MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固態(tài)硬盤(SSD)可延長(zhǎng)壽命
2024-03-18 10:24:3648 MR25H256 MRAM 存儲(chǔ)器 mikroBUS? Click? 平臺(tái)評(píng)估擴(kuò)展板
2024-03-14 22:03:11
瑞薩日前宣布,公司已基于STT-MRAM的電路技術(shù)開發(fā)出具有快速讀寫能力的測(cè)試芯片。該MCU 測(cè)試芯片采用 22 納米工藝制造,包括一個(gè) 10.8Mbit嵌入式 MRAM 存儲(chǔ)單元陣列。
2024-03-05 10:05:46194 通過(guò)多級(jí)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì),存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲(chǔ)容量和訪問(wèn)速度之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。高速緩存存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器提供了快速的訪問(wèn)速度,而輔助存儲(chǔ)器則提供了大量的存儲(chǔ)空間。
2024-02-19 13:54:42121 MRAM是以磁性隧道結(jié)(MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層,和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí),MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會(huì)有高電阻。
2024-02-19 11:32:41367 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷,而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存(即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問(wèn)
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
臺(tái)積電近日宣布,與工研院合作開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器(SOT-MRAM)陣列芯片,該芯片具有極低的功耗,僅為其他類似技術(shù)的1%。這一創(chuàng)新技術(shù)為次世代存儲(chǔ)器領(lǐng)域帶來(lái)了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 MRAM的基本結(jié)構(gòu)是磁性隧道結(jié),研發(fā)難度高,目前主要分為兩大類:傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM,前者以磁場(chǎng)驅(qū)動(dòng),后者則采用自旋極化電流驅(qū)動(dòng)。
2024-01-22 10:50:50123 據(jù)報(bào)道,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電在次世代MRAM存儲(chǔ)器相關(guān)技術(shù)方面取得了重大進(jìn)展。該公司成功開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲(chǔ)器(SOT-MRAM)陣列芯片,并搭配創(chuàng)新的運(yùn)算架構(gòu),使其功耗僅為其他類似技術(shù)的1%。
2024-01-19 14:35:126646 臺(tái)積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展,成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線,并積累了大量?jī)?nèi)存和車用市場(chǎng)訂單。
2024-01-18 16:44:044838 鑒于AI、5G新時(shí)代的到來(lái)以及自動(dòng)駕駛、精準(zhǔn)醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識(shí)等應(yīng)用對(duì)更高效率、穩(wěn)定性和更低功耗的內(nèi)存的需求愈發(fā)緊迫,如磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)這樣的新一代內(nèi)存技術(shù)已成為眾多廠商爭(zhēng)相研發(fā)的重點(diǎn)。
2024-01-18 14:44:00838 ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸?
2024-01-15 07:43:09
隨著人們對(duì)計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備的需求不斷增長(zhǎng),存儲(chǔ)器的種類也越來(lái)越多。其中,RAM(Random Access Memory,隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)是計(jì)算機(jī)中最常用的一種存儲(chǔ)器。RAM可以分為兩種類型,一種
2024-01-12 17:27:15513 MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)(1T-1MTJ)體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 14:24:03208 MRAM是以磁性隧道結(jié)(MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層,和一個(gè)通過(guò)隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí),MTJ的隧道結(jié)便會(huì)顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會(huì)有高電阻。
2024-01-09 11:15:26200 最近,Imec公布的超大規(guī)模自旋軌道轉(zhuǎn)移MRAM (SOT-MRAM) 器件已實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的性能,每比特開關(guān)能量低于100飛焦耳,耐用性超過(guò)10的15次方。
2024-01-05 11:47:18428 在數(shù)字電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù),以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲(chǔ)器市場(chǎng)中,有兩種主要的類型:隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器 ( RAM ) 和只讀存儲(chǔ)器 ( ROM )。盡管都是存儲(chǔ)器,但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17732 目前三星仍然是全球?qū)@谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM,2005年三星率先研究STT-MRAM,但是此后的十年間,三星對(duì)MRAM的研發(fā)一直不溫不火,成本和工藝的限制,讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:53213 電表作為一個(gè)計(jì)量用電量的儀器,電表的精度不但與檢測(cè)芯片的精度有關(guān),而且與其存儲(chǔ)方式有關(guān),如果檢測(cè)到的電量數(shù)據(jù)不能隨機(jī)寫入存儲(chǔ)器或?qū)懭?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器過(guò)程出錯(cuò)電表的精度就會(huì)大大降低。 在智能電表數(shù)據(jù)
