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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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碳化硅和硅的優勢對比

寬帶隙半導體使許多以前使用硅（Si）無法實現的高功率應用成為可能，兩種材料的特性說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個指標上具有明顯的優勢。

2023-10-30 標簽：二極管半導體 SiC 4718 0

干貨 | 一文了解 SiC/GaN 功率轉換器驅動

基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽...

2019-06-13 標簽：SiC GaN 4709 0

平面柵和溝槽柵的MOSFET的導通電阻構成

兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結構所以都統稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結構是把柵極構建在結構內部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOS...

2023-06-25 標簽：MOSFET 場效應管 SiC 4676 0

一文解析SiC MOSFET短路特性及技術優化

電流互感器也是一種較為常見的電流檢測方法，使用時使流過負載電流的導線或走線穿過電流互感器，進而在電流互感器輸出端輸出與負載電流成一定比例的感應電流。

2023-10-31 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 4666 0

聊一聊關于碳化硅雙脈沖測試中遇到的串擾問題

碳化硅具有更快的切換速度（更短的切換時間），較低的損耗，更高的開關頻率，更高的耐壓能力以及更好的溫度特性，相應地帶來效率的替身，系統磁性元器件減小，功率...

2023-08-27 標簽：二極管 IGBT SiC 4606 0

SiC MOSFET的溫度特性及結溫評估研究進展

與 Si 器件相比， SiC 器件具有更加優異的電氣性能，新特性給其結溫評估帶來了新挑戰，許多適用于 Si 器件的結溫評估方法可能不再適用于 Si...

2023-04-15 標簽：MOSFET 半導體功率器件 4552 0

仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯均流特性

SiC MOSFET并聯的動態均流與IGBT類似，只是SiC MOSFET開關速度更快，對一些并聯參數會更為敏感。

2021-09-06 標簽：英飛凌 pcb MOSFET 4541 0

碳化硅是由分子還是原子組成的？

碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

2023-02-12 標簽：SiC 碳化硅 4498 0

SiC功率器件的封裝形式

SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態銅厚膜導電層，且具有高熱導率和低熱膨脹系數，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底...

2023-02-16 標簽：封裝技術功率器件 SiC 4471 0

聊聊英飛凌的汽車模塊HybridPACK

新能源汽車的發展蒸蒸日上，對于半導體器件的要求，不僅僅是功率半導體都提出了更好的需求。作為功率半導體行業No.1的英飛凌也給我們呈現了多樣性的發展態勢，...

2023-09-15 標簽：英飛凌半導體 SiC 4454 0

SiC光伏并網逆變器是什么有什么樣的作用

人類社會的進步離不開社會上各行各業的努力，各種各樣的電子產品的更新換代離不開我們的設計者的努力，其實很多人并不會去了解電子產品的組成，比如SiC光伏并網逆變器。

2021-01-03 標簽：MOSFET 逆變器 SiC 4415 0

碳化硅功率器件的基本原理、特點和優勢

碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有許多優勢和廣泛的應用前景。

2023-06-28 標簽：新能源汽車轉換器逆變器 4371 0

半導體切割-研磨-拋光工藝簡介

SiC襯底切割是將晶棒切割為晶片，切割方式有內圓和外圓兩種。由于SiC價格高，外圓、內圓刀片厚度較大，切割損耗高、生產效率低，加大了襯底的成本。

2023-06-25 標簽：半導體技術 SiC CMP 4325 0

SiC材料及器件介紹

SiC，作為發展最成熟的寬禁帶半導體材料之一，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場高、熱導率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強等特點。

2023-09-28 標簽：晶圓場效應晶體管肖特基二極管 4313 0

什么是外延工藝？什么是單晶與多晶？哪些地方會涉及到外延工藝？

外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。

2023-11-30 標簽：半導體功率器件 SiC 4284 0

什么是半導體材料？半導體材料的發展之路

半導體材料是制作半導體器件和集成電路的電子材料，是半導體工業的基礎。利用半導體材料制作的各種各樣的半導體器件和集成電路，促進了現代信息社會的飛速發展。

2023-08-07 標簽：集成電路半導體材料 SiC 4214 0

功率器件SiC和GaN的電壓變化率與電流變化率

我們都知道功率半導體器件屬于電力電子開關，開關速度非?？欤?秒可以開關上千次(kHz)，高速功率器件可達到幾十kHz，甚至上百kHz。開關速度越快意味著...

2022-04-22 標簽：功率器件 SiC GaN 4212 0

SiC MOS器件柵極氧化物可靠性的挑戰

除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多的話題。我們將堅固性定義為器件承受特定的特殊壓力事件的能力，例如，短路能力或脈沖電流處理能力。

2022-06-30 標簽：SiC Fit SiC功率器件 4209 0

淺談SiC MOSFET芯片的短路能力

SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承諾短路能力，有少數在數據手冊上標明短路能力的幾家，也通常把短路耐受時間（SCWT：shor...

2023-12-13 標簽：芯片 MOSFET IGBT 4169 0

寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）介紹

對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。

2023-06-12 標簽：充電器 SiC 氮化鎵 4124 0

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