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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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引言 碳化硅（SiC）作為一種高性能的半導(dǎo)體材料，因其卓越的物理和化學(xué)性質(zhì)，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，在SiC外...
引言 碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，在功率電子、高頻通信及高溫環(huán)境等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，在SiC外延生長過...
引言 在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化學(xué)特性，如高硬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場強度等，成為制造高功率、高頻電子器件的理想材料。然而，在...
引言 碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)性質(zhì)，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，在SiC晶片的...
2025-02-06 標簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料SiC 90 0
碳化硅（SiC）MOSFET作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，因其高耐壓、低損耗、高頻率等優(yōu)異性能，在電力電子領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，SiCMOSFET在研...
2025-02-06 標簽：MOSFETSiC半導(dǎo)體器件 314 0
SiC外延設(shè)備的復(fù)雜性主要體現(xiàn)在反應(yīng)室設(shè)計、加熱系統(tǒng)和旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)等關(guān)鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長過程中，晶型夾雜和缺陷問題頻發(fā)，嚴重影響外延膜的質(zhì)...
我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件，這相當于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來了...
2025-01-22 標簽：IGBTSiC功率半導(dǎo)體 1484 0
三菱電機開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內(nèi)部...
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件...
碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其耐高壓、耐高溫、高開關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性，在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。...
碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技術(shù)至...
碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，如高硬度、高熔點、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是...
在全球氣候變化日益嚴峻的背景下，節(jié)能減排已成為國際社會共同面臨的重大課題。各國政府紛紛出臺政策，推動能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型和低碳經(jīng)濟發(fā)展，旨在實現(xiàn)《巴黎協(xié)定》設(shè)定...
遠山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常...
隨著DC/DC電源轉(zhuǎn)換器、電動汽車車載充電器(OBC)、工業(yè)電機驅(qū)動器、太陽能逆變器以及牽引逆變器等應(yīng)用對功率密度的需求日益提高，系統(tǒng)的工作溫度也隨之增...
在之前的兩篇推文中粉末純度、SiC晶錠一致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？5步法應(yīng)對碳化硅特定挑戰(zhàn)，mark~，我們介紹了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識、碳化硅制造...
在Si-IGBT的DIPIPM基礎(chǔ)上，三菱電機開發(fā)了超小型全SiC DIPIPM，保持相同的封裝及管腳配置。本文帶你一覽超小型全SiC DIPIPM的優(yōu)勢。
一、引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種具有優(yōu)異物理和化學(xué)性質(zhì)的材料，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。高...
在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中，氮化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）因其優(yōu)異的性能而受到廣泛關(guān)注。SiCMOSFET以其高效率、高溫耐受性...
碳化硅（SiC）作為一種高性能半導(dǎo)體材料，因其出色的熱穩(wěn)定性、高硬度和高電子遷移率，在電力電子、微電子、光電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。在SiC器件的制造過...
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