MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固態硬盤（SSD）可延長壽命
2024-03-18 10:24:36
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MR25H256 MRAM 存儲器 mikroBUS? Click? 平臺評估擴展板
2024-03-14 22:03:11
什么是固態電容 固態電容的作用以及優點 固態電容與電解電容的區別? 固態電容，也被稱為固體電容器或超級電容器，是一種具有非常高能量和功率密度的電容器。與傳統的電解電容器相比，固態電容具有更大的容量
2024-03-05 17:29:04259 晶體三極管的結構和作用以及工作原理? 晶體三極管是一種半導體器件，廣泛應用于電子電路中。它由三個區域構成，分別是一個N型半導體區域（稱為發射區或發射極）、一個P型半導體區域（稱為基區或基極）和再一
2024-03-05 16:47:39183 瑞薩日前宣布，公司已基于STT-MRAM的電路技術開發出具有快速讀寫能力的測試芯片。該MCU 測試芯片采用 22 納米工藝制造，包括一個 10.8Mbit嵌入式 MRAM 存儲單元陣列。
2024-03-05 10:05:46194 
我們知道，自上個世紀90年代以來，WDM波分復用技術已被用于數百甚至數千公里的長距離光纖鏈路。對大多數國家地區而言，光纖基礎設施是其最昂貴的資產，而收發器組件的成本則相對較低。
2024-02-21 09:34:20300 
晶振（Crystal Oscillator）是一種用于產生穩定頻率的電子元件，主要應用在數字電路、通信設備、計算機等各種電子產品中。晶振通常由DAC8043AFSZ晶體諧振器和放大器組成，能夠根據晶體的晶格結構和厚度，精確地產生固定頻率的振蕩信號。
2024-02-20 14:40:4678 MRAM是以磁性隧道結（MTJ）儲存單元為基礎。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結便會顯現出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。
2024-02-19 11:32:41367 
臺積電近日宣布，與工研院合作開發出自旋軌道轉矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類似技術的1%。這一創新技術為次世代存儲器領域帶來了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 MRAM的基本結構是磁性隧道結，研發難度高，目前主要分為兩大類：傳統MRAM和STT-MRAM，前者以磁場驅動，后者則采用自旋極化電流驅動。
2024-01-22 10:50:50123 
據報道，全球領先的半導體制造公司臺積電在次世代MRAM存儲器相關技術方面取得了重大進展。該公司成功開發出自旋軌道轉矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，并搭配創新的運算架構，使其功耗僅為其他類似技術的1%。
2024-01-19 14:35:126646 臺積電在MRAM技術方面已經取得了顯著進展，成功研發了22納米、16/12納米工藝的MRAM產品線，并積累了大量內存和車用市場訂單。
2024-01-18 16:44:044838 鑒于AI、5G新時代的到來以及自動駕駛、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用對更高效率、穩定性和更低功耗的內存的需求愈發緊迫，如磁阻式隨機存取內存（MRAM）這樣的新一代內存技術已成為眾多廠商爭相研發的重點。
2024-01-18 14:44:00838 MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態”的1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）體系結構作為數據存儲元素。
2024-01-09 14:24:03208 
MRAM是以磁性隧道結（MTJ）儲存單元為基礎。MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結便會顯現出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。
2024-01-09 11:15:26200 
最近，Imec公布的超大規模自旋軌道轉移MRAM (SOT-MRAM) 器件已實現創紀錄的性能，每比特開關能量低于100飛焦耳，耐用性超過10的15次方。
2024-01-05 11:47:18428 
晶振的負載電容和等效電阻的概念、作用以及計算方法? 晶振（也稱為晶體振蕩器）是電子產品中常用的一種振蕩源，它能夠提供穩定頻率的信號，用于各種計時和時序控制應用。晶振的正常工作需要合適的負載電容和等效
2024-01-03 15:47:35385 型號: STT5PF20V-VB絲印: VB8338品牌: VBsemi參數:- 封裝: SOT23-6- 溝道類型: P-Channel- 最大電壓(Vds): -30V- 最大電流(Id
2024-01-03 11:35:45
“與MRAM相比，ReRAM有兩個主要優勢——工藝簡單和更寬的讀取窗口，”的內存技術專家Jongsin Yun說西門子EDA。“MRAM需要10層以上的堆疊，所有這些都需要非常精確地控制，才能形成匹配的晶體蛋白。
2023-11-22 17:16:15297 
目前三星仍然是全球專利第一，2002年三星宣布研發MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對MRAM的研發一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發逐漸走向低調。
2023-11-22 14:43:53213 
變壓器的作用以及其在改變相位方面的應用 變壓器是一種能夠改變交流電電壓大小的電氣設備，其中主要包括互感器和繞組，在電力系統中具有極其重要的作用。變壓器主要用于電網輸電、配電和功率變換等環節，同時
2023-11-20 14:44:12500 STT2408A50 可控硅規格書參數資料下載。
2023-11-15 14:44:11
