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基于SiC功率模塊的高效逆變器設計
- 電容器(96460)
- 逆變器(200806)
- SiC(61351)
- 功率模塊(44656)
- 寄生電感(14443)
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全球最高水平！輸出功率密度高達60kW/L的SiC逆變器
日本電裝試制出了采用SiC功率元件制成的逆變器。該逆變器的特點是輸出功率密度高達60kW/L，這一數值達到了“全球最高水平”。
2012-05-22 08:55:46
2360
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PV逆變器應用升溫，推動SiC功率元件發展
碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽能（PV）逆變器應用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳統硅功率半導體，提供更高的電源轉換效率，更可減少所需的電容和感測器數量，已吸引愈來愈多太陽能逆變器制造商青睞。
2013-06-25 09:25:301676
1676業界首款全SiC功率模塊問世：開關效率提升10倍
的誕生更加確立了CREE公司在碳化硅功率模塊技術領域的領導地位。該模塊不但能在高頻下工作還具有極低的功耗，非常適用于高功率電機驅動開關和并網逆變器等應用。目前世強已獲授權代理SiC系列產品。
2015-10-14 09:52:221925
1925SiC逆變器中基于MLCC的高效電容器解決方案
在設計寬帶隙子系統（例如SiC逆變器和LLC諧振轉換器）時，在一些應用中，KEMET的I類MLCC，KC-LINK可以用作合適的高效電容器解決方案。 在SiC逆變器中，DC-Link電容器需要
2021-03-30 11:03:023679
3679CISSOID、NAC和Advanced Conversion三強聯手開發 高功率密度碳化硅（SiC）逆變器
/ESL直流支撐（DC-Link）電容器，可進一步與控制器板和液體冷卻器集成，為電機驅動器的高功率密度和高效率SiC逆變器（見下圖）的設計提供完
2022-06-23 10:23:58570
570
SiC功率模塊和SiC MOSFET單管不同的散熱安裝形式
在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發的25 kW EV快充系統。
2022-06-29 11:30:505045
5045SiC功率器件和模塊！
在很寬的范圍內實現對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產。
2022-11-22 09:59:261373
1373SiC功率模塊封裝技術及展望
SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結了近年來封裝形式的結構優化和技術創新，包括鍵合式功率模塊的金屬鍵合線長度、寬度和并聯
2023-01-07 10:24:371062
1062基于SiC功率模塊的高效逆變器設計方案
適用SiC逆變器的各要素技術(SiCpower module,柵極驅動回路,電容器等)最優設計與基準IGBT對比逆變器能量損失減少→EV續駛里程提升(5%1)
2024-01-26 10:25:44144
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SiC MOSFET模塊串擾應用對策
SiC MOSFET模塊目前廣泛運用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風電、智能電網等領域[2-9] ，展示了新技術的優良特性。
2024-02-19 16:29:22206
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如何實現高功率密度三相全橋SiC功率模塊設計與開發呢？
為滿足快速發展的電動汽車行業對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設計與開發，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377
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SiC GaN有什么功能？
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
SiC MOSFET：經濟高效且可靠的高功率解決方案
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
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SiC/GaN功率開關有什么優勢
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現更緊
2018-10-30 11:48:08
SiC功率模塊的柵極驅動其1
從本文開始將探討如何充分發揮全SiC功率模塊的優異性能。此次作為柵極驅動的“其1”介紹柵極驅動的評估事項，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅動的評估事項：柵極誤導通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
SiC功率模塊的特征與電路構成
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
SiC功率元器件的開發背景和優點
工作等SiC的特征所帶來的優勢。通過與Si的比較來進行介紹。”低阻值”可以單純解釋為減少損耗，但阻值相同的話就可以縮小元件（芯片）的面積。應對大功率時，有時會使用將多個晶體管和二極管一體化的功率模塊
2018-11-29 14:35:23
SiC功率器件SiC-MOSFET的特點
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
SiC功率器件概述
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
SiC功率器件概述
，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
高效的電動車牽引逆變器設計
的GD3100和GD3160等柵極驅動器實現了智能化并允許編程，不僅可以在惡劣的運行條件下保護SiC或IGBT功率器件，還可以提高系統效率，縮短故障檢測/反應時間。GD3160結構框圖集成的高電壓
2022-09-20 08:00:00
ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業設備功率模塊系列
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
ROHM的SiC SBD成功應用于村田制作所集團旗下企業 Murata Power Solutions的數據中心電源模塊
。特別是對于負責進行通信管理的數據中心而言，其服務器的小型化和效率提升已經成為困擾各制造商的技術難題。在這種背景下，SiC功率器件因其有助于實現電源部分的小型化和高效化而備受期待。Dr.
