中科院成功制備8英寸碳化硅襯底 ? 近日中科院物理研究所在官網(wǎng)發(fā)文表示，科研人員通過(guò)優(yōu)化生長(zhǎng)工藝，進(jìn)一步解決了多型相變問(wèn)題，持續(xù)改善晶體結(jié)晶質(zhì)量，成功生長(zhǎng)出單一4H晶型的8英寸SiC晶體，加工出厚度
2022-05-07 00:55:00
3759 科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統(tǒng)成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161086 高溫半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商CISSOID日前宣布：公司已與中國(guó)科學(xué)院電工研究所（簡(jiǎn)稱中科院電工所）達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，將共同開(kāi)展基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)研發(fā)項(xiàng)目，攻克技術(shù)難題，實(shí)現(xiàn)耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用。
2019-06-10 14:10:191342 我國(guó)科學(xué)家成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。我國(guó)氧化鎵領(lǐng)域研究連續(xù)取得突破日前，西安郵電大學(xué)新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
點(diǎn)擊上方“碼農(nóng)突圍”，馬上關(guān)注這里是碼農(nóng)充電第一站，回復(fù)“666”，獲取一份專屬大禮包真愛(ài)，請(qǐng)?jiān)O(shè)置“星標(biāo)”或點(diǎn)個(gè)“在看”2020年1月15日，中國(guó)科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所（以下簡(jiǎn)稱中科院計(jì)算...
2021-07-21 06:13:57
，更好地促進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)鏈的結(jié)合?！痹诙鄠€(gè)場(chǎng)合，白春禮都曾反復(fù)表示，為了中國(guó)LED的未來(lái)，中科院愿意先行嘗試?！ ?月12日，在白春禮等人的推動(dòng)下，中科院邀請(qǐng)了研究所和企業(yè)的代表，召開(kāi)半導(dǎo)體照明工作
2012-07-18 11:31:19
中科院計(jì)算技術(shù)研究所副所長(zhǎng)包云崗介紹了目前全球性能最高的開(kāi)源高性能RISC-V處理器核項(xiàng)目“香山”。他指出，計(jì)算技術(shù)研究所對(duì)標(biāo)ARM Cortex-A72，已于2021年成功研制出第一代“香山
2023-05-28 08:43:00
與團(tuán)隊(duì)合作精神；5. 有研發(fā)團(tuán)隊(duì)的管理工作經(jīng)歷優(yōu)先。三、福利待遇 參照中科院海西研究院（福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所）相應(yīng)規(guī)定給予薪酬等待遇，年底有項(xiàng)目獎(jiǎng)金； 符合泉州市及所屬縣（市、區(qū)）相關(guān)政策的創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新
2017-06-30 16:27:40
中科院頂級(jí)專家和多個(gè)部門深入研究，并選擇與國(guó)內(nèi)網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者ithink公司合作，終于推出手立視Q系網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)。 “手立視Q系，在外形上大膽選用球形元素，更符合中國(guó)家庭的審美意識(shí)；功能上，采用
2015-02-05 10:09:03
芯片加工，MEMS傳感器、光電子器件的研究背景或工作經(jīng)驗(yàn)；4.動(dòng)手能力強(qiáng)，善于學(xué)習(xí)溝通，吃苦耐勞，有團(tuán)隊(duì)合作精神； 5.有半導(dǎo)體相關(guān)工作2年以上工作經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先考慮； 崗位待遇：中科院蘇州納米所南昌研究院為
2017-07-12 17:19:13
)碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時(shí)間的變化很小，可靠性好?！ ?7)碳化硅器件具有很好的反向恢復(fù)特性，反向恢復(fù)電流小，開(kāi)關(guān)損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)。 (8
2019-01-11 13:42:03
每小時(shí)幾米?！ ∪欢?，該工藝不適合SiC體積增長(zhǎng)。對(duì)于碳化硅生產(chǎn)，必須使用稱為物理蒸汽傳輸（PVT）的工藝。該過(guò)程在腔室頂部使用晶種，在其下方有SiC源材料，其加熱溫度約為2000 - 2500°C
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
開(kāi)關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)更高的直流電輸出?！ ?、SiCMOSFET 對(duì)于傳統(tǒng)的MOSFET，它的導(dǎo)通狀態(tài)電阻很大，開(kāi)關(guān)損耗很大，額定工作結(jié)溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達(dá)1400℃的溫度下，仍能保持其強(qiáng)度。這種材料的明顯特點(diǎn)在于導(dǎo)熱和電氣半導(dǎo)體的導(dǎo)電性極高。碳化硅化學(xué)和物理穩(wěn)定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強(qiáng)度好的材料
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的顏色，純凈者無(wú)色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時(shí)呈藍(lán)、天藍(lán)、深藍(lán)，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時(shí)不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無(wú)
2019-07-04 04:20:22
碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。一開(kāi)始，我們先來(lái)了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。其結(jié)合力非常強(qiáng)，在熱、化學(xué)、機(jī)械方面都
2018-11-29 14:43:52
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過(guò)，自1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
