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基于SiC功率模塊的高效逆變器設(shè)計(jì)
- 電容器(96460)
- 逆變器(200806)
- SiC(61351)
- 功率模塊(44656)
- 寄生電感(14443)
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全球最高水平！輸出功率密度高達(dá)60kW/L的SiC逆變器
日本電裝試制出了采用SiC功率元件制成的逆變器。該逆變器的特點(diǎn)是輸出功率密度高達(dá)60kW/L，這一數(shù)值達(dá)到了“全球最高水平”。
2012-05-22 08:55:46
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PV逆變器應(yīng)用升溫，推動(dòng)SiC功率元件發(fā)展
碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽能（PV）逆變器應(yīng)用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳統(tǒng)硅功率半導(dǎo)體，提供更高的電源轉(zhuǎn)換效率，更可減少所需的電容和感測器數(shù)量，已吸引愈來愈多太陽能逆變器制造商青睞。
2013-06-25 09:25:301676
1676業(yè)界首款全SiC功率模塊問世：開關(guān)效率提升10倍
的誕生更加確立了CREE公司在碳化硅功率模塊技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。該模塊不但能在高頻下工作還具有極低的功耗，非常適用于高功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)開關(guān)和并網(wǎng)逆變器等應(yīng)用。目前世強(qiáng)已獲授權(quán)代理SiC系列產(chǎn)品。
2015-10-14 09:52:221925
1925SiC逆變器中基于MLCC的高效電容器解決方案
在設(shè)計(jì)寬帶隙子系統(tǒng)（例如SiC逆變器和LLC諧振轉(zhuǎn)換器）時(shí)，在一些應(yīng)用中，KEMET的I類MLCC，KC-LINK可以用作合適的高效電容器解決方案。 在SiC逆變器中，DC-Link電容器需要
2021-03-30 11:03:023679
3679CISSOID、NAC和Advanced Conversion三強(qiáng)聯(lián)手開發(fā) 高功率密度碳化硅（SiC）逆變器
/ESL直流支撐（DC-Link）電容器，可進(jìn)一步與控制器板和液體冷卻器集成，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的高功率密度和高效率SiC逆變器（見下圖）的設(shè)計(jì)提供完
2022-06-23 10:23:58570
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SiC功率模塊和SiC MOSFET單管不同的散熱安裝形式
在本系列的前幾篇文章中[1-7]，我們介紹了基于安森美豐富的SiC功率模塊和其他功率器件開發(fā)的25 kW EV快充系統(tǒng)。
2022-06-29 11:30:505045
5045SiC功率器件和模塊！
在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373
1373SiC功率模塊封裝技術(shù)及展望
SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合式功率模塊的金屬鍵合線長度、寬度和并聯(lián)
2023-01-07 10:24:371062
1062基于SiC功率模塊的高效逆變器設(shè)計(jì)方案
適用SiC逆變器的各要素技術(shù)(SiCpower module,柵極驅(qū)動(dòng)回路,電容器等)最優(yōu)設(shè)計(jì)與基準(zhǔn)IGBT對比逆變器能量損失減少→EV續(xù)駛里程提升(5%1)
2024-01-26 10:25:44144
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SiC MOSFET模塊串?dāng)_應(yīng)用對策
SiC MOSFET模塊目前廣泛運(yùn)用于新能源汽車逆變器、車載充電、光伏、風(fēng)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域[2-9] ，展示了新技術(shù)的優(yōu)良特性。
2024-02-19 16:29:22206
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如何實(shí)現(xiàn)高功率密度三相全橋SiC功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)呢？
為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377
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SiC GaN有什么功能？
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