2023-03-02 14:24:46
【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】微電網結構與控制研究
項目名稱：微電網結構與控制研究試用計劃：本人從事電力電子開發與研究已有10年，目前在進行微電網結構與其控制相關項目，我們擁有兩電平和多電平并網逆變器，需要將逆變器功率器件全部更換為SiC MOS，以
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【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗連載】全SiC MMC實驗平臺設計——功率子模塊驅動選型
項目名稱：全SiC MMC實驗平臺設計——功率子模塊驅動選型試用計劃：申請理由本人在電力電子領域有三年多的學習和開發經驗，曾設計過基于半橋級聯型拓撲的儲能系統，通過電力電子裝置實現電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
【論文】基于1.2kV全SiC功率模塊的輕型輔助電源
逆變器，新的APS的輸出容量為136 kVA。圖31.2kV全SiC功率模塊包括SiC的MOSFET和SiC的SBD3、濾波電路的小型化表2顯示了采用1.7kV混合SiC功率模塊和1.2kV全SiC功率
2017-05-10 11:32:57
使用UCC5870-Q1和UCC5871-Q1增加HEV/EV牽引逆變器的效率
雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導體技術的進步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導體場效應晶體管具有比IGBT更高的開關頻率，不僅可以通過降低電阻和開關損耗提高效率，還可以增加功率和電流密度。在EV牽引
2022-11-03 07:38:51
全SiC功率模塊介紹
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
全SiC功率模塊使逆變器重量減少6kg、尺寸減少43%
減少了19%的體積，并減重2kg。 從第4賽季開始，ROHM將為文圖瑞車隊提供將SiC-MOSFET和SiC-SBD模塊化的全SiC功率模塊，與搭載SiC-SBD的第3賽季逆變器相比，實現了30
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊的開關損耗
全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹，開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關損耗全SiC功率模塊與現有
2018-11-27 16:37:30
基于PrimePACK的大功率光伏逆變器應用
，提高效率主要靠降低 IGBT 模塊的損耗來實現，IGBT 模塊對于提高逆變器效率顯得尤為重要。PrimePACK? 作為英飛凌公司最新一代大功率IGBT 模塊目前已功率應用場合得到了普遍應用。 2
2018-12-07 09:24:53
基于采用功率集成模塊設計的太陽能逆變器
隨著能源和環境問題日益凸顯，太陽能作為一種清潔的可再生能源迅速發展，太陽能發電設施激增，其中逆變器必不可少。安森美半導體的功率集成模塊（PIM）方案提供高能效、高可靠性的逆變器設計。 在電池
2020-10-27 10:15:55
如何使用SiC功率模塊改進DC/DC轉換器設計？
設計方面，SiC功率模塊被認為是關鍵使能技術。 為了提高功率密度，通常的做法是設計更高開關頻率的功率轉換器。 DC/DC 轉換器和應用簡介 在許多應用中，較高的開關頻率會導致濾波器更小，電感和電容值
2023-02-20 15:32:06
如何處理逆變器中高頻漏電？
分布式逆變器持續火熱，包括IGBT，SiC，GaN等核心材料的相對成熟，功率密度要求不斷上升，逆變器的單機功率千瓦數也因此不斷得以提高。占據市場主流的逆變器，功率已經從50~60KW過渡至70
2019-01-10 10:12:47
開關損耗更低，頻率更高，應用設備體積更小的全SiC功率模塊
的開關電源電路相同。另外，SiC-SBD不產生短脈沖反向恢復現象，因此PWM控制無需擔心短脈沖時的異常浪涌電壓。不僅有助于提高逆變器和電源的效率，還可實現小型化，這是全SiC功率模塊的巨大優勢。由
2018-12-04 10:14:32
搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
未來發展導向之Sic功率元器件
”是條必經之路。高效率、高性能的功率元器件的更新換代已經迫在眉睫。“功率元器件”廣泛分以下兩大類：一是以傳統的硅半導體為基礎的“硅（Si）功率元器件”。二是“碳化硅（SiC）功率元器件”，與Si半導體相比
2017-07-22 14:12:43
淺析SiC功率器件SiC SBD
