存儲產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機存取存儲（SRAM）的快速、快閃存儲的高密度以及如同唯讀存儲（ROM）般低成本等各種優(yōu)勢的非揮發(fā)性存儲。如今，透過磁阻隨機存取存儲（MRAM），可望解決開發(fā)這種“萬能”存儲（可取代各種存儲）的問題。
2016-03-09 09:14:55
2118 引人注目的新存儲器包括：相變存儲器（PCM）、鐵電存儲器（FeRAM）、磁阻RAM（MRAM）、電阻RAM（RRAM或 ReRAM）、自旋轉移力矩RAM（STT-RAM）、導電橋RAM（CBRAM
2017-02-21 11:05:472282 
晶圓代工大廠臺積電和三星的競爭，現(xiàn)由邏輯芯片擴及內存市場。 臺積電這次重返內存市場，瞄準是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內存，因傳輸速度比一般閃存快上萬倍，是否引爆內存產(chǎn)業(yè)的新潮流，值得密切關注。
2017-06-07 10:54:181577 
磁阻隨機存取存儲器 (MRAM) 是一種非易失性存儲器技術，它依靠兩個鐵磁層的（相對）磁化狀態(tài)來存儲二進制信息。多年來，出現(xiàn)了不同風格的 MRAM 存儲器，這使得 MRAM 對緩存應用程序和內存計算越來越感興趣。
2022-07-26 11:08:341864 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）磁性隨機存儲器（MRAM）已經(jīng)有了多年的發(fā)展歷史，最早可以追溯到1984年，Arthur Pohm和 Jim Daughton兩人在霍尼韋爾打造出了首個磁阻存儲器設備
2022-11-29 09:25:322408 存儲器(DRAM)類似的高密度，而且還具有讀取無破壞性、無需消耗能量來進行刷新等優(yōu)勢，因為磁體沒有漏電(leakage)之說。MRAM 與閃存（FLASH)同樣是非易失性的，它還具備了寫入和讀取速度相同
2020-11-26 16:23:24
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點，同時在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2022-02-11 07:23:03
的可擦寫次數(shù)多，并且性能有所提高。如果這兩種存儲器的成本一樣，肯定會選擇MRAM。當采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產(chǎn)時,將有可能實現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代。原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:41:05
MRAM技術MRAM或磁性隨機存取存儲器使用1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）架構，其中鐵磁材料的磁性“狀態(tài)”作為數(shù)據(jù)存儲元素。由于MRAM使用磁性狀態(tài)進行存儲（而不是隨時間推移而“泄漏
2022-11-17 15:05:44
中之外，與其他半導體制造工藝一樣，質量控制和良率提高將是一個持續(xù)的挑戰(zhàn)和機遇，而且事實是所有大型半導體代工廠都已將MRAM存儲器作為一種選擇。嵌入式產(chǎn)品意義重大。通過將MRAM集成到其嵌入式產(chǎn)品中
2020-08-12 17:42:01
MRAM的存儲原理
2020-12-31 07:41:19
磁阻式隨機存儲器(MRAM)是一種新型存儲器,其優(yōu)點有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲器運用于計算機存儲系統(tǒng)中。MRAM因具有許多優(yōu)點,有取代SRAM
2020-11-06 14:17:54
DDR3存儲器接口控制器是什么？有什么優(yōu)勢？
2021-04-30 06:57:16
、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS等多個品牌總代理資質，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。
2020-08-31 13:59:46
問題一：位圖都存儲在哪了？都在程序存儲器里嗎問題二：能不能將位圖存儲到外部內存中？問題三：F429的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器有多大？
2020-05-20 04:37:13
知名品牌的半導體元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、來楊Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多個品牌總代理資質，主要產(chǎn)品線為sram、mram、psram等其他存儲器芯片，致力于為客戶提供具有競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品，是一家專業(yè)提供存儲方案解決商。
2020-11-16 14:33:15
STT-MRAM萬能存儲器芯片