0 DRAM有多種類型可供選擇。有些速度非常快，如HBM，但也很昂貴。其他類型速度較慢，但價格便宜，如基本的DDR DIMM。然而，變化的是，在異構架構中，兩者都可以發揮重要作用，以及多種其他DRAM類型和更狹義的存儲器，如MRAM或ReRAM。
2023-11-15 11:27:13243 
隨著相變存儲器 (PCM)、STT-MRAM、憶阻器和英特爾的 3D-XPoint 等技術的快速發展，高速的、可字節尋址的新興 NVM 的產品逐漸涌現于市場中
2023-11-14 09:28:10418 
2023年，工商業儲能引起業界廣泛關注，更被稱之為“工商業儲能元年”。伴隨著市場需求的爆發，眾多企業開始了在工商業儲能產品的布局，新品逐一亮相，在眾多入局企業當中，有一股趨勢不容忽視——即光伏德業逆變器龍頭。憑借在分布式光伏市場的客戶積累，光伏逆變器龍頭在工商業儲能似乎更加游刃有余，得心應手。 隨著現代科技的進步，Deye逆變器的出現為大家的生活提供了不小的便利，逆變器是把直流電能（電池、蓄電瓶）轉變成交流電（
2023-10-30 16:50:08515 
磁環的基本概念、功能、應用以及未來的發展趨勢? 磁環是一種主要用于儲存磁性信息的介質，由一條閉合的磁性材料組成。這種材料可以是硅鋼、鐵氧體、鈷鐵、鐵硼等。磁環內部被分成多個小的磁性區域，每個區域分別
2023-10-25 15:42:55684 探討變壓器的作用以及其在改變相位方面的應用? 變壓器是一種基本的電力設備，可以將交流電的電壓從一種電壓等級轉換到另一種電壓等級。變壓器由兩部分組成，一部分是主線圈，另一部分是副線圈，二者之間通過
2023-10-18 16:59:23443 在當前我們比較熟悉的存儲產品就是DRAM和NAND，DRAM和NAND也一直在尋求高帶寬和低功耗的發展。
2023-10-07 10:18:221688 
微波效應中的作用以及大約20000篇關于微波生物效應的論文表明，目前的國際安全標準并不能預測生物危害。這些標準是基于一種錯誤的假設，即微波和其他低頻EMF暴露的主要影響是由于加熱。據報道，微波暴露
2023-09-26 07:23:25
亙存科技成立于2019年，是一家以mram技術為中心，致力于設計、開發和銷售相關產品的Fabless企業。總公司設在深圳，在上海、蘇州等地設有r&d中心和支持團隊。
2023-09-20 10:27:21660 。
MA8601采用單事務轉換器（STT）和Ganged電源管理來實現經濟高效的解決方案。用戶還可以通過外部
EEPROM*。
MA8601支持針對主流獨立4端口集線器的SSOP28/SOP16包集市
2023-09-19 06:50:19
看完了前面的系列，對于Stageable、StageableKey是如何起作用的應該有一定的了解。今天再來看下Stage中關于terminal的作用
2023-09-02 14:15:32665 作為一種磁性技術，MRAM本質上是抗輻射的。這使得獨立版本在航空航天應用中很受歡迎，而且這些應用對價格的敏感度也較低。它相對較大，在內存領域，尺寸意味著成本。
2023-08-30 15:28:50407 Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數量的引腳來快速存儲、檢索數據和程序的應用程序而言，是最為理想的存儲器。適用于工業設備中的代碼存儲、數據記錄、備份和工作存儲器。可替代Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-07-07 17:06:59262 MRAM在數據記錄應用中，數據記錄是如下持續、反復地將重要數據保存于設備的過程。可以記錄系統內外部發生的事件；使用歷史；環境參數 ；機器狀態；用于分析目的的其他數據。因需要持續、反復地保存數據，內存需要快速的寫入速度與高耐久性。
2023-06-20 17:06:22219 Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片，組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，續航時間無限制。數據在20年以上的時間內始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 為了進行性能比較，使用了三種不同的存儲芯片，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存。
2023-05-31 17:14:24788 
：STT703I
我們的開發板不使用 SN65DSI83 mipi 到 lvds 轉換器。i.MX8M-mini mipi dsi 直接連接到 STT703I 顯示控制器。
我們希望了解 uboot 源文件
2023-05-31 09:01:30
恩智浦和臺積電聯合開發采用臺積電16納米FinFET技術的嵌入式MRAM IP? 借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級，消除量產瓶頸 恩智浦計劃于2025年初推出采用該技術
2023-05-26 20:15:02396 MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術，與傳統的存儲器技術相比，MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。
2023-05-23 17:34:15395 其數據始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續航特性，它適用于工業設計中的代碼存儲、數據記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39268 S3A1604是一種NETSOL MRAM存儲芯片。具有SPI總線接口、XIP(就地執行)性能和基于硬件/軟件的數據保護系統。可以取代具有相同功能和非易失性的閃存、FeRAM或（nv）SRAM。提供SPI、DSPI、QSPI等模式，以允許帶寬擴展選項。
2023-04-27 17:33:44420 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462542 我想將 iMX RT1024 連接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 數據表聲明它與 SRAM 接口兼容但是，通過比較 MR5A16A 數據表和 iMX RT1024 參考手冊