2023-11-21 09:59:20
何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比,具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-11-15 10:20:01731 隨著相變存儲(chǔ)器 (PCM)、STT-MRAM、憶阻器和英特爾的 3D-XPoint 等技術(shù)的快速發(fā)展,高速的、可字節(jié)尋址的新興 NVM 的產(chǎn)品逐漸涌現(xiàn)于市場(chǎng)中
2023-11-14 09:28:10418 降低PLC的使用成本可以幫助提高項(xiàng)目的經(jīng)濟(jì)效益。以下是一些方法來(lái)降低PLC的使用成本: (1)正確選擇PLC型號(hào):在選擇PLC時(shí),根據(jù)項(xiàng)目需求選擇適當(dāng)?shù)男吞?hào)。避免過(guò)度投資,選擇性能和功能符合實(shí)際需求
2023-11-11 08:10:02208 單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間,其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少?
2023-11-01 06:20:34
大家有誰(shuí)知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器,我之前用的是P89V51,選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;,但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了,程序該怎么改了啊??AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說(shuō)明,各位高手有誰(shuí)知道啊 ??
2023-10-26 06:11:25
AT32 SPIM Application Note描述了怎么使用AT32 MCU的SPIM作為外部存儲(chǔ)器的擴(kuò)展功能。
2023-10-24 08:03:56
mcs-8051單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器是多少
2023-10-18 07:33:36
存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)展至今,已有很多不同種類的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲(chǔ)器及其應(yīng)用。
2023-10-17 15:45:50521 內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲(chǔ)器的容量?
2023-10-17 07:14:45
存儲(chǔ)器測(cè)試問(wèn)題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
摘要:本文主要對(duì)兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討,以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比,具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統(tǒng)對(duì)于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
如何檢測(cè)24c存儲(chǔ)器容量
2023-09-25 06:48:32
亙存科技成立于2019年,是一家以mram技術(shù)為中心,致力于設(shè)計(jì)、開發(fā)和銷售相關(guān)產(chǎn)品的Fabless企業(yè)。總公司設(shè)在深圳,在上海、蘇州等地設(shè)有r&d中心和支持團(tuán)隊(duì)。
2023-09-20 10:27:21660 在SoC中,存儲(chǔ)器是決定性能的另一個(gè)重要因素。不同的SoC設(shè)計(jì)中,根據(jù)實(shí)際需要采用不同的存儲(chǔ)器類型和大小。
2023-09-18 16:22:19325 存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類,前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù),后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分,用于存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲(chǔ)信息的介質(zhì)和訪問(wèn)方式的不同,存儲(chǔ)器可以分為隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)和硬盤存儲(chǔ)器等幾類。本文將介紹存儲(chǔ)器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272105 STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射? 總線架構(gòu)? 存儲(chǔ)器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根據(jù)專利要點(diǎn),提供本申請(qǐng)的一種存儲(chǔ)器是檢測(cè)方法及存儲(chǔ)半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲(chǔ)單位與上線之間漏電測(cè)定的復(fù)雜技術(shù)問(wèn)題,該存儲(chǔ)器的檢測(cè)方法如下:選通字線,通過(guò)位線在所有存儲(chǔ)單元中寫設(shè)定存儲(chǔ)。
2023-09-07 14:27:24523 盧東暉表示,由于整體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)尚處于庫(kù)存調(diào)整階段,市場(chǎng)需求端除了應(yīng)用在AI及服務(wù)器等應(yīng)用的高寬帶存儲(chǔ)器(HBM)需求非常強(qiáng)勁,不過(guò)目前HBM占美光比重仍低,整體DRAM景氣還得手機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)等需求回升,才能確立整體景氣復(fù)甦。
2023-09-05 16:07:56440 作為一種磁性技術(shù),MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨(dú)立版本在航空航天應(yīng)用中很受歡迎,而且這些應(yīng)用對(duì)價(jià)格的敏感度也較低。它相對(duì)較大,在內(nèi)存領(lǐng)域,尺寸意味著成本。