2021-01-06 06:31:10
MRAM，即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫入信息
2021-12-10 07:06:51
為什么有的電子設備用eMMC存儲器 ？而有的用DDR存儲器呢？這兩者有什么區(qū)別嗎？
2021-06-18 06:13:25
/寫存儲器，在斷電時無需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
航空航天專用Everspin非易失性MRAM存儲器
2020-12-31 07:15:20
TAS-MRAM概念從磁性隨機存取存儲器到磁性邏輯單元
2021-03-03 06:10:33
作者：王烈洋 黃小虎 占連樣 珠海歐比特控制工程股份有限公司隨著電子技術的飛速發(fā)展， 存儲器的種類日益繁多，每一種存儲器都有其獨有的操作時序，為了提高存儲器芯片的測試效率，一種多功能存儲器芯片
2019-07-26 06:53:39
在2019全球閃存峰會上，Everspin作為全球MRAM存儲芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構建未來的云存儲的解決方案。
2021-01-11 06:44:23
作者 MahendraPakala半導體產(chǎn)業(yè)正在迎來下一代存儲器技術的新紀元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器(MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進展。
2019-07-16 08:46:10
新興存儲器MRAM與ReRAM嵌入式市場
2020-12-17 06:13:02
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲器）、FRAM（鐵電存儲器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲器）等。每種類型存儲器在不同性能指標下具有各自的優(yōu)勢和劣勢：存儲器
2019-07-23 06:15:10
目前高級應用要求新的存儲器技術能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導致的結果就是對存儲器的需求永不停歇。相變存儲器(PCM)以創(chuàng)新的關鍵技術特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對電子系統(tǒng)的重點
2018-05-17 09:45:35
磁阻式隨機存儲器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。MRAM技術仍遠未
2020-04-15 14:26:57
和碰撞期間記錄以上數(shù)據(jù)。顯然，微控制器不能等到事故發(fā)生才開始記錄數(shù)據(jù)。因此，微控制器需要連續(xù)存儲數(shù)據(jù)。所以，EDR 需要一個具有幾乎無限寫次數(shù)的非易失性存儲器。 MRAM 存儲器比 ADAS 的傳統(tǒng)
2018-05-21 15:53:37
隨機存取存儲器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機存取存儲器)，三者科技內涵各有所長,市場預測尚難預料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關于非易失性MRAM的單元結構
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-10 07:20:20
本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦头且资?b class="flag-6" style="color: red">存儲器做了一個簡單的介紹。
鐵電存儲器(FeRAM)
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易
2010-08-31 10:50:591942 
8月6日消息，美國加州創(chuàng)業(yè)公司Crossbar發(fā)布了一種新型芯片，能以郵票大小存儲1TB的數(shù)據(jù)。該芯片采用RRAM技術，顛覆傳統(tǒng)的閃速存儲器，數(shù)據(jù)存儲速度是其的20倍。RRAM是一種非易失性存儲器，數(shù)據(jù)可永久存儲，即使是在電源被切斷的情況下。
2013-08-07 11:03:391418 美國芯片設計商Rambus宣布與中國存儲器解決方案供應商兆易創(chuàng)新（GigaDevice）合作建立一個在中國的合資企業(yè)Reliance Memory，以實現(xiàn)電阻式隨機存取存儲器（RRAM）技術的商業(yè)化
2018-05-17 10:34:005566 半導體產(chǎn)業(yè)正在迎來下一代存儲器技術的新紀元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器 （MRAM） 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進展。
2018-05-29 15:42:002282 
