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標(biāo)簽 > nmos

nmos

+關(guān)注3人關(guān)注

NMOS意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。

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nmos技術(shù)

常用的ESD保護(hù)器件及原理

常用的ESD保護(hù)器件及原理

Resistor不單獨(dú)用于芯片的ESD保護(hù),它往往用于輔助的ESD保護(hù),如芯片Input第一級(jí)保護(hù)和第二級(jí)保護(hù)之間的限流電阻。如圖5,當(dāng)ESD電流過(guò)大,...

2023-12-07 標(biāo)簽:電阻ESDNMOS 9373 0

pmos和nmos組成構(gòu)成什么電路

PMOS和NMOS是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的兩種類型。 PMOS和NMOS是MOSFET的兩種互補(bǔ)型式,也稱為CMOS技術(shù),其...

2023-12-07 標(biāo)簽:電路NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 6260 1

nmos電路邏輯表達(dá)式

N-MOS電路是一種基本的邏輯門電路,它在數(shù)字電子電路中起著重要的作用。在本文中,我們將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地探討N-MOS電路的基本原理、特性以及邏輯表達(dá)...

2023-12-07 標(biāo)簽:電路NMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1934 0

ESD防護(hù)應(yīng)用:GGNMOS和GCNMOS對(duì)比分析

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GCNMOS的工作原理與GGNMOS不同,GGNMOS是利用體寄生三極管的開(kāi)啟進(jìn)行ESD靜電流的泄放通路,而GCNMOS則利用了NMOS器件的溝道作為泄放通道。

2023-12-06 標(biāo)簽:電阻ESDNMOS 1.4萬(wàn) 0

PMOS和NMOS開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì) MOS管做開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)和注意點(diǎn)

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一說(shuō)到開(kāi)關(guān),我們腦海中首先浮現(xiàn)的就是各式各樣的機(jī)械開(kāi)關(guān),常見(jiàn)的有自鎖開(kāi)關(guān)、撥碼開(kāi)關(guān)、船型開(kāi)關(guān)等等。區(qū)別于這類常見(jiàn)的機(jī)械開(kāi)關(guān),我們?cè)陔娮与娐分谐S玫倪€有各...

2023-12-03 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體MOS管 1.7萬(wàn) 0

流片Corner Wafer介紹

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芯片制造是一個(gè)物理過(guò)程,存在著工藝偏差(包括摻雜濃度、擴(kuò)散深度、刻蝕程度等),導(dǎo)致不同批次之間,同一批次不同晶圓之間,同一晶圓不同芯片之間情況都是不相同...

2023-12-01 標(biāo)簽:晶圓NMOS芯片制造 3729 0

常見(jiàn)NMOS和PMOS的原理與區(qū)別 MOS管應(yīng)用電路設(shè)計(jì)

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MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor F...

2023-12-01 標(biāo)簽:MOSFETNMOS晶體管 1.6萬(wàn) 0

低功耗isolation cell設(shè)計(jì)

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低功耗架構(gòu)設(shè)計(jì)需要前后端拉通規(guī)劃,前端設(shè)計(jì)有PMU功耗管理單元,比如A模塊電壓常開(kāi),B模塊電壓可關(guān)斷,那么請(qǐng)思考,當(dāng)B模塊關(guān)斷電壓后,B模塊輸出到A模塊...

2023-11-24 標(biāo)簽:模塊NMOS芯片設(shè)計(jì) 1847 0

開(kāi)關(guān)電容高速比較器電路分析

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《A 14 Bit 1 GSs RF Sampling Pipelined ADC With Background Calibration》所述的開(kāi)關(guān)電...

2023-11-23 標(biāo)簽:電路分析NMOS比較器 1870 0

場(chǎng)效應(yīng)管的介紹和用途

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場(chǎng)效應(yīng)管是一種半導(dǎo)體器件,它可以用來(lái)放大或者控制電流 。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同,場(chǎng)效應(yīng)管可以分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)。其中,...

