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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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如何通過高壓SiC電池?cái)嚅_開關(guān)提升電氣系統(tǒng)的可靠性與效率

電氣系統(tǒng)的直流母線電壓在400伏特或更高，由單相或三相電網(wǎng)電源或能量存儲(chǔ)系統(tǒng)(ESS)供電，可以通過固態(tài)電路保護(hù)提高其可靠性和韌性。在設(shè)計(jì)高壓固態(tài)電池?cái)?..

2024-10-23 標(biāo)簽：SiC 電氣系統(tǒng)電池 299 0

SiC的發(fā)展歷程和涂層制備方法

SiC的歷史可以追溯到1891年，由愛德華·古德里奇·艾奇遜（Edward Goodrich Acheson）在嘗試合成人造金剛石的過程中偶然發(fā)現(xiàn)。艾奇...

2024-10-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體 SiC 884 0

GaN和SiC功率器件的特性和應(yīng)用

如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高...

2024-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 氮化鎵 1040 0

IGBT和SiC封裝用的環(huán)氧材料

IGBT和SiC功率模塊封裝用的環(huán)氧材料在現(xiàn)代電子器件中起著至關(guān)重要的作用。以下是從多個(gè)角度對(duì)這些環(huán)氧材料的詳細(xì)分析：1.熱管理導(dǎo)熱性能：環(huán)氧樹脂需要具...

2024-10-18 標(biāo)簽：封裝 IGBT SiC 799 0

碳化硅生產(chǎn)難點(diǎn)是什么

第一代半導(dǎo)體材料以傳統(tǒng)的硅（Si）和鍺（Ge）為代表，是集成電路制造的基礎(chǔ)，廣泛應(yīng)用于低壓、低頻、低功率的晶體管和探測(cè)器中，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用...

2024-10-16 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體 SiC 579 0

SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件，具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特...

2024-10-16 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體封裝技術(shù) 2092 0

基于多堆疊直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法

摘要：碳化硅(SiC)功率模塊在電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中起著至關(guān)重要的作用。為了提高功率模塊的性能、減小體積、提高生產(chǎn)效率，本文提出了一種基于多堆疊直接鍵合銅...

2024-10-16 標(biāo)簽：封裝 SiC 功率模塊 807 0

SiC功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測(cè)量

汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應(yīng)更高的電壓，擁有更快的開關(guān)速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率...

2024-10-16 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 436 0

SiC MOSFET溝道遷移率提升工藝介紹

過去三十年，碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，但在降低缺陷方面依然面臨著重大挑戰(zhàn)。其主要問題是——碳化硅與柵氧化層之間的界面處存在著大量的缺陷。在N...

2024-10-16 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶圓 887 0

Microchip的SiC解決方案解析

在電子交通、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等具有重大創(chuàng)新的行業(yè)的推動(dòng)下，對(duì)功率器件的需求不斷增加。當(dāng)今的功率應(yīng)用具有持續(xù)更嚴(yán)格的要求，最重要的是與實(shí)現(xiàn)更高的效率（...

2024-10-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 microchip IGBT 512 0

提高開關(guān)電源效率的方法

提高開關(guān)電源效率是一個(gè)復(fù)雜但至關(guān)重要的任務(wù)，它直接影響到電源系統(tǒng)的性能、穩(wěn)定性和能耗。開關(guān)電源的效率通常定義為輸出功率與輸入功率之比，高效率意味著更少的...

2024-10-10 標(biāo)簽：變壓器開關(guān)電源 SiC 781 0

如何檢測(cè)SiC IGBT模塊失效芯片

當(dāng)前，在國(guó)際節(jié)能環(huán)保的大趨勢(shì)下，SiCIGBT芯片下游的新能源汽車、變頻家電、新能源發(fā)電等領(lǐng)域迅速發(fā)展，加上我國(guó)經(jīng)濟(jì)快速騰飛，能源需求量大幅上升，在這樣...

2024-10-08 標(biāo)簽：芯片封裝 IGBT 463 0

WBG 器件給柵極驅(qū)動(dòng)器電源帶來的挑戰(zhàn)

碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電源必須滿足這些寬帶隙半導(dǎo)體的獨(dú)特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應(yīng)用中設(shè)計(jì)柵極驅(qū)...

2024-09-27 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 SiC GaN 849 0

SiC MOSFET在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用問題

電動(dòng)汽車中可能用到SiC MOSFET的主要汽車電子零部件包括車載充電機(jī)、車載DCDC變換器以及主驅(qū)逆變器等高壓高功率電力電子轉(zhuǎn)換器。

2024-09-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 MOSFET SiC 351 0

三相全橋SiC MOSFET模塊，為車載空調(diào)壓縮機(jī)提供創(chuàng)新解決方案

1200V三相全橋碳化硅模塊。這款模塊采用緊湊型頂部散熱塑封結(jié)構(gòu)，以其高效能、高功率密度和優(yōu)秀的散熱性能，展現(xiàn)了碳化硅材料在高壓、高頻、低損耗方面的優(yōu)勢(shì)...

2024-09-18 標(biāo)簽：MOSFET 壓縮機(jī)SiC 487 0

碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，使其在高效能、高頻率和高溫...

2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 749 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì)，逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)...

2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 927 0

皮秒激光器優(yōu)化碳化硅劃刻

在切割脆性 SiC 晶片時(shí)，必須減少或完全消除機(jī)械鋸切的邊緣崩裂現(xiàn)象。單晶切割還應(yīng)將材料的機(jī)械變化降至最低。同時(shí)還應(yīng)優(yōu)先考慮最大限度地減小切口寬度，以限...

2024-09-11 標(biāo)簽：激光器 SiC 碳化硅 1362 0

PiN二極管和SiC二極管的區(qū)別

PiN二極管（P-I-N Diode）和SiC二極管（Silicon Carbide Diode）在多個(gè)方面存在顯著差異，這些差異主要體現(xiàn)在材料特性、工...

2024-09-10 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 SiC 538 0

SiC MOSFET和SiC SBD的區(qū)別

SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導(dǎo)體器件，它們...

2024-09-10 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 2192 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
系統(tǒng)電源

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”

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