2023-08-30 15:28:50407 庫(kù)的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成,以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的主要功能是在云計(jì)算和人工智能 (AI)、汽車和移動(dòng)等廣泛應(yīng)用中盡可能快速可靠地為主機(jī)(CPU 或 GPU)提供必要的數(shù)據(jù)或指令。片上系統(tǒng) (SoC) 設(shè)計(jì)人員可以選擇多種類型的存儲(chǔ)器
2023-08-17 09:54:20414 AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線體系結(jié)構(gòu)(AMBA)的片上系統(tǒng)(SoC)外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器(DMC)和靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器
2023-08-02 06:26:35
TBW(Total Bytes Written)是衡量閃存存儲(chǔ)器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫入放大的影響,實(shí)際TBW值可能會(huì)偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數(shù),并探討如何降低寫入放大對(duì)存儲(chǔ)器的影響。
2023-07-25 14:19:39253 何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比,具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098 Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無(wú)限的耐用性。對(duì)于需要使用最少數(shù)量的引腳來(lái)快速存儲(chǔ)、檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序而言,是最為理想的存儲(chǔ)器。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時(shí)將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:28874 PLC系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲(chǔ)器包括系統(tǒng)存儲(chǔ)器和用戶存儲(chǔ)器。
2023-06-26 14:02:453775 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存,斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失,主要有
2023-06-25 14:30:181959 該控制器訪問(wèn)連接到外部存儲(chǔ)器總線的SDRAM器件。程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共用地址空間;使用單獨(dú)的總線分別訪問(wèn)這兩個(gè)存儲(chǔ)器,從而提高性能并允許在同一個(gè)周期訪問(wèn)程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器映射中包含片上RAM、外設(shè)
2023-06-21 12:15:03421 MRAM在數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用中,數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過(guò)程。可以記錄系統(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件;使用歷史;環(huán)境參數(shù) ;機(jī)器狀態(tài);用于分析目的的其他數(shù)據(jù)。因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù),內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。
2023-06-20 17:06:22219 RAID控制卡的日志存儲(chǔ)器存放重要數(shù)據(jù),如日志和數(shù)據(jù)寫入完成、奇偶校驗(yàn)寫入、錯(cuò)誤日志等。在斷電的情況下,控制器查詢?nèi)罩緝?nèi)存,以了解從哪里開始恢復(fù)。
2023-06-12 17:11:11323 Everspin型號(hào)MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片,組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時(shí)序,續(xù)航時(shí)間無(wú)限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 為了進(jìn)行性能比較,使用了三種不同的存儲(chǔ)芯片,即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。
2023-05-31 17:14:24788 的新一代S32區(qū)域處理器和通用汽車MCU首批樣品 ? ? ? 了解詳情 ? ? 全球領(lǐng)先汽車處理企業(yè)恩智浦半導(dǎo)體宣布與臺(tái)積電合作交付行業(yè)首創(chuàng)的采用16納米FinFET技術(shù)的汽車嵌入式MRAM(磁隨機(jī)存儲(chǔ)器)。在向軟件定義汽車(SDV)的過(guò)渡中,汽車廠商需要在單個(gè)硬件平臺(tái)上支持多代軟件
2023-05-26 20:15:02396 磁表面存儲(chǔ)器——磁表面存儲(chǔ)器,它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來(lái)記錄信息的,載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲(chǔ)密度——磁表面存儲(chǔ)器單位長(zhǎng)度或單位面積磁層表面所能存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061409 MRAM是一種新型的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),與傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器技術(shù)相比,MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長(zhǎng)的壽命。
2023-05-23 17:34:15395 對(duì)管網(wǎng)的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和漏損處理,減少非計(jì)量用水和漏損用水,提高水務(wù)收入。
水資源節(jié)約和循環(huán)利用技術(shù)推廣:推廣水資源節(jié)約和循環(huán)利用技術(shù),如雨水收集利用、污水處理再利用等,降低水務(wù)成本,提高水資源利用效率。
水務(wù)
2023-05-23 15:03:25
上的電荷來(lái)存儲(chǔ)信息,一旦掉電信息會(huì)全部的丟失,由于柵極會(huì)漏電,所以每隔一定的時(shí)間就需要一個(gè)刷新機(jī)構(gòu)給這些柵電容補(bǔ)充電荷,并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補(bǔ)充電荷,這個(gè)就叫動(dòng)態(tài)刷新,所以稱其為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-05-19 15:59:37
