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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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橫向型與垂直型MOSFET簡介

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SJ MOSFET的應用及與SiC和GaN的比較

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　碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度，使其能夠承受更大的電流和電壓，同時實現更小尺寸的產品設計和更高的效率。

2023-12-11 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 3957 0

碳化硅晶體的生長原理

碳化硅晶體的生長原理在自然界中，晶體不勝枚舉，其分布及應用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體；此外，半導體晶體、激光晶體、...

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從晶體到系統之路：關于碳化硅的關鍵的襯底和外延epi分析

由于襯底和外延和芯片的技術發展相關性不是特別大，所以我單獨把這兩個流程拿出來和大家分享，接下來的芯片技術發展比如MOSFET的平面結構或者溝槽結構都是直...

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由開關器件的材料變革帶來的高壓電氣部件的能力提升

EQC的銅排設計看上去很不合理，不過需要考慮從兩個分離的負極單獨取電，然后匯集到配電盒里面，對驅動系統和充電系統的配置有一些想法，這項工作的復雜度就比較...

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半導體工藝之氣相外延介紹

在半導體科學技術的發展中，氣相外延發揮了重要作用，該技術已廣泛用于Si半導體器件和集成電路的工業化生產。

2023-05-19 標簽：半導體 SiC 電源系統 3815 0

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2023-12-22 標簽：半導體功率器件 SiC 3813 0

物理氣相傳輸法生長SiC晶圓中的缺陷和測試

和Si晶體拉晶工藝類似，PVT法制備SiC單晶和切片形成晶圓過程中也會引入多種缺陷。這些缺陷主要包括：表面缺陷；引入深能級的點缺陷；位錯；堆垛層錯；以及...

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為什么SiC MOSFET的短路耐受時間比較小

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SiC器件的優缺點！

在逆變器、電機驅動器和電池充電器等應用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統成本等優勢。

2023-02-21 標簽：逆變器 IGBT SiC 3773 0

選擇合適的柵極驅動器來解決碳化硅(SiC)的設計挑戰

Balogh還指出了其他需要考慮的問題，例如保護功能、欠壓鎖定、更高頻率的工作、更快的開關速度和裸片上的熱點，這些都會對功耗、EMI和尺寸產生影響。

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關于SiC MOSFET短路Desat保護設計

富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域...

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深度解讀第三代半導體—碳化硅

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AMB陶瓷基板在IGBT中應用的優勢

AMB（活性金屬釬焊）工藝技術是DBC（直接覆銅）工藝技術的進一步發展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現銅箔與陶瓷基片間的焊接。

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2023-05-18 標簽：纖維 SiC 復合材料 3691 0

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