的小電流，因此碳化硅肖特基二極管的開(kāi)關(guān)損耗比硅快速恢復(fù)二極管更低。使用碳化硅肖特基二極管可以減少損耗，能快速穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)器件的正反切換，提高產(chǎn)品的效率和降低產(chǎn)品噪音，同時(shí)易于改善EMI?！ ∫韵聹y(cè)試結(jié)果
2023-02-28 16:34:16
用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)合。碳化硅(SiC)材料因其優(yōu)越的物理特性，開(kāi)始受到人們的關(guān)注和研究。自從碳化硅1824年被瑞典科學(xué)家Jns Jacob Berzelius發(fā)現(xiàn)以來(lái)，直到
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
項(xiàng)目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年來(lái)被越來(lái)越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
、58887025聯(lián)系地址：北京市海淀區(qū)北四環(huán)西路19號(hào)中科院電子所科教融合管理辦公室郵政編碼：100190E-mail:edu@mail.ie.ac.cn 附件：1.中國(guó)科學(xué)院電子學(xué)研究所2017年博士后
2017-12-18 17:27:09
處于領(lǐng)先地位。氮化鎵功率半導(dǎo)體雖然適用性極高，但依然面臨三項(xiàng)社會(huì)問(wèn)題僅從物理特性來(lái)看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導(dǎo)體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標(biāo)（與硅相比，硅是1）相比
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
。雖然碳化硅組件可望成為推動(dòng)電力設(shè)備由機(jī)械轉(zhuǎn)向電子結(jié)構(gòu)的重要推手，但現(xiàn)階段碳化硅組件最主要的應(yīng)用市場(chǎng)，其實(shí)是電動(dòng)汽車。電動(dòng)汽車應(yīng)用之所以對(duì)碳化硅組件的需求如此殷切，主要原因在于可實(shí)現(xiàn)更輕巧的電源系統(tǒng)
2021-09-23 15:02:11
電機(jī)驅(qū)動(dòng)。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽(yáng)能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電焊機(jī)、電力機(jī)車、遠(yuǎn)距離輸電、服務(wù)器、家電、電動(dòng)汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動(dòng)力于2015年在國(guó)內(nèi)開(kāi)發(fā)出6英寸SiC制造技術(shù)，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
降低到75%。 表 2：SEMITRANS 3 完整碳化硅案例研究 只有使用硅或碳化硅電源模塊才能用基于TO器件的電源設(shè)計(jì)取代耗時(shí)的生產(chǎn)流程。SiC的特定特性需要優(yōu)化換向電感和熱性能。因此，可以提高性價(jià)比，并充分利用SiC的優(yōu)勢(shì)，使應(yīng)用受益。
2023-02-20 16:29:54
， Rgon=Rgoff=10Ω， VGE=15V/0V， L=200uH 圖12 傳統(tǒng)IGBT及混合碳化硅分立器件開(kāi)關(guān)損耗參數(shù)對(duì)比 如圖12所示，碳化硅肖特基二極管對(duì)IGBT的損耗和二極管反向恢復(fù)損耗
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數(shù)滿足開(kāi)關(guān)電源（SMPS）的設(shè)計(jì)要求。650V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管器件在推出之后，可以補(bǔ)充之前只有1200V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)器件設(shè)計(jì)需求，碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（SiC MOSFET）由于能夠實(shí)現(xiàn)硅
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實(shí)現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開(kāi)關(guān)及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
家族中的新成員?！ ∠噍^于前兩代二極管，基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向?qū)▔航??！ 』景雽?dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管繼承
2023-02-28 17:13:35
散電感是碳化硅封裝的一種技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。然而，實(shí)現(xiàn)碳化硅封裝技術(shù)的突破并大規(guī)模應(yīng)用，還需要開(kāi)展大量的工作，以下列舉一些核心挑戰(zhàn)以及前景展望：1）低雜散電感封裝結(jié)構(gòu)綜合性能的進(jìn)一步研究驗(yàn)證。例如封裝結(jié)構(gòu)
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題，如果你有類似的困惑，歡迎前來(lái)探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
范圍-5V~-15V，客戶根據(jù)需求選擇合適值，常用值有-8V、-10V、-15V； · 優(yōu)先穩(wěn)定正電壓，保證開(kāi)通穩(wěn)定?！ ?）碳化硅MOSFET：不同廠家碳化硅MOSFET對(duì)開(kāi)關(guān)電壓要求不盡相同
2023-02-27 16:03:36
，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過(guò)200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在開(kāi)關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布：公司已與中國(guó)科學(xué)院電工研究所（簡(jiǎn)稱中科院電工所）達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，將共同開(kāi)展基于碳化硅（SiC）功率模塊的系統(tǒng)研發(fā)項(xiàng)目，攻克技術(shù)難題，實(shí)現(xiàn)耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用。