二極管（FRD:快速恢復二極管），能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅動實現電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應用于空調、電源、光伏發電系統中的功率調節器、電動汽車
2019-05-07 06:21:51
用于快速切換應用的高速混合模塊 高頻逆變器運行期間的功耗可降低約50％
的輸出電流。圖4：逆變器損耗比較后記可以通過使用高速混合模塊實現更高的開關頻率來減少電容器，電感器和變壓器等濾波電路的大批量和大質量。高速IGBT減少的關斷損耗以及SiC-SBD引起的低導通和反向恢復
2020-09-02 15:49:13
用于汽車應用的碳化硅MOSFET功率模塊
HPD系列是1200V三相水冷式SiCMOSFET功率模塊，采用業界公認的汽車封裝，針對牽引逆變器和電機驅動器進行了優化。為了提供汽車級HPDSiC功率模塊
2023-02-20 16:26:24
羅姆成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝
本半導體制造商羅姆面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產品損耗
2019-03-18 23:16:12
車用SiC元件討論
（IPS-RA）4. 航空級智能功率開關（IPS-AA）納/ 微電網與航空電子5.用于奈米／微電網V2G／V2H的高效雙向SiC功率轉換器6.航空電子逆變器。航空電子7. LiPo介面8.引擎控制器- 逆變器該
2019-06-27 04:20:26
采用全SiC模塊解決方案的10kW 3級UPS逆變器可實現高效率并減小尺寸和重量
，汽車等。自從一開始，Fraunhofer ISE就推廣了SiC技術并展示了其優勢，這些設備在系統級為電力電子產品提供通過構建效率很高的緊湊型逆變器。ROHM Semiconductor是功率模擬IC，低
2019-10-25 10:01:08
采用第3代SiC-MOSFET，不斷擴充產品陣容
%。這非常有望進一步實現應用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產品陣容擴充下表為全SiC功率模塊的產品陣容現狀。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的產品陣容中也增添了
2018-12-04 10:11:50
降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱
率，同時提高功率和電流密度。在電動汽車牽引逆變器中驅動 SiC MOSFET，尤其是在功率水平 >100 kW 和 800V 總線下，需要具有可靠隔離技術、高驅動強度以及故障監控和保護功能
2022-11-02 12:02:05
驅動新一代SiC/GaN功率轉換器的IC生態系統
Stefano GallinaroADI公司各種應用的功率轉換器正從純硅IGBT轉向SiC/GaN MOSFET。一些市場（比如電機驅動逆變器市場）采用新技術的速度較慢，而另一些市場（比如太陽能
2018-10-22 17:01:41
三菱電機提供SiC功率半導體模塊樣
三菱電機株式會社定于7月31日開始，依次提供5個品種的SiC功率半導體模塊，以滿足家電產品與工業設備對應用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半導體的需要。在這5種產品中，3種適用于
2012-07-25 15:59:27718
718ROHM擴充“全SiC”功率模塊產品陣容
全球知名半導體制造商ROHM面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出額定1200V/300A的“全SiC”功率模塊“BSM300D12P2E001”。
2015-05-05 14:07:44737
737SiC功率模塊關鍵在價格，核心在技術
日前，碳化硅（SiC）技術全球領導者半導體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應加熱效率達到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產品目標用途包括感應加熱設備、電機驅動器、太陽能和風能逆變器、UPS和開關電源以及牽引設備等。
2015-09-06 17:39:111336
1336日立推出車新型SiC逆變器，電力損耗減少60%
日立運用了以前開發的SiC與GaN并行封裝技術和雙面冷卻型功率模塊技術，開發出了全SiC功率模塊以及采用這種模塊的HEV/EV用逆變器。
2016-09-26 18:06:141442
1442高效率三電平UPS逆變器的功率模塊設計
為了得到高達 20kHz 的開關頻率，賽米控在 SKiM功率模塊中集成了三電平逆變器結構。SKiM IGBT 產品組合為光伏和 UPS 市場上提供了最優的效率。相對于標準兩電平解決方案減少的損耗
2017-11-14 13:03:02
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11何謂全SiC功率模塊?