2023-04-17 07:52:33
"HongKe&SADELABS"虹科與SADLABS正式合作！虹科與SADELABS正式合作，致力于提供冷鏈監控和室內跟蹤應用以及智能解決的物聯網方案！Part.01
2023-04-13 11:04:54216 
虹科與SADELABS正式合作，致力于提供冷鏈監控和室內跟蹤應用以及智能解決的物聯網方案！
2023-04-11 15:52:15316 
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP（就地執行）功能和基于硬件/軟件的數據保護機制。SPl（串行外圍接口）是一個帶有命令、地址和數據信號的同步串行通信接口。
2023-04-07 17:02:07758 自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現有存儲器的優點，同時在性能方面又超過了現有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運行，但還允許系統設計人員利用MRAM的四倍隨機存取周期時間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
2023-04-06 18:38:17
IC DVR LOW SIDE SOT-223-4
2023-04-06 18:38:17
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
2023-04-06 18:38:17
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
2023-04-06 18:38:09
BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
2023-04-06 18:38:04
BUFFER/INVERTER PERIPHL DRIVER
2023-04-06 18:38:01
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
2023-04-06 18:37:01
IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN
2023-04-06 16:00:29
SHARCVW/5MRAM;AUDIODECODERS
2023-04-06 11:21:52
MRAM磁性隨機存儲器 2.7V~3.6V 256Mb
2023-04-06 11:14:58
MRAM磁性隨機存儲器 UDFN8_2X3MM_EP VCC=1.8V~5.5V
2023-04-06 11:13:38
IC MOTOR DRIVER 5V-34V SOT223
2023-04-06 10:21:50
電機驅動器及控制器 VD=5V~34V PD=1.19W
2023-04-06 10:21:43
DIPSOCKETS
2023-04-04 21:24:50
CONN IC DIP SOCKET 32POS TIN
2023-04-04 21:24:44
DIPSOCKETS
2023-04-04 21:24:36
DIPSOCKETS
2023-04-04 21:24:29
DIPSOCKETS
2023-04-04 21:24:20
DIPSOCKETS
2023-04-04 21:24:15
CONN IC DIP SOCKET 14POS TIN
2023-04-04 21:24:11
IC MRAM 1MBIT 35NS 32SOIC
2023-04-04 20:35:38
IC MRAM 256KBIT 35NS 32SOIC
2023-04-04 20:35:38
L6520, STT13005D - Lighting, Ballast Control Evaluation Board
2023-03-30 11:45:44
PLIERSCOMBOFLATNOSE9.38"
2023-03-29 21:01:11
PGR-6200 TUTORIAL SOFTWARE
2023-03-29 20:07:30
SCR 1.5A 50V SOT-223
2023-03-29 18:34:38
SCR 1.5A 400V SOT-223
2023-03-29 18:34:30
SCR 600V 1.5A Sensitive Gate Surface Mount SOT-223
2023-03-29 18:33:48
在PLC(可編程邏輯控制器)產品中，MRAM芯片的應用也日漸普及，本文將介紹MRAM芯片應用于PLC產品上的特性。--代理商：吉芯澤科技
2023-03-29 16:31:221169 
TRANS NPN 400V 2A SOT-32FP
2023-03-29 15:59:00
TRANS NPN 400V 2A SOT-32
2023-03-29 15:55:38
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT-223-4
2023-03-29 11:43:24
MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-6
2023-03-29 10:55:04
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
2023-03-29 10:02:08
MOSFET N-CH 20V SOT23-6
2023-03-29 10:01:58
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
2023-03-29 09:56:40
MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-6
2023-03-28 22:30:50
MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6
2023-03-28 22:18:08
FET LOW SIDE DRIVER
2023-03-27 12:54:48
CONN IC DIP SOCKET 8POS TIN
2023-03-23 03:37:40
電子發燒友App
工商網監
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