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標簽 > SiC MOSFET
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探討1,200-V 300-A SiC MOSFET對開關頻率的影響
由于快速的開關,傳導損耗和擊穿電壓的增加,在現代工業應用中增加了SiC MOSFET的使用。通過最快速的開關速度和更高的頻率賦能,該框架減小了尺寸并提高...
2021-03-19 標簽:MOSFET開關頻率SiC MOSFET 7628 0
在本系列的前幾篇文章中[1-7],我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發的25 kW EV快充系統。
SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現負壓?
用+14V左右的穩壓管Z1加上Z2管正向導通壓降,在開通時候將電壓穩定在+15V左右,這樣在開關管導通時電容C10上就會有3V壓降。
2021-12-06 標簽:單電源SiC MOSFET 4892 0
SiC MOSFET替代Si MOSFET,自舉電路是否適用?
自舉式懸浮驅動電路可以極大的簡化驅動電源的設計,只需要一路電源就可以驅動上下橋臂兩個開關管的驅動,可以節省Si MOSFET功率器件方案的成本。
2022-01-14 標簽:驅動電源自舉電路SiC MOSFET 3779 0
高壓 SiC MOSFET 由于其單極工作模式,高擊穿電壓將嚴重限制器件的導通電流能力。例如對于10 kV 等級器件來說,室溫下其電流等級約為 20~4...
2023-02-03 標簽:SiCSiC MOSFET 3674 0
過去,牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而,隨著半導體技術的進步,碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管具有比 IGBT 更高的...
2022-10-11 標簽:ti柵極驅動器SiC MOSFET 3168 0
作者:Martin Warnke和Yazdi Mehrdad Baghaie 各種拓撲結構中SiC MOSFET的出現大大提高了性能和效率。但是,如果使...
2021-03-11 標簽:MOSFETSiC MOSFET 2976 0
如何復制下一代柵極驅動光電耦合器的改進,以驅動和保護SiC MOSFET
為了匹配CREE SiC MOSFET的低開關損耗,柵極驅動器必須能夠以快速壓擺率提供高輸出電流和電壓,以克服SiC MOSFET的柵極電容。
2021-05-24 標簽:光電耦合器柵極驅動器SiC MOSFET 2965 0
隨著云計算的概念越來越流行,數據量越來越大,數據中心每天都在改進,最終開始以更快的速度增長。它們已成為最大和最快的能源消耗來源,而 UPS(不間斷電源)...
2021-06-14 標簽:整流器碳化硅SiC MOSFET 2901 0
類別:電源技術 2018-03-13 標簽:SiC MOSFET 1435 0
SiC MOSFET與SiC SBD換流單元瞬態模型立即下載
類別:電工論文網 2018-02-01 標簽:SiC MOSFET 966 0
類別:模擬數字論文 2023-11-30 標簽:直流變換器驅動電路SiC MOSFET 318 0
1200 V,80 mΩ,N溝道SiC MOSFET初步數據表立即下載
類別:電子資料 2024-01-03 標簽:NexperiaSiC MOSFET 212 0
NSF040L3A0:1200伏,40米?,NN溝道SiC MOSFET應用指南立即下載
類別:電子資料 2023-12-19 標簽:SiC MOSFET 180 0
NSF080120L3A0:1200 V,80 mΩ,N溝道SiC MOSFET一般說明立即下載
類別:電子資料 2023-12-19 標簽:SiC MOSFET 163 0
富昌電子SiC設計分享(二):碳化硅器件驅動設計之寄生導通問題探討
作者:富昌電子 星空 ??校稿:富昌電子 蕭峰 ? 富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業的技術服務,為客戶打造個性化的解決方...
2024年SiC的市場規模將達19.3億美元,英飛凌擴展SiC MOSFET產品線
根據2019年Yole發布的SiC市場報告,2018年SiC的市場規模約為4.2億美元,該機構預計SiC市場的年復合增長率為29%,也就是說到2024年...
電力電子產業未來的發展趨勢之一便是使用更高的開關頻率以獲得更緊密的系統設計,而在高開關頻率高功率的應用中,SiC器件優勢明顯,這就使得SiC MOSFE...
2021-08-13 標簽:電荷硅材料SiC MOSFET 7421 0
環境和能源問題是一個重要的全球性問題。同時,隨著電力需求持續升高,對節能的呼聲以及對高效、緊湊型電力轉換系統的需求也迅速增加。而在這其中,功率半導體扮演...
2021-08-02 標簽:SiC MOSFET 4681 0
Nexperia發布增強型電熱模型 羅姆開發8英寸新一代SiC MOSFET
基本半導體專家Nexperia今天宣布為其 MOSFET 器件發布新的增強型電熱模型。半導體制造商通常會為其 MOSFET 提供仿真模型,但這些模型通常...
電子發燒友網報道(文/李誠)功率器件從硅基向碳化硅的轉型,成為了半導體集成電路領域快速發展的一個縮影,對整個電力電子行業的發展具有重大的影響。 ? 碳化...
2021-11-12 標簽:SiC二極管SiC MOSFET基本半導體 4080 0
瑞能最新推出1700V SiC MOSFET提升效率和輸出功率的目的
相比于硅基高壓器件,碳化硅開關器件擁有更小的導通電阻和開關損耗。電力電子系統需要輔助電源部分用來驅動功率器件,為控制系統及散熱系統等提供電源。額定電壓1...
研華DeviceOn/BI通過工業案例審核 羅姆SiC MOSFET發揮性能優勢
近日,上汽大眾與臻驅科技聯合開發的首款基于SiC技術的 “三合一”電橋完成試制。
2022-03-28 標簽:研華羅姆SiC MOSFET 3363 0
性價比:SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點
Si MOSFET管因為其輸入阻抗高,隨著其反向耐壓的提高,通態電阻也急劇上升,從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件,具有飽和電...
2015-10-14 標簽:MOSFETSiC MOSFET 3015 0
新應用不斷涌現,這就需要有高壓開關技術,而且與硅 IGBT 和 IGCT 技術相比,該技術的系統平衡成本和運行損耗要顯著降低。該技術的應用范圍非常廣,從...
2020-02-24 標簽:sic器件硅技術SiC MOSFET 2600 0
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