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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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碳化硅(SiC)功率器件市場的爆發(fā)與行業(yè)展望
隨著全球?qū)﹄妱悠嚱蛹{度的逐漸提高,碳化硅(SiC)在未來的十年里將迎來全新的增長機(jī)遇。預(yù)計(jì),將來功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)商和汽車行業(yè)的運(yùn)作商會更積極地參與到這...
中國碳化硅襯底價(jià)格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了
國際半導(dǎo)體IDM廠商,如意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、羅姆電子等,在中國市場仍然占據(jù)碳化硅元件的重要地位。消息人士補(bǔ)充,外國汽車品牌或與中國合資的汽車品牌...
功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動測試與計(jì)算新方案
柵極參數(shù)設(shè)計(jì)是通過理論計(jì)算或建模仿真,模擬器件的開關(guān)狀態(tài),掌握其動態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等,其核心還是理論計(jì)算。
碳化硅的發(fā)展趨勢及其在儲能系統(tǒng)中的應(yīng)用
碳化硅(SiC)技術(shù)比傳統(tǒng)硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其他技術(shù)更具優(yōu)勢,包括更高的開關(guān)頻率、更低的工作溫度、更高的電流和電壓容量以及更低的...
2023-11-17 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體SiC 1541 0
由于電池仍然是電驅(qū)動系統(tǒng)的最主要成本構(gòu)成,因此以最高效的方式使用電池提供的能量是很重要的,從電能到機(jī)械能的轉(zhuǎn)換效率即電驅(qū)動系統(tǒng)效率就顯得及其重要。
2023-08-01 標(biāo)簽:電動機(jī)逆變器驅(qū)動系統(tǒng) 1538 0
評估1200V SiC MOSFET在短路條件下的穩(wěn)健性
由于其極低的開關(guān)損耗,碳化硅 (SiC) MOSFET 為最大限度地提高功率轉(zhuǎn)換器的效率提供了廣闊的前景。然而,在確定這些設(shè)備是否是實(shí)際電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的實(shí)...
碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)境下...
今天想抽出點(diǎn)時間來聊一下復(fù)合器件(Si IGBT + SiC MOSFET),我也不太清楚這個中文名字應(yīng)該叫什么,文獻(xiàn)里都叫做Hybrid switch...
雷達(dá)電子設(shè)備組件金剛石/銅復(fù)合材料散熱基板熱性能研究
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,現(xiàn)代電子設(shè)備愈發(fā)往體積小、重量輕的方向發(fā)展,性能和功能越來越強(qiáng)大,集成度越來越高,內(nèi)部熱量的排散問題就更為突出。
碳化硅(SiC)芯片設(shè)計(jì)的一些關(guān)鍵考慮因素
芯片表面一般是如圖二所示,由源極焊盤(Source pad),柵極焊盤(Gate Pad)和開爾文源極焊盤(Kelvin Source Pad)構(gòu)成。
2023-08-01 標(biāo)簽:MOSFET芯片設(shè)計(jì)SiC 1522 0
碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作,同時消耗電力更少,持久性和可靠性更強(qiáng),將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...
在功率器件領(lǐng)域,除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外,材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如,在談?wù)摴β拭芏葧r,GaN(氮化鎵)憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷...
中科院物理研究所實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅生長的突破
從6寸把它發(fā)展到8寸,這樣在襯底上做出來的器件,就可以降低單個器件的襯底所占的成本,這是一個國際上發(fā)展的趨勢。
碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用以及未來發(fā)展趨勢介紹
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料,在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。
2024-01-03 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動功率器件 1511 0
碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,由于其優(yōu)于傳統(tǒng)硅的性能,在電力電子行業(yè)中越來越受歡迎。
VE-Trac SiC如何讓主驅(qū)逆變器變得更強(qiáng)
雙碳目標(biāo)正加速推進(jìn)汽車向電動化發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動車,新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨(dú)特優(yōu)勢將改變電動車的未來,如在關(guān)鍵...
EAB450M12XM3簡介:Wolfspeed首款車規(guī)級碳化硅功率模塊
如今,許多市場都受益于碳化硅(SiC)技術(shù)所帶來的優(yōu)勢,尤其是汽車行業(yè)。相對于傳統(tǒng)硅(Si)組件,SiC 的性能更高,使系統(tǒng)的開關(guān)速度、工作溫度、功率密...
新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)
高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱,暫態(tài)電壓失穩(wěn),慣量缺失。新能源滲透率提高,電網(wǎng)強(qiáng)度下降,暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解...
2023-12-06 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)IGBT功率器件 1489 0
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