羅姆在全球率先實現了搭載羅姆生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514
135142018三菱電機功率模塊技術研討會順利落幕
從晶圓制造到模塊生產，從低壓到高壓，山田部長層層剝繭式的演講方式深受觀眾好評。他介紹到，與傳統Si-IGBT模塊相比， SiC功率模塊最主要優勢是開關損耗大幅減小。對于特定逆變器應用，這種優勢
2018-10-19 16:20:514476
4476T型逆變器功率集成模塊的特性與應用介紹
本視頻將通過中點鉗位拓撲對比、T型中點鉗位模塊、對IGBT模塊的高能效優化等內容介紹太陽能逆變器和不間斷電源UPS的T型逆變器功率集成模塊。
2019-03-04 06:25:003873
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一文解析SiC功率器件在充電樁電源模塊中的應用
隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大，充電樁市場發展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現比Si基功率器件更高的開關頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:1813799
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采用GaN和SiC先進開關技術的逆變器
新一代逆變器采用GaN和SiC等先進開關技術。寬帶隙功率開關，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過提高開關頻率來實現。
2019-06-21 06:16:002723
2723高可靠性1700V全SiC功率模塊
ROHM面向以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業設備用電源的逆變器和轉換器，開發出實現行業領先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:522469
2469安森美半導體NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊：高功率低功耗
半導體推出了新的碳化硅功率模塊，適用于太陽能逆變器的使用，目前，該產品已被全球領先的電源和熱管理方案供應商臺達選用于他們的M70A三相光伏組串逆變器。 安森美半導體的NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 m S
2020-10-20 20:39:041448
1448最新高效率光伏逆變器拓撲結構及功率器件介紹
效率正成為電力電子裝置設計中越來越重要的參數。在某些應用中，效率甚至成為行業發展的驅動力，典型的如太陽能發電行業。因為對于光伏發電行業，效率的提升可以直接帶來經濟效益。本文詳細介紹了最新的能夠提供高效率的光伏逆變器拓撲結構和功率器件，包括單相和三相逆變器，功率因數補償對策，高效電流雙向流動逆變器等。
2021-06-23 11:42:0738
38派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產線
自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應用落地。
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環旭電子預計在2022量產電動車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊
搭配電動車市場的快速成長，近年環旭電子（上海證券交易所股票代碼： 601231）開始布局切入功率半導體國際大廠的電源模塊的組裝生產與測試，近期獲得相當多歐美與日系客戶青睞，預計在2022正式量產電動車用逆變器（Inverter）使用的IGBT與SiC電源模塊。
2022-01-10 10:50:40779
779用于SiC應用的低電感可編程柵極驅動器模塊
碳化硅半導體 (SiC) 在工業產品的效率、更高的外形尺寸和工作溫度方面提供了創新技術。SiC 技術現在被廣泛認為是硅的可靠替代品。許多功率模塊和功率逆變器制造商已在其產品路線圖中為 SiC 的使用奠定了基礎。包括 SiC 在內的一些設計挑戰是 EMI、過壓和過熱。
2022-08-05 09:39:25621
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全SiC MOSFET模塊實現系統的低損耗和小型化
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導體器件，在高速開關性能和高溫環境中，優于目前主流應用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業設備
2022-11-06 21:14:51956
956高效SiC功率器件的演進
純SiC晶體是通過Lely升華技術生長的。晶體主要是6H-SiC，但包括其它多型體。1978年，Tairov和Tsvetkov發明了一種可復制的SiC晶塊生長方法。
2022-12-28 11:44:13717
717Ameya360：SiC模塊的特征 Sic的電路構造
一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
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489SiC模塊的特征和電路構成
1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646
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何謂全SiC功率模塊
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685
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全SiC功率模塊使逆變器重量減少6kg、尺寸減少43%
ROHM為參戰2017年12月2日開幕的電動汽車全球頂級賽事“FIAFormula E錦標賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊提供全SiC功率模塊。