SiC MOSFET：經(jīng)濟(jì)高效且可靠的高功率解決方案
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
SiC/GaN功率開關(guān)有什么優(yōu)勢
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會(huì)給方方面面帶來巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
SiC功率模塊的柵極驅(qū)動(dòng)其1
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動(dòng)的“其1”介紹柵極驅(qū)動(dòng)的評估事項(xiàng)，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動(dòng)的評估事項(xiàng)：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
SiC功率模塊的特征與電路構(gòu)成
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)
工作等SiC的特征所帶來的優(yōu)勢。通過與Si的比較來進(jìn)行介紹。”低阻值”可以單純解釋為減少損耗，但阻值相同的話就可以縮小元件（芯片）的面積。應(yīng)對大功率時(shí)，有時(shí)會(huì)使用將多個(gè)晶體管和二極管一體化的功率模塊
2018-11-29 14:35:23
SiC功率器件SiC-MOSFET的特點(diǎn)
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
SiC功率器件概述
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
SiC功率器件概述
，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
高效的電動(dòng)車牽引逆變器設(shè)計(jì)
的GD3100和GD3160等柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)了智能化并允許編程，不僅可以在惡劣的運(yùn)行條件下保護(hù)SiC或IGBT功率器件，還可以提高系統(tǒng)效率，縮短故障檢測/反應(yīng)時(shí)間。GD3160結(jié)構(gòu)框圖集成的高電壓
2022-09-20 08:00:00
ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
ROHM的SiC SBD成功應(yīng)用于村田制作所集團(tuán)旗下企業(yè) Murata Power Solutions的數(shù)據(jù)中心電源模塊
。特別是對于負(fù)責(zé)進(jìn)行通信管理的數(shù)據(jù)中心而言，其服務(wù)器的小型化和效率提升已經(jīng)成為困擾各制造商的技術(shù)難題。在這種背景下，SiC功率器件因其有助于實(shí)現(xiàn)電源部分的小型化和高效化而備受期待。Dr.
2023-03-02 14:24:46
【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗(yàn)連載】微電網(wǎng)結(jié)構(gòu)與控制研究
項(xiàng)目名稱：微電網(wǎng)結(jié)構(gòu)與控制研究試用計(jì)劃：本人從事電力電子開發(fā)與研究已有10年，目前在進(jìn)行微電網(wǎng)結(jié)構(gòu)與其控制相關(guān)項(xiàng)目，我們擁有兩電平和多電平并網(wǎng)逆變器，需要將逆變器功率器件全部更換為SiC MOS，以
2020-04-29 18:26:12
【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】全SiC MMC實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)——功率子模塊驅(qū)動(dòng)選型
項(xiàng)目名稱：全SiC MMC實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)——功率子模塊驅(qū)動(dòng)選型試用計(jì)劃：申請理由本人在電力電子領(lǐng)域有三年多的學(xué)習(xí)和開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，曾設(shè)計(jì)過基于半橋級聯(lián)型拓?fù)涞膬?chǔ)能系統(tǒng)，通過電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
【論文】基于1.2kV全SiC功率模塊的輕型輔助電源
逆變器，新的APS的輸出容量為136 kVA。圖31.2kV全SiC功率模塊包括SiC的MOSFET和SiC的SBD3、濾波電路的小型化表2顯示了采用1.7kV混合SiC功率模塊和1.2kV全SiC功率
2017-05-10 11:32:57
使用UCC5870-Q1和UCC5871-Q1增加HEV/EV牽引逆變器的效率
雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管具有比IGBT更高的開關(guān)頻率，不僅可以通過降低電阻和開關(guān)損耗提高效率，還可以增加功率和電流密度。在EV牽引
