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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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與MOS不同,IGBT高溫/常溫輸出特性曲線為何有交點(diǎn)?
其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大,導(dǎo)致Vbi隨溫度升高而減小,呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)。
碳化硅功率半導(dǎo)體在新能源汽車的應(yīng)用機(jī)遇
電動(dòng)化成為汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展的潮流和趨勢(shì),對(duì)高速充電的需求持續(xù)提升,而硅的溫度、頻率、功率等性能難以提高,因此具備高能效、低能耗等特征的碳化硅(SiC) 半導(dǎo)...
2023-11-29 標(biāo)簽:新能源汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)半導(dǎo)體材料 478 0
近年來(lái),使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說(shuō)法,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導(dǎo)體)元器件備受矚目。這是因?yàn)椋瑸榱藨?yīng)對(duì)全球共通的“節(jié)...
2023-11-29 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻半導(dǎo)體材料SiC 1038 0
在電源應(yīng)用中,哪怕已經(jīng)確定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、頻率和負(fù)載范圍等需求,工程師短時(shí)間內(nèi)也很難判斷哪一種開(kāi)關(guān)技術(shù)最好……“品質(zhì)因數(shù)”(Figure of Merit, ...
本文介紹了一種3KW雙向變換器的設(shè)計(jì)考慮,該變換器滿足大功率便攜式儲(chǔ)能產(chǎn)品的需求。首先,我們?cè)谠O(shè)計(jì)中比較了幾種功率器件的性能,并指出SiC器件可以提高...
2023-11-27 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器電源電路 3050 0
在汽車和可再生能源領(lǐng)域,英飛凌已經(jīng)獲得了重大的設(shè)計(jì)勝利,相關(guān)客戶的約10億歐元的預(yù)付款將有望在2024年和2025年的財(cái)政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻(xiàn)。英...
什么是異構(gòu)集成?什么是異構(gòu)計(jì)算?異構(gòu)集成、異構(gòu)計(jì)算的關(guān)系?
異構(gòu)集成主要指將多個(gè)不同工藝節(jié)點(diǎn)單獨(dú)制造的芯片封裝到一個(gè)封裝內(nèi)部,以增強(qiáng)功能性和提高性能。
什么是碳化硅功率模塊?為什么碳化硅功率模塊是某些應(yīng)用的首選?
如今,功率半導(dǎo)體使用最廣泛的材料是硅。硅的生產(chǎn)成本低廉,而且該技術(shù)廣為人知。
2023-11-25 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 2850 0
SIC比SI有什么優(yōu)勢(shì)?碳化硅優(yōu)勢(shì)的實(shí)際應(yīng)用
SiC的導(dǎo)熱性大約是Si的三倍,并且將其他特性的所有優(yōu)點(diǎn)結(jié)合在一起。導(dǎo)熱率是指熱量從半導(dǎo)體結(jié)傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達(dá)200°C...
2023-11-23 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器IGBT 2389 0
SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
2023-12-07 標(biāo)簽:二極管SiC柵極驅(qū)動(dòng)電路 710 0
SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
SiC設(shè)計(jì)干貨分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
2023-12-05 標(biāo)簽:SiC驅(qū)動(dòng)電壓SiC MOSFET 2238 0
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為:關(guān)斷時(shí)
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為:關(guān)斷時(shí)
2023-12-05 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電壓柵極 569 0
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