬輛,同比增長169.1%;三星宣布發(fā)布全球首個MRAM存內計算設計……
2021國內新能源汽車銷量近300萬輛,同比增長169.1%。近日,乘聯(lián)會現(xiàn)公布了 2021 年 12 月及全年銷量排名快報。從全年數(shù)據(jù)來看,比亞迪汽車...
人工智能與大數(shù)據(jù)對芯片的處理能力提出了越來越嚴苛的要求,芯片的運算能力和存儲能力正在成為瓶頸,這也是各家半導體公司競相開發(fā)新的硬件平臺、計算架構與設計路...
28nm節(jié)點可能是eFlash最后一個經(jīng)濟高效的節(jié)點 格芯欲用22FDXeMRAM技術取代
格芯的戰(zhàn)略是為快速增長市場中的客戶提供高度差異化、高附加值的解決方案,而踐行這一承諾的實際成果就是我們的22nmFD-SOI(22FDX)嵌入式MRAM...
三星開始大規(guī)模生產(chǎn)MRAM記憶體,結合DRAM和NAND閃存特性
三星已將下一代嵌入式半導體存儲器產(chǎn)品MRAM納入生產(chǎn)制造范疇,并在韓國器興廠區(qū)率先進入大規(guī)模生產(chǎn)。MRAM號稱是次世代記憶體,是繼半導體存儲器DRAM和...
MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(MRAM設備是Spintronics設備)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與S...
MRAM芯片與目前常用的幾種計算機內存SRAM、DRAM及閃存的性能比較
新千年信息怎樣儲存?又需要如何傳輸?MRAM芯片是磁阻隨機存取存儲器。1989年巨磁阻現(xiàn)像的發(fā)現(xiàn)及隨后幾年巨磁阻材料的開發(fā),直至巨磁阻磁頭GMR的制成與...
依據(jù)von Neumann架構,計算機中記憶體和控制單元是分離的,這也是目前計算機及相關的半導體零件制造的指導方針。但是在目前海量資料的處理與儲存上,這...
初創(chuàng)公司發(fā)布可用于物聯(lián)網(wǎng)可穿戴設備為目標市場的的MRAM微控制器
法國格勒諾布爾的一家創(chuàng)業(yè)公司發(fā)布了為以電池供電的物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設備為目標市場的基于MRAM微控制器。
2018-01-10 標簽:微控制器物聯(lián)網(wǎng)mram 5947 0
臺積電在MRAM技術方面已經(jīng)取得了顯著進展,成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線,并積累了大量內存和車用市場訂單。
芯片晶粒在未來搭載愈來愈多晶體管可望成為趨勢,讓芯片運算能力達到人腦水平也可望有朝一日達成,對于這類新技術的發(fā)展,在芯片上以及在多層堆疊芯片之間打造先進...
MRAM是一種非易失性存儲器,可與其他的NVM技術相媲美,如閃存,英特爾的Optane,以及FRAM和RRAM (圖1)。每種NVM都有自己的優(yōu)缺點。雖...
DRAM正轉變?yōu)橘u方市場 是時候尋找低成本的DRAM替代方案了
DRAM正轉變?yōu)橘u方市場,也為DRAM廠商寫下利潤新高紀錄。就像石油危機一樣,在DRAM危機下,客戶必須為DRAM付出更多代價。現(xiàn)在正是尋找低成本替代方...
高密度MRAM具有非常低的功率,高的讀取速度,非常高的數(shù)據(jù)保留能力和耐久性,適用于廣泛的應用。單元面積僅為0.0456平方微米,讀取速度為10ns,讀取...
2020-09-19 標簽:數(shù)據(jù)寫入讀出MRAM讀取 4553 0
嵌入式存儲器是邏輯工藝中不可或缺的一環(huán),過去卻往往讓人忽略。但是邏輯工藝推進日益艱辛,嵌入式存儲器工藝推進的難處全浮上臺面。
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