2019-06-11 14:50:593516 最近晶盛機(jī)電宣布，公司成功生產(chǎn)出行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅晶體。翻看公司公告，在8月12日晶盛機(jī)電首顆8英寸N型碳化硅晶體就已經(jīng)成功出爐，表示成功解決了8英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)過(guò)程中溫場(chǎng)不均、晶體開(kāi)裂、氣相原料分布等難點(diǎn)問(wèn)題。
2022-09-07 09:29:442068 傳感新品 【中科院大連化學(xué)物理研究所：提出基于功能化紙基比色傳感器的農(nóng)殘快檢新策略】 近日，中科院大連化學(xué)物理研究所化學(xué)傳感器研究組(106組)馮亮研究員團(tuán)隊(duì)在紙基光化學(xué)傳感器的信號(hào)放大研發(fā)中取得
2023-01-12 01:21:14953 碳化硅晶體是一種性能優(yōu)異的半導(dǎo)體材料，在信息、交通、能源、航空、航天等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。春節(jié)期間，中科院物理研究所科研團(tuán)隊(duì)們正在探索用一種新的方法生長(zhǎng)碳化硅晶體，研制情況如何？
2023-01-31 11:52:10522 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開(kāi)說(shuō)明。碳和硅進(jìn)過(guò)化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過(guò)碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.5.2氧化
2022-01-17 09:18:16613 
6.3.7遷移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-21 09:37:00736 6.3.5.1界面態(tài)分布6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.4.8其他
2022-01-12 10:00:29744 6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.5.5界面的不穩(wěn)定性∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-21 09:35:56706 7.3.4電流-電壓關(guān)系7.3pn與pin結(jié)型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.3.3“i”區(qū)的電勢(shì)下降∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)
2022-02-14 09:44:16796 6.2.3濕法腐蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.2.2高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.2.1反應(yīng)性離子
2022-01-04 16:34:33543 7.3.3“i”區(qū)的電勢(shì)下降7.3pn與pin結(jié)型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.3.2“i”區(qū)中的載流子濃度∈《碳化硅技術(shù)基本原理
2022-02-14 09:41:11310 7.3.2“i”區(qū)中的載流子濃度7.3pn與pin結(jié)型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.3.1大注入與雙極擴(kuò)散方程∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-14 09:36:44444 6.5總結(jié)第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.4.2.2n型SiC
2022-01-27 09:16:44861 6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.5.3界面
2022-01-18 09:28:24662 6.3.1氧化速率6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.2.3濕法腐蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-01-04 14:23:45517 6.3.5.2氧化后退火6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進(jìn)方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.5.1界面
2022-01-13 11:21:29631 6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-01-04 14:11:56775 6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.3p型區(qū)的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-01-06 09:23:25402 6.1.3p型區(qū)的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-01-06 09:21:13565 6.1.2n型區(qū)的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.1選擇性摻雜技術(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-01-06 09:17:33617 6.3.3熱氧化氧化硅的結(jié)構(gòu)和物理特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.2氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術(shù)基本原理
2022-01-04 14:10:56564 7.2肖特基勢(shì)磊二極管（SBD）第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-02-09 09:27:53440 第１章導(dǎo)論１.１電子學(xué)的進(jìn)展１.2碳化硅的特性和簡(jiǎn)史１.３本書提綱第２章碳化硅的物理性質(zhì)2.4總結(jié)2.3熱學(xué)和機(jī)械特性2.2.6擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度2.2.5漂移速率2.2.4遷移率2.2.3雜質(zhì)摻雜
2022-05-09 17:19:452152 
6.3.4.6C-Ψs方法6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.4.5高低頻方法
2022-01-10 14:04:39631 6.3.4.7電導(dǎo)法6.3.4電學(xué)表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.3.4.6C-Ψs方法