多年來，該行業(yè)一直致力于各種存儲技術的研究，包括碳納米管RAM、FRAM、MRAM、相變存儲器和ReRAM。有些已推出，有些仍在研發(fā)中。這些不同類型的存儲器都對應特定的應用領域，但都勢必將在存儲器家族中取代一個或者多個傳統(tǒng)型存儲。
2018-09-05 15:51:129162 有新的技術出來。除了主流的電荷捕獲（charge trap）存儲器外，還有鐵電存儲器（FRAM）、相變存儲器（PRAM）、磁存儲器（MRAM）和阻變存儲器（RRAM）。
2019-01-01 08:55:0011607 
MRAM是一種非易失性存儲器，可與其他的NVM技術相媲美，如閃存，英特爾的Optane，以及FRAM和RRAM （圖1）。每種NVM都有自己的優(yōu)缺點。雖然MRAM的擴展性好，但其容量仍遠低于NAND閃存， SSD中的高密度存儲介質大都是NAND閃存。
2018-12-22 14:37:344678 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術。
2019-09-10 15:24:41742 MRAM)在新興非揮發(fā)存儲器中發(fā)展較為成熟，2018年主要供應商Everspin營收可望年增36%，2019~2020年以后，隨GlobalFoundries、臺積電、三星、聯(lián)電等晶圓代工廠商逐步
2019-09-11 17:33:293274 據(jù)近日報道，面對存儲器半導體產(chǎn)業(yè)市場低迷，三星電子，SK海力士，鎂光企圖通過新舊世代的產(chǎn)品交替，克服危機。
2019-10-25 10:22:53632 臺工業(yè)技術研究院10日于美國舉辦的國際電子元件會議（IEDM）中發(fā)表鐵電存儲器（FRAM）、磁阻隨機存取存儲器（MRAM）等6篇技術論文。其中，從研究成果顯示，工研院相較臺積電、三星的MRAM技術更具穩(wěn)定、快速存取優(yōu)勢。
2019-12-10 14:15:492685 MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術（MRAM設備是Spintronics設備）。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時始終保持
2020-04-09 09:13:145683 目前新型存儲器上受到廣泛關注的新型存儲器主要有相變存儲器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲器
2020-04-25 11:05:572584 
5月12日消息，兆易創(chuàng)新今日宣布，與領先的半導體IP供應商Rambus Inc. 就RRAM （電阻式隨機存取存儲器） 技術簽署專利授權協(xié)議。同時，兆易創(chuàng)新還與其同Rambus 以及幾家戰(zhàn)略投資伙伴
2020-05-14 14:38:054237 新興的非易失性存儲器技術主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機存取存儲器（FeRAM），磁性隨機存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311840 新式存儲器技術隊伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM，受惠技術、材料、設備等環(huán)節(jié)的關鍵突破，正邁向大規(guī)模量產(chǎn)的路上，眼前我們正處于見證存儲器歷史的轉折點。新式存儲器可分為獨立型產(chǎn)品，以及嵌入于邏輯
2020-06-30 16:21:58910 MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗
2020-07-17 15:36:19681 
Everspin在磁存儲器設計，制造和交付到相關應用中的知識和經(jīng)驗在半導體行業(yè)中是獨一無二的。Everspin擁有600多項有效專利和申請的知識產(chǎn)權，在平面和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM
2020-08-03 16:26:49511 的領先趨勢來增強動力。 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存儲器IP選項包括STT-MRAM，相變存儲器（PCM），電阻RAM（ReRAM）和鐵電RAM（FRAM）。每種新興的內存技術都不同，適合特定的應用，但STT-MRAM似乎已成為主流。 STT-MRAM是一種電阻存儲技術，其中材料中電子的磁性自旋變
2020-08-04 17:24:263389 MRAM（磁性RAM）是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術（MRAM設備是Spintronics設備）。MRAM具有成為通用存儲器的潛力，能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時
2020-08-07 17:06:122003 自旋轉移扭矩隨機存取存儲器（STT-RAM）技術希望用其下一代MRAM取代DRAM，最終取代NAND。它結合了DRAM的成本優(yōu)勢，SRAM的快速讀寫性能以及閃存的非易失性。據(jù)說STT-RAM
