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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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UCC14141-Q1 汽車級 1.5W、12V VIN、25V VOUT 高密度 >5kVRMS 隔離式直流/直流模塊數據手冊
UCC14141-Q1 是一款符合汽車標準的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅動器供電。UCC14141-Q1 將變...
使用安森美Elite Power仿真工具的125KW儲能系統設計
安森美(onsemi)近期推出的開發工具試用活動已圓滿收官,本次活動吸引了眾多工程師的積極參與,通過實際應用體驗安森美先進的開發工具,共同挖掘其在設計中...
TMS320F280034-Q1 汽車級 C2000? 32 位 MCU 120MHz 128KB 閃存數據手冊
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列可擴展、超低延遲器件專為提高電力電子效率而設計,包括但不...
F29H850TU C2000? 64 位 MCU,帶 C29x 200MHz 三核技術手冊
F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實時微控制器系列的成員,該系列是可擴展、超低延遲的器件,旨在提高電力電子器件的效率,包括但不限于:...
創新非對稱瞬態電壓抑制二極管在SiC MOSFET門保護中的應用
保護半導體設備和電子設備是任何穩健的電源管理和電路設計的關鍵。在本文中,我們將重點介紹非對稱瞬態電壓抑制(TVS)二極管系列,這些二極管非常適合用于硅碳...
SiC MOSFET與肖特基勢壘二極管的完美結合,提升電力轉換性能
使用反向并聯的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉換應用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFE...
UCC38C52 商用 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數據手冊
UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器,可在各種應用中驅動 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4...
UCC28C56L 工業級 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數據手冊
UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器,可在各種應用中驅動 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4...
UCC38C53 商用 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數據手冊
UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器,可在各種應用中驅動 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4...
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