2023-02-10 09:41:02320
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1200V耐壓、400A/600A的全SiC功率模塊BSM400D12P3G002和BSM600D12P3G001
ROHM面向工業設備用電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器，開發出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05595
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搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333
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何謂全SiC功率模塊
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430
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全SiC功率模塊的開關損耗
全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹，開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28496
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「芝·解車」蔚來汽車SiC電驅動系統拆解
電機控制器整體重量低于7.5kg，厚度76mm，功率密度為34kW/kg，SiC用在車用逆變器上，可以使開關損耗降低75％（芯片溫度為150°C）。在相同封裝下，全SiC模塊具備更高的電流輸出能力，支持逆變器達到更高功率。
2023-03-30 09:39:251229
1229SiC功率模塊封裝技術：探索高性能電子設備的核心競爭力
隨著電子技術的不斷發展，硅碳化物（SiC）功率模塊逐漸在各領域獲得了廣泛應用。SiC功率模塊具有優越的電性能、熱性能和機械性能，為高性能電子設備提供了強大的支持。本文將重點介紹SiC功率模塊的封裝技術及其在實際應用中的優勢。
2023-04-23 14:33:22850
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ROHM | SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業設備功率模塊系列
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全球知名半導體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353
353不同電壓和功率等級的三菱電機SiC功率器件介紹
除牽引逆變器外，輔助轉換器、鐵路電池充電器和DC-DC轉換器尤其受益于SiC功率模塊帶來的開關頻率提升。開關頻率的增加通常允許減小無源元件（如變壓器、電感器或電容器）的尺寸。此外，較高的開關頻率可能允許使用不同的軟磁芯材料。它提供了提高效率和降低成本的潛力。
2023-10-15 11:40:03471
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提高SiC功率模塊的功率循環能力
在商業應用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨特電氣優勢需要解決由材料機械性能引起的可靠性挑戰。憑借其先進的芯片粘接技術，Vincotech 處于領先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會
2023-10-23 16:49:36372
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車規級功率模塊封裝的現狀，SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規級功率模塊封裝的現狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419
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SiC驅動模塊的應用與發展
SiC驅動器模塊具有較低的功耗、高溫運行能力和快速開關速度等優勢，使其在下一代功率器件中有著廣闊的應用前景。SiC驅動器模塊可以用于電動車的電力系統、可再生能源轉換系統、工業電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257
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設計SiC逆變器有哪些流程
SiC（碳化硅）逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩定性等優點，廣泛應用于電動汽車、可再生能源、電力系統等領域。設計SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產品的性能和可靠性
2024-01-10 14:42:56190
190SiC逆變器的制造流程有哪些
iC逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩定性等優點，廣泛應用于電動汽車、可再生能源、電力系統等領域。制造SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產品的性能和可靠性。以下是制造
2024-01-10 14:55:44137
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水下航行器電機的SiC MOSFET逆變器設計
利用 SiC 功率器件開關頻率高、開關損耗低等優點, 將 SiC MOSFET 應用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進行設計。
2024-03-13 14:31:4668
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工商網監
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