2020-08-10 15:30:20832 Everspin主要是設計制造和商業(yè)銷售MRAM和STT-MRAM的領先者，其市場和應用領域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。Everspin MRAM產(chǎn)品應用在數(shù)據(jù)中心，云存儲，能源
2020-08-17 14:42:142309 Selector）。在存儲器單元中，選擇器是用于訪問所述存儲器元件MRAM中的一個磁隧道結。也是RRAM的一種電阻材料RRAM，也就是DRAM的電容器。這些
2020-09-04 16:10:132090 Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構建未來的云存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存的介質有以下幾大優(yōu)勢： 1. 非易失性存儲器
2020-09-19 11:38:322609 MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。所謂非易失性是指掉電后﹐仍可以保持存儲內容完整，此功能與Flash閃存相同;而隨機存取是指處理器讀取資料時，不定要從頭開始，隨時都可用相同的速率，從內存的任何
2020-09-21 13:50:342782 經(jīng)常有人將MRAM稱作是非易失性存儲器（NVRAM）未來的關鍵性技術。作為一項非易失性存儲器技術，MRAM存儲芯片是可以在掉電時保留數(shù)據(jù)并且不需要定期刷新。MRAM存儲芯片利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路
2020-09-24 16:19:431266 MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力，以及DRAM的高集成度，基本上可以無限次地重復寫入。專注于代理銷售MRAM芯片等存儲芯片供應商英尚微電子詳細介紹關于MRAM
2020-10-21 14:32:591451 
對于存儲器而言，重要的技術指標無非就是速度、是否為非易失性、功耗、成本、體積、壽命等。已經(jīng)有很多種類的產(chǎn)品做出了各種各樣的努力，但是始終只能偏重某一方面，而不是面面俱到。也許大家最為看重的是MRAM
2020-10-30 14:27:281188 RRAM基于雙穩(wěn)態(tài)電阻轉換的阻性存儲器（RRAM）作為集動態(tài)/靜態(tài)隨機存儲器和浮柵存儲器功能為一體的通用存儲器，是NAND技術后的下一代非易失性存儲（NVM）技術。
2020-11-04 10:59:242671 磁阻式隨機存儲器MRAM是一種新型存儲器，其優(yōu)點有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運用于計算機存儲系統(tǒng)中。同時非易失性MRAM存儲器也應用于各級高速緩存
2020-11-09 16:46:48628 MRAM與傳統(tǒng)的隨機存儲器的區(qū)別在于MRAM的信息攜帶者是磁性隧道結（MTJ ），而后者則是電荷。 每一個磁性隧道結包含一個固定層和一個自由層。固定層的磁化方向被固定了，而自由層的磁化方向可以由旋轉
2020-11-09 16:23:54887 隨機存取存儲器（MRAM）最早于1980年代開發(fā)，并被推廣為通用存儲器。與其他存儲技術不同，MRAM將數(shù)據(jù)存儲為磁性元素，而不是電荷或電流。在性能方面由于使用足夠的寫入電流，因此MRAM與SRAM類似。但是這種依賴性也妨礙了它以更高的密度與
2020-11-20 15:45:59772 MRAM是磁阻式隨機存取存儲器（Magneto-resistiveRandom Access Memory ）的縮寫。MRAM是一種非揮發(fā)性電腦存儲器（ NVRAM ）技術，從20世紀90年代以來
2020-11-24 14:45:22483 “永久性存儲器”通常是指駐留在存儲器總線上的高性能，可字節(jié)尋址的非易失性存儲設備。MRAM（磁性只讀存儲器）和 FRAM（鐵電 RAM）都具有相似的性能優(yōu)勢：低電壓運行，長壽命和極高的速度。它們
2020-12-14 11:30:00
38 存儲器（DRAM）類似的高密度，而且還具有讀取無破壞性、無需消耗能量來進行刷新等優(yōu)勢，因為磁體沒有漏電（leakage）之說。MRAM 與閃存（FLASH）同樣是非易失性的，它還具備了寫入和讀取速度相同的優(yōu)點，并具有承受無限多次讀一寫循環(huán)的能力。（在自由磁體層
2020-11-25 14:32:19746 
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。 MRAM的存儲原理 MRAM
2020-12-09 15:54:192403 
MRAM即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱。經(jīng)過10多年不間斷的研發(fā)，全球第一款正式量產(chǎn)并供貨的MRAM芯片型號為MR2A16A，它采用44腳的TSOP封裝，容量為4M比特。它采用一個3.3V的單電源供電