X-ray無(wú)損檢測(cè)設(shè)備作為一種重要的檢測(cè)設(shè)備,其使用成本的降低不僅對(duì)企業(yè)的發(fā)展有著顯著的價(jià)值,同時(shí)也有利于提高整個(gè)行業(yè)的經(jīng)濟(jì)效益。因此,如何有效降低X-ray無(wú)損檢測(cè)設(shè)備的使用成本,成為企業(yè)關(guān)注
2023-05-19 09:45:43338 其數(shù)據(jù)始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無(wú)限的續(xù)航特性,它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39268 單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢?
2023-05-10 15:17:56
80C51單片機(jī)中存儲(chǔ)器是RAM和ROM分開編址的嗎?求解答
2023-05-09 16:04:22
S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲(chǔ)芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執(zhí)行)性能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)系統(tǒng)。可以取代具有相同功能和非易失性的閃存、FeRAM或(nv)SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式,以允許帶寬擴(kuò)展選項(xiàng)。
2023-04-27 17:33:44420 通過(guò)quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí),應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21
關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。在第十三章以及第二十七章,已講解存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器傳輸方式以及存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式,本章將講解DMA外設(shè)到存儲(chǔ)器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè),通過(guò)串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開發(fā)板并通過(guò)串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。前面已講解過(guò)關(guān)于存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸方式,本章將講解存儲(chǔ)器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會(huì)講解外設(shè)到存儲(chǔ)器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462542 51單片機(jī)外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器最大的容量是多少?可以達(dá)到50MB嗎?用的是什么芯片?
2023-04-19 16:34:36
本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
我想將 iMX RT1024 連接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 數(shù)據(jù)表聲明它與 SRAM 接口兼容但是,通過(guò)比較 MR5A16A 數(shù)據(jù)表和 iMX RT1024 參考手冊(cè)
2023-04-17 07:52:33
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP(就地執(zhí)行)功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SPl(串行外圍接口)是一個(gè)帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號(hào)的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 存儲(chǔ)設(shè)備,包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無(wú)需持續(xù)供電,即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
的可擦寫次數(shù)多,并且性能有所提高。如果這兩種存儲(chǔ)器的成本一樣,肯定會(huì)選擇MRAM。當(dāng)采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產(chǎn)時(shí),將有可能實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代。原作者:宇芯電子
2023-04-07 16:41:05
/寫存儲(chǔ)器,在斷電時(shí)無(wú)需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述:MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者:宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
SHARCVW/5MRAM;AUDIODECODERS
2023-04-06 11:21:52
MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 2.7V~3.6V 256Mb
2023-04-06 11:14:58
MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 UDFN8_2X3MM_EP VCC=1.8V~5.5V
2023-04-06 11:13:38
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器,如果可能,我們?nèi)绾问褂谩U?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來(lái)說(shuō),可以分為兩類,一類就是易失性存儲(chǔ)器,一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看,易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 在PLC(可編程邏輯控制器)產(chǎn)品中,MRAM芯片的應(yīng)用也日漸普及,本文將介紹MRAM芯片應(yīng)用于PLC產(chǎn)品上的特性。--代理商:吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:221169 MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 4.5V~5.5V 140mA TQFP52_10X10MM
2023-03-27 13:44:37
評(píng)論
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