2022-11-03 07:38:51
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計(jì)指南
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計(jì)指南
2022-11-02 12:07:56
全SiC功率模塊介紹
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
全SiC功率模塊使逆變器重量減少6kg、尺寸減少43%
減少了19%的體積，并減重2kg。 從第4賽季開始，ROHM將為文圖瑞車隊(duì)提供將SiC-MOSFET和SiC-SBD模塊化的全SiC功率模塊，與搭載SiC-SBD的第3賽季逆變器相比，實(shí)現(xiàn)了30
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊的開關(guān)損耗
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
基于PrimePACK的大功率光伏逆變器應(yīng)用
，提高效率主要靠降低 IGBT 模塊的損耗來實(shí)現(xiàn)，IGBT 模塊對于提高逆變器效率顯得尤為重要。PrimePACK? 作為英飛凌公司最新一代大功率IGBT 模塊目前已功率應(yīng)用場合得到了普遍應(yīng)用。 2
2018-12-07 09:24:53
基于采用功率集成模塊設(shè)計(jì)的太陽能逆變器
隨著能源和環(huán)境問題日益凸顯，太陽能作為一種清潔的可再生能源迅速發(fā)展，太陽能發(fā)電設(shè)施激增，其中逆變器必不可少。安森美半導(dǎo)體的功率集成模塊（PIM）方案提供高能效、高可靠性的逆變器設(shè)計(jì)。 在電池
2020-10-27 10:15:55
如何使用SiC功率模塊改進(jìn)DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)？
設(shè)計(jì)方面，SiC功率模塊被認(rèn)為是關(guān)鍵使能技術(shù)。 為了提高功率密度，通常的做法是設(shè)計(jì)更高開關(guān)頻率的功率轉(zhuǎn)換器。 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和應(yīng)用簡介 在許多應(yīng)用中，較高的開關(guān)頻率會(huì)導(dǎo)致濾波器更小，電感和電容值
2023-02-20 15:32:06
如何處理逆變器中高頻漏電？
分布式逆變器持續(xù)火熱，包括IGBT，SiC，GaN等核心材料的相對成熟，功率密度要求不斷上升，逆變器的單機(jī)功率千瓦數(shù)也因此不斷得以提高。占據(jù)市場主流的逆變器，功率已經(jīng)從50~60KW過渡至70
2019-01-10 10:12:47
開關(guān)損耗更低，頻率更高，應(yīng)用設(shè)備體積更小的全SiC功率模塊
的開關(guān)電源電路相同。另外，SiC-SBD不產(chǎn)生短脈沖反向恢復(fù)現(xiàn)象，因此PWM控制無需擔(dān)心短脈沖時(shí)的異常浪涌電壓。不僅有助于提高逆變器和電源的效率，還可實(shí)現(xiàn)小型化，這是全SiC功率模塊的巨大優(yōu)勢。由
2018-12-04 10:14:32
搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
未來發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件
”是條必經(jīng)之路。高效率、高性能的功率元器件的更新?lián)Q代已經(jīng)迫在眉睫。“功率元器件”廣泛分以下兩大類：一是以傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的“硅（Si）功率元器件”。二是“碳化硅（SiC）功率元器件”，與Si半導(dǎo)體相比
2017-07-22 14:12:43
淺析SiC功率器件SiC SBD
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車
2019-05-07 06:21:51
用于快速切換應(yīng)用的高速混合模塊 高頻逆變器運(yùn)行期間的功耗可降低約50％
的輸出電流。圖4：逆變器損耗比較后記可以通過使用高速混合模塊實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率來減少電容器，電感器和變壓器等濾波電路的大批量和大質(zhì)量。高速IGBT減少的關(guān)斷損耗以及SiC-SBD引起的低導(dǎo)通和反向恢復(fù)
2020-09-02 15:49:13
用于汽車應(yīng)用的碳化硅MOSFET功率模塊
HPD系列是1200V三相水冷式SiCMOSFET功率模塊，采用業(yè)界公認(rèn)的汽車封裝，針對牽引逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行了優(yōu)化。為了提供汽車級HPDSiC功率模塊
2023-02-20 16:26:24
羅姆成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