2021-01-04 14:10:211130 自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點，同時在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場（見表1）。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2021-03-03 16:35:01418 MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端
2021-03-03 16:40:05955 產(chǎn)品描述 MR3A16A是一款MRAM非易失性存儲器，位寬為512K x 16。MR3A16A提供SRAM兼容的35ns讀/寫時序，具有無限的耐久性。數(shù)據(jù)在20年以上始終是非易失性的。低壓禁止電路
2021-04-30 16:33:21647 
MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM具有成為通用存儲器的潛力，能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度相結合，同時具有非易失性和節(jié)能性。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車、工業(yè)、軍事和太空應用。
2021-06-16 16:55:18795 Everspin公司生產(chǎn)的MRAM用于數(shù)據(jù)持久性和應用的市場和應用。Everspin MRAM應用在數(shù)據(jù)中心和云存儲、汽車和運輸市場。MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM具有成為通用存儲器的潛力——能夠將存儲存儲器的密度與 SRAM 的速度相結合，同時具有非易失性和節(jié)能性。
2021-08-17 16:26:191926 自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點，同時在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2021-12-07 15:21:108 MRAM即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱。經(jīng)過10多年不間斷的研發(fā)，全球第一款正式量產(chǎn)并供貨的MRAM芯片型號為MR2A16A，它采用44腳的TSOP封裝...
2022-01-25 19:39:475 STT-MRAM是通過自旋電流實現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器，是磁性存儲器MRAM的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲的結構簡單，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 磁性隨機存儲器（MRAM）是一種基于自旋電子學的新型信息存儲器件，其核心結構由一個磁性隧道結和一個訪問晶體管構成。MTJ 呈現(xiàn)“三明治”結構，兩層磁性固定層和自由層之間夾著一層隧穿層。
2022-04-26 14:21:111727 一些自旋電子存儲器已經(jīng)面世。MRAM（磁性隨機存儲器）已經(jīng)商業(yè)化，在某些情況下可以取代電子存儲器，但它是基于鐵磁開關的。
2022-07-22 17:05:141596 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）磁性隨機存儲器（MRAM）已經(jīng)有了多年的發(fā)展歷史，最早可以追溯到1984年，Arthur Pohm和 Jim Daughton兩人在霍尼韋爾打造出了首個磁阻存儲器設備
2022-11-29 07:15:10824 STT-MRAM非易失性隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時間長的存儲。MRAM供應商英尚微支持提供相關技術支持。
2022-11-29 15:57:581325 基于上述因素，越來越多的MCU大廠開始選擇在MCU中集成新型存儲器，比如相變存儲器（PCM）、磁RAM（MRAM）和阻變存儲器（RRAM）等，當然不同的大廠也有著他們不同的選擇…
2022-12-01 20:28:06639 MRAM是一種基于隧穿磁阻效應的技術，MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應用領域以及新興的IoT嵌入式存儲領域，該技術擁有讀寫次數(shù)無限、寫入速度快（寫入時間可低至2.3n）、功耗低、和邏輯芯片整合度高的特點。
2023-01-07 11:10:123518 全新的存儲器MRAM，ReRAM，PCRAM，相對于傳統(tǒng)存儲器來說，具有很多方面獨特的優(yōu)勢，能夠在計算系統(tǒng)層級實現(xiàn)更優(yōu)的計算性能、功耗和成本。
2023-03-20 11:39:191410 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462548 MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）體系結構作為數(shù)據(jù)存儲元素。
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