2023-11-17 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管NMOS 5666 0

防反接電路的幾種實(shí)現(xiàn)方法

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在電子產(chǎn)品中,一般會(huì)有防反接的要求,如果不防反,在誤插反的情況下很容易讓控制器燒毀。所以防反是及其有必要的。

2023-11-14 標(biāo)簽:電子產(chǎn)品二極管保險(xiǎn)絲 7012 0

介紹幾種防反接電路設(shè)計(jì)

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我們會(huì)在電源電路的輸入側(cè)看到防反電路,在不同的電路中防反接用的器件不一樣,他們存在以下的區(qū)別。

2023-11-14 標(biāo)簽:二極管NMOS電源電路 1317 0

分享一種用萬(wàn)用表去檢測(cè)MOS管好壞的方法

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今天給大家說(shuō)一個(gè)很實(shí)用的小技能,用萬(wàn)用表去檢測(cè)MOS管好壞的方法,這里以N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管(N MOS管)為例給大家說(shuō)一下

2023-11-13 標(biāo)簽:萬(wàn)用表場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 3061 0

怎樣使用場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行信號(hào)放大的應(yīng)用呢?

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與三極管一樣,場(chǎng)效應(yīng)管不僅可以對(duì)模擬信號(hào)放大,也可作為控制開(kāi)關(guān)使用,之所以我們將開(kāi)關(guān)電路(而不是放大電路)的應(yīng)用提前介

2023-11-10 標(biāo)簽:繼電器上拉電阻場(chǎng)效應(yīng)管 3061 1

MOSFET器件手冊(cè)關(guān)鍵參數(shù)解讀

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我一直認(rèn)為,對(duì)于電子工程師來(lái)講,最好的學(xué)習(xí)資料就是芯片或者電子器件的數(shù)據(jù)手冊(cè),可能一開(kāi)始讀起來(lái)會(huì)很吃力,但只要你能堅(jiān)持住,并且本著一種不懂就問(wèn),不會(huì)就查...

2023-11-08 標(biāo)簽:原理圖MOSFETMOS管 2439 0

使用耗盡型MOSFET簡(jiǎn)化PD3.1快充設(shè)計(jì)(上)

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盡管說(shuō)如今的充電器,集成度越來(lái)越高,外圍器件的數(shù)量越來(lái)越少。但是PD3.1的推出,支持28V及以上的輸出電壓,更寬的輸出電壓范圍,超出了高耐壓的原邊控制...

2023-11-08 標(biāo)簽:MOSFET充電器控制器 1074 0

淺談MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的分類及工作原理

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JFET工作電流很小,適合于模擬信號(hào)放大,分為N溝道和P溝道兩種。與雙極型晶體管中的NPN和PNP類似,N溝道和P溝道僅是工作電流的方向相反。 而...

2023-11-04 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管NMOS 3068 0

BUCK電路開(kāi)關(guān)波形分析

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在測(cè)試BUCK的開(kāi)關(guān)波形時(shí),經(jīng)常看到不同芯片波形不一樣,比如有的上管導(dǎo)通前有下沖,導(dǎo)通后有過(guò)沖,斷開(kāi)后有下沖,有的除了有過(guò)沖外,還有振蕩的情況,比如下圖...

2023-11-03 標(biāo)簽:原理圖示波器NMOS 9529 0

前端工程師應(yīng)該知道的一些layout技能

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數(shù)字電路中,可能會(huì)有上萬(wàn)個(gè)互聯(lián)的反相器,而在模擬電路中卻看不到上萬(wàn)個(gè)放大器。

2023-10-31 標(biāo)簽:NMOS反相器Layout 1900 0

芯片外圍電路如何比較兩個(gè)不同阻值的大小呢?

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在一些芯片外圍電路中有時(shí)需要引腳接不同的阻值以對(duì)應(yīng)不同的功能或狀態(tài),這往往需要比較電阻阻值的大小,類似于電壓比較器

2023-10-29 標(biāo)簽:三極管NMOS電壓比較器 1907 0

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酒醒微涼 你眼睛好漂亮 Alondra

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