車用SiC元件討論
（IPS-RA）4. 航空級智能功率開關(guān)（IPS-AA）納/ 微電網(wǎng)與航空電子5.用于奈米／微電網(wǎng)V2G／V2H的高效雙向SiC功率轉(zhuǎn)換器6.航空電子逆變器。航空電子7. LiPo介面8.引擎控制器- 逆變器該
2019-06-27 04:20:26
采用全SiC模塊解決方案的10kW 3級UPS逆變器可實(shí)現(xiàn)高效率并減小尺寸和重量
，汽車等。自從一開始，F(xiàn)raunhofer ISE就推廣了SiC技術(shù)并展示了其優(yōu)勢，這些設(shè)備在系統(tǒng)級為電力電子產(chǎn)品提供通過構(gòu)建效率很高的緊湊型逆變器。ROHM Semiconductor是功率模擬IC，低
2019-10-25 10:01:08
采用第3代SiC-MOSFET，不斷擴(kuò)充產(chǎn)品陣容
%。這非常有望進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)應(yīng)用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容擴(kuò)充下表為全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容現(xiàn)狀。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的產(chǎn)品陣容中也增添了
2018-12-04 10:11:50
降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱
率，同時(shí)提高功率和電流密度。在電動(dòng)汽車牽引逆變器中驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET，尤其是在功率水平 >100 kW 和 800V 總線下，需要具有可靠隔離技術(shù)、高驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度以及故障監(jiān)控和保護(hù)功能
2022-11-02 12:02:05
驅(qū)動(dòng)新一代SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)
Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場（比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器市場）采用新技術(shù)的速度較慢，而另一些市場（比如太陽能
2018-10-22 17:01:41
Powerex智能功率模塊面向光伏逆變器應(yīng)用
Powerex公司近日推出新款系列智能功率模塊(IPM)PV-IPM，該產(chǎn)品主要面向光伏逆變器等應(yīng)用。
2006-03-13 13:06:001317
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三菱電機(jī)提供SiC功率半導(dǎo)體模塊樣
三菱電機(jī)株式會(huì)社定于7月31日開始，依次提供5個(gè)品種的SiC功率半導(dǎo)體模塊，以滿足家電產(chǎn)品與工業(yè)設(shè)備對應(yīng)用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半導(dǎo)體的需要。在這5種產(chǎn)品中，3種適用于
2012-07-25 15:59:27718
718ROHM擴(kuò)充“全SiC”功率模塊產(chǎn)品陣容
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出額定1200V/300A的“全SiC”功率模塊“BSM300D12P2E001”。
2015-05-05 14:07:44737
737SiC功率模塊關(guān)鍵在價(jià)格，核心在技術(shù)
日前，碳化硅（SiC）技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標(biāo)用途包括感應(yīng)加熱設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽能和風(fēng)能逆變器、UPS和開關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。
2015-09-06 17:39:111336
1336日立推出車新型SiC逆變器，電力損耗減少60%
日立運(yùn)用了以前開發(fā)的SiC與GaN并行封裝技術(shù)和雙面冷卻型功率模塊技術(shù)，開發(fā)出了全SiC功率模塊以及采用這種模塊的HEV/EV用逆變器。
2016-09-26 18:06:141442
1442高效率三電平UPS逆變器的功率模塊設(shè)計(jì)
為了得到高達(dá) 20kHz 的開關(guān)頻率，賽米控在 SKiM功率模塊中集成了三電平逆變器結(jié)構(gòu)。SKiM IGBT 產(chǎn)品組合為光伏和 UPS 市場上提供了最優(yōu)的效率。相對于標(biāo)準(zhǔn)兩電平解決方案減少的損耗
2017-11-14 13:03:02
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11何謂全SiC功率模塊?
羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514
135142018三菱電機(jī)功率模塊技術(shù)研討會(huì)順利落幕
從晶圓制造到模塊生產(chǎn)，從低壓到高壓，山田部長層層剝繭式的演講方式深受觀眾好評。他介紹到，與傳統(tǒng)Si-IGBT模塊相比， SiC功率模塊最主要優(yōu)勢是開關(guān)損耗大幅減小。對于特定逆變器應(yīng)用，這種優(yōu)勢
2018-10-19 16:20:514476
4476T型逆變器功率集成模塊的特性與應(yīng)用介紹
本視頻將通過中點(diǎn)鉗位拓?fù)鋵Ρ取型中點(diǎn)鉗位模塊、對IGBT模塊的高能效優(yōu)化等內(nèi)容介紹太陽能逆變器和不間斷電源UPS的T型逆變器功率集成模塊。
2019-03-04 06:25:003873
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一文解析SiC功率器件在充電樁電源模塊中的應(yīng)用
隨著我國新能源汽車市場的不斷擴(kuò)大，充電樁市場發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:1813799
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采用GaN和SiC先進(jìn)開關(guān)技術(shù)的逆變器
新一代逆變器采用GaN和SiC等先進(jìn)開關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開關(guān)，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過提高開關(guān)頻率來實(shí)現(xiàn)。
2019-06-21 06:16:002723
2723高可靠性1700V全SiC功率模塊
ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:522469
2469Cissoid公司最新推出了三相SiC智能功率模塊
據(jù)外媒報(bào)道，比利時(shí)Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模塊（IPM），可用于電動(dòng)出行。
2020-04-22 15:54:253711
3711安森美半導(dǎo)體NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊：高功率低功耗
半導(dǎo)體推出了新的碳化硅功率模塊，適用于太陽能逆變器的使用，目前，該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺(tái)達(dá)選用于他們的M70A三相光伏組串逆變器。 安森美半導(dǎo)體的NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個(gè)1200 V、40 m S
2020-10-20 20:39:041448
1448最新高效率光伏逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及功率器件介紹
效率正成為電力電子裝置設(shè)計(jì)中越來越重要的參數(shù)。在某些應(yīng)用中，效率甚至成為行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力，典型的如太陽能發(fā)電行業(yè)。因?yàn)閷τ诠夥l(fā)電行業(yè)，效率的提升可以直接帶來經(jīng)濟(jì)效益。本文詳細(xì)介紹了最新的能夠提供高效率的光伏逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和功率器件，包括單相和三相逆變器，功率因數(shù)補(bǔ)償對策，高效電流雙向流動(dòng)逆變器等。
2021-06-23 11:42:0738
38派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線
自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。
2021-12-08 15:55:511670
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環(huán)旭電子預(yù)計(jì)在2022量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器使用的IGBT與SiC電源模塊
搭配電動(dòng)車市場的快速成長，近年環(huán)旭電子（上海證券交易所股票代碼： 601231）開始布局切入功率半導(dǎo)體國際大廠的電源模塊的組裝生產(chǎn)與測試，近期獲得相當(dāng)多歐美與日系客戶青睞，預(yù)計(jì)在2022正式量產(chǎn)電動(dòng)車用逆變器（Inverter）使用的IGBT與SiC電源模塊。
2022-01-10 10:50:40779
779用于SiC應(yīng)用的低電感可編程柵極驅(qū)動(dòng)器模塊
碳化硅半導(dǎo)體 (SiC) 在工業(yè)產(chǎn)品的效率、更高的外形尺寸和工作溫度方面提供了創(chuàng)新技術(shù)。SiC 技術(shù)現(xiàn)在被廣泛認(rèn)為是硅的可靠替代品。許多功率模塊和功率逆變器制造商已在其產(chǎn)品路線圖中為 SiC 的使用奠定了基礎(chǔ)。包括 SiC 在內(nèi)的一些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)是 EMI、過壓和過熱。
2022-08-05 09:39:25621
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大功率有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器全橋模塊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《大功率有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器全橋模塊.zip》資料免費(fèi)下載
2022-08-09 11:39:5515
15WolfPACK SiC功率模塊可為中高功率應(yīng)用帶來可擴(kuò)展的靈活解決方案
當(dāng)前功率器件的研究已經(jīng)進(jìn)入一個(gè)新高度，而SiC功率模塊就是其中的熱門研究方向。
2022-10-19 09:22:23899
899全SiC MOSFET模塊實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備
2022-11-06 21:14:51956
956SiC功率器件的現(xiàn)狀與展望！
碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503
1503高效SiC功率器件的演進(jìn)
純SiC晶體是通過Lely升華技術(shù)生長的。晶體主要是6H-SiC，但包括其它多型體。1978年，Tairov和Tsvetkov發(fā)明了一種可復(fù)制的SiC晶塊生長方法。
2022-12-28 11:44:13717
717Ameya360：SiC模塊的特征 Sic的電路構(gòu)造
一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489
489SiC模塊的特征和電路構(gòu)成
1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646