2022-01-12 10:44:27394 6.4.1.2SiC上的肖特基接觸6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-24 10:22:28480 的結(jié)構(gòu)和物理特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.2氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.1氧化速率
2022-01-05 13:59:37493 6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.1.2SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-24 10:09:121034 6.1.5高溫退火和表面粗糙化6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.4半絕緣區(qū)域的離子注入∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2021-12-31 14:25:52549 7.3pn與pin結(jié)型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.2肖特基勢(shì)磊二極管（SBD）∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-02-10 09:18:15614 8.1.4比通態(tài)電阻8.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.1.3飽和漏極電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征
2022-02-20 16:16:46636 6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.1.6離子注入及后續(xù)退火過(guò)程中的缺陷行成∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2021-12-31 10:57:22817 6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-25 09:18:08743 6.2.2高溫氣體刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.1.6
2021-12-31 10:31:17722 8.1.6功率JFET器件的實(shí)現(xiàn)8.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)第８章單極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8.1.5增強(qiáng)型和耗盡型工作模式∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-21 09:29:28537 特有的基本現(xiàn)象∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.3熱氧化氧化硅的結(jié)構(gòu)和物理特性∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》6.3.2氧
2022-01-07 14:24:25420 5.3.2.1壽命控制5.3.1SiC中的主要深能級(jí)缺陷5.3SiC中的點(diǎn)缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.3.2載流子壽命“殺手
2022-01-06 09:38:25510 5.3.2載流子壽命“殺手”5.3.1SiC中的主要深能級(jí)缺陷5.3SiC中的點(diǎn)缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.3.1.2雜質(zhì)∈《碳化硅
2022-01-06 09:37:40535 5.3.1.2雜質(zhì)5.3.1SiC中的主要深能級(jí)缺陷5.3SiC中的點(diǎn)缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-06 09:30:23552 5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能級(jí)缺陷5.3SiC中的點(diǎn)缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：5.2.3擴(kuò)展缺陷對(duì)SiC器件性能
2022-01-06 09:27:16693 6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸
2022-01-26 10:08:16636 業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè)，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)方面，碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進(jìn)展，多家行業(yè)龍頭選擇與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21967 環(huán)球晶董事長(zhǎng)徐秀蘭10月26日表示，她2年前錯(cuò)估了客戶對(duì)8英寸碳化硅（SiC）需求，現(xiàn)在情況超出預(yù)期，她強(qiáng)調(diào)環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè)，預(yù)估明年將送樣給需要8英寸基板的客戶進(jìn)行認(rèn)證，并于2025年量產(chǎn)。
2023-10-27 15:07:43394 碳化硅器件在UPS中的應(yīng)用研究
2023-11-29 16:39:00240 
晶盛機(jī)電公司決定從2017年開(kāi)始，
碳化硅生長(zhǎng)設(shè)備及技術(shù)研發(fā)（r&d）開(kāi)始，通過(guò)
研究開(kāi)發(fā)組的技術(shù)攻堅(jiān)，2018年，公司成功開(kāi)發(fā)了6
英寸生長(zhǎng)碳化硅決定，2020年長(zhǎng)征及加工研發(fā)試驗(yàn)生產(chǎn)線建立?！?/div>
2023-12-06 14:08:17379 碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工，需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn)，高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ)，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53607 
平煤神馬集團(tuán)碳化硅半導(dǎo)體粉體驗(yàn)證線傳來(lái)喜訊——實(shí)驗(yàn)室成功生長(zhǎng)出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶，全面驗(yàn)證了中宜創(chuàng)芯公司碳化硅半導(dǎo)體粉體在長(zhǎng)晶方面的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
2024-02-21 09:32:31337 已全部加載完成
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