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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 252 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標準和RoHS標準。封裝...

2025-02-26 標簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 319 0

SiC在光伏逆變器中的應用

隨著全球?qū)δ茉吹男枨蠛涂沙掷m(xù)發(fā)展的日益關注，環(huán)境保護和碳中和也越來越重要，這愈發(fā)凸顯綠色能源的重要性。

2025-04-12 標簽：高頻逆變器光伏 SiC 313 0

SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220F - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS標準。具備...

2025-02-27 標簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 313 0

SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220I - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS 標準。封...

2025-02-27 標簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 312 0

關于特斯拉電動化路徑總結

特斯拉自研BMS系統(tǒng)設計采用主從架構，主控制器 (BMU) 負責高壓、絕緣測試、高壓互鎖、接觸器控制、對外部通信等功能，從控制器 (BMB) 負責單體...

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中國SiC碳化硅器件行業(yè)技術情況研究報告

公司在IGBT的技術基礎上不斷發(fā)展以SiC和主的寬禁帶功率半導體器件關鍵技術。斯達作為國內(nèi)車規(guī)級SiC模塊的重要供應商，車規(guī)級SiC模塊已獲得了國內(nèi)外多...

2023-02-17 標簽：SiC 碳化硅 305 0

如何搭配碳化硅電源管理解決方案

綠色倡議持續(xù)推動工業(yè)、航空航天和國防應用，尤其是運輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設計轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領這一趨勢的核心技術，可提供多種新功能不斷推動各種車...

2023-02-03 標簽：SiC 飛機碳化硅 297 0

UnitedSiC FET射流計算機消除SiC FET選擇中的猜忌

電源設計工具在不斷改進，仿真越來越能夠在調(diào)節(jié)、效率和由此產(chǎn)生的損耗方面輸出準確的波形和性能。不過有一個小問題：模擬器只能使用你告訴它的內(nèi)容——軟件很聰明...

2023-02-21 標簽：轉(zhuǎn)換器 DC-DC SiC 290 0

創(chuàng)新非對稱瞬態(tài)電壓抑制二極管在SiC MOSFET門保護中的應用

保護半導體設備和電子設備是任何穩(wěn)健的電源管理和電路設計的關鍵。在本文中，我們將重點介紹非對稱瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管系列，這些二極管非常適合用于硅碳...

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SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標準和RoHS標準。封裝...

2025-02-26 標簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 285 0

SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標準和 RoHS標準。封...

2025-02-27 標簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 271 0

F29H850TU C2000? 64 位 MCU，帶 C29x 200MHz 三核技術手冊

F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列是可擴展、超低延遲的器件，旨在提高電力電子器件的效率，包括但不限于：...

2025-04-14 標簽：微控制器 cpu SiC 265 0

用更多選擇回應積極的反饋

為了提供這種靈活性，UnitedSiC 提供了額外的第 4 代 750V SiC FET，導通電阻為 23、33 和 44 毫歐，以及 6、9 和 11...

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UCC28C56H-Q1 汽車類 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊

UCC28C5x-Q1 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器，可用于驅(qū)動各種應用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是...

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引言在半導體材料領域，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化學特性，如高硬度、高熱導率、高擊穿電場強度等，成為制造高功率、高頻電子器件的理想材料。然而，在...

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UCC14141-Q1 是一款符合汽車標準的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊，旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動器供電。UCC14141-Q1 將變...

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更多SiC FET選項意味著經(jīng)濟高效的解決方案具有更大的靈活性

生活中的一切都是平衡行為，這可能會使決定變得困難。如果涉及金錢，它會帶來另一個維度——如果我購買電動汽車，額外的成本會得到回報嗎？在什么時間？減少二氧化...

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SiC MOSFET與肖特基勢壘二極管的完美結合，提升電力轉(zhuǎn)換性能

使用反向并聯(lián)的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFE...

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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