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何謂全SiC功率模塊
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21685
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全SiC功率模塊的開關(guān)損耗
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:22673
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全SiC功率模塊使逆變器重量減少6kg、尺寸減少43%
ROHM為參戰(zhàn)2017年12月2日開幕的電動(dòng)汽車全球頂級賽事“FIAFormula E錦標(biāo)賽2017-2018（第4賽季）”的文圖瑞Formula E車隊(duì)提供全SiC功率模塊。
2023-02-10 09:41:02320
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1200V耐壓、400A/600A的全SiC功率模塊BSM400D12P3G002和BSM600D12P3G001
ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
2023-02-10 09:41:05595
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搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333
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何謂全SiC功率模塊
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430
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全SiC功率模塊的開關(guān)損耗
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28496
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「芝·解車」蔚來汽車SiC電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)拆解
電機(jī)控制器整體重量低于7.5kg，厚度76mm，功率密度為34kW/kg，SiC用在車用逆變器上，可以使開關(guān)損耗降低75％（芯片溫度為150°C）。在相同封裝下，全SiC模塊具備更高的電流輸出能力，支持逆變器達(dá)到更高功率。
2023-03-30 09:39:251229
1229SiC功率模塊封裝技術(shù)：探索高性能電子設(shè)備的核心競爭力
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，硅碳化物（SiC）功率模塊逐漸在各領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。SiC功率模塊具有優(yōu)越的電性能、熱性能和機(jī)械性能，為高性能電子設(shè)備提供了強(qiáng)大的支持。本文將重點(diǎn)介紹SiC功率模塊的封裝技術(shù)及其在實(shí)際應(yīng)用中的優(yōu)勢。
2023-04-23 14:33:22850
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ROHM | SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列
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全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14353
353不同電壓和功率等級的三菱電機(jī)SiC功率器件介紹
除牽引逆變器外，輔助轉(zhuǎn)換器、鐵路電池充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器尤其受益于SiC功率模塊帶來的開關(guān)頻率提升。開關(guān)頻率的增加通常允許減小無源元件（如變壓器、電感器或電容器）的尺寸。此外，較高的開關(guān)頻率可能允許使用不同的軟磁芯材料。它提供了提高效率和降低成本的潛力。
2023-10-15 11:40:03471
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提高SiC功率模塊的功率循環(huán)能力
在商業(yè)應(yīng)用中利用寬帶隙碳化硅（SiC）的獨(dú)特電氣優(yōu)勢需要解決由材料機(jī)械性能引起的可靠性挑戰(zhàn)。憑借其先進(jìn)的芯片粘接技術(shù)，Vincotech 處于領(lǐng)先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模塊可能會(huì)
2023-10-23 16:49:36372
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車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419
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SiC驅(qū)動(dòng)模塊的應(yīng)用與發(fā)展
SiC驅(qū)動(dòng)器模塊具有較低的功耗、高溫運(yùn)行能力和快速開關(guān)速度等優(yōu)勢，使其在下一代功率器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。SiC驅(qū)動(dòng)器模塊可以用于電動(dòng)車的電力系統(tǒng)、可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、工業(yè)電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257
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設(shè)計(jì)SiC逆變器有哪些流程
SiC（碳化硅）逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。設(shè)計(jì)SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產(chǎn)品的性能和可靠性
2024-01-10 14:42:56190
190SiC逆變器的制造流程有哪些
iC逆變器是一種新型的電力電子器件，具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。制造SiC逆變器需要遵循一定的流程，以確保產(chǎn)品的性能和可靠性。以下是制造
2024-01-10 14:55:44137
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水下航行器電機(jī)的SiC MOSFET逆變器設(shè)計(jì)
利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
2024-03-13 14:31:4668
68
工商網(wǎng)監(jiān)
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