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標(biāo)簽 > nmos
NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。
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Resistor不單獨(dú)用于芯片的ESD保護(hù),它往往用于輔助的ESD保護(hù),如芯片Input第一級(jí)保護(hù)和第二級(jí)保護(hù)之間的限流電阻。如圖5,當(dāng)ESD電流過(guò)大,...
PMOS和NMOS是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的兩種類型。 PMOS和NMOS是MOSFET的兩種互補(bǔ)型式,也稱為CMOS技術(shù),其...
2023-12-07 標(biāo)簽:電路NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 6260 1
N-MOS電路是一種基本的邏輯門電路,它在數(shù)字電子電路中起著重要的作用。在本文中,我們將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地探討N-MOS電路的基本原理、特性以及邏輯表達(dá)...
2023-12-07 標(biāo)簽:電路NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1934 0
ESD防護(hù)應(yīng)用:GGNMOS和GCNMOS對(duì)比分析
GCNMOS的工作原理與GGNMOS不同,GGNMOS是利用體寄生三極管的開(kāi)啟進(jìn)行ESD靜電流的泄放通路,而GCNMOS則利用了NMOS器件的溝道作為泄放通道。
PMOS和NMOS開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì) MOS管做開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)和注意點(diǎn)
一說(shuō)到開(kāi)關(guān),我們腦海中首先浮現(xiàn)的就是各式各樣的機(jī)械開(kāi)關(guān),常見(jiàn)的有自鎖開(kāi)關(guān)、撥碼開(kāi)關(guān)、船型開(kāi)關(guān)等等。區(qū)別于這類常見(jiàn)的機(jī)械開(kāi)關(guān),我們?cè)陔娮与娐分谐S玫倪€有各...
常見(jiàn)NMOS和PMOS的原理與區(qū)別 MOS管應(yīng)用電路設(shè)計(jì)
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor F...
低功耗架構(gòu)設(shè)計(jì)需要前后端拉通規(guī)劃,前端設(shè)計(jì)有PMU功耗管理單元,比如A模塊電壓常開(kāi),B模塊電壓可關(guān)斷,那么請(qǐng)思考,當(dāng)B模塊關(guān)斷電壓后,B模塊輸出到A模塊...
2023-11-24 標(biāo)簽:模塊NMOS芯片設(shè)計(jì) 1847 0
場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,它可以用來(lái)放大或者控制電流 。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同,場(chǎng)效應(yīng)管可以分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。其中,...
2023-11-17 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管NMOS 5666 0
在電子產(chǎn)品中,一般會(huì)有防反接的要求,如果不防反,在誤插反的情況下很容易讓控制器燒毀。所以防反是及其有必要的。
2023-11-14 標(biāo)簽:電子產(chǎn)品二極管保險(xiǎn)絲 7012 0
今天給大家說(shuō)一個(gè)很實(shí)用的小技能,用萬(wàn)用表去檢測(cè)MOS管好壞的方法,這里以N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(N MOS管)為例給大家說(shuō)一下
2023-11-13 標(biāo)簽:萬(wàn)用表場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 3061 0
怎樣使用場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行信號(hào)放大的應(yīng)用呢?
與三極管一樣,場(chǎng)效應(yīng)管不僅可以對(duì)模擬信號(hào)放大,也可作為控制開(kāi)關(guān)使用,之所以我們將開(kāi)關(guān)電路(而不是放大電路)的應(yīng)用提前介
2023-11-10 標(biāo)簽:繼電器上拉電阻場(chǎng)效應(yīng)管 3061 1
MOSFET器件手冊(cè)關(guān)鍵參數(shù)解讀
我一直認(rèn)為,對(duì)于電子工程師來(lái)講,最好的學(xué)習(xí)資料就是芯片或者電子器件的數(shù)據(jù)手冊(cè),可能一開(kāi)始讀起來(lái)會(huì)很吃力,但只要你能堅(jiān)持住,并且本著一種不懂就問(wèn),不會(huì)就查...
使用耗盡型MOSFET簡(jiǎn)化PD3.1快充設(shè)計(jì)(上)
盡管說(shuō)如今的充電器,集成度越來(lái)越高,外圍器件的數(shù)量越來(lái)越少。但是PD3.1的推出,支持28V及以上的輸出電壓,更寬的輸出電壓范圍,超出了高耐壓的原邊控制...
淺談MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的分類及工作原理
JFET工作電流很小,適合于模擬信號(hào)放大,分為N溝道和P溝道兩種。與雙極型晶體管中的NPN和PNP類似,N溝道和P溝道僅是工作電流的方向相反。 而...
2023-11-04 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管NMOS 3068 0
在測(cè)試BUCK的開(kāi)關(guān)波形時(shí),經(jīng)常看到不同芯片波形不一樣,比如有的上管導(dǎo)通前有下沖,導(dǎo)通后有過(guò)沖,斷開(kāi)后有下沖,有的除了有過(guò)沖外,還有振蕩的情況,比如下圖...
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