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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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低劣品質(zhì)碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機(jī)直接推向“早衰”

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低質(zhì)量碳化硅MOSFET對(duì)SiC碳化硅MOSFET逆變焊機(jī)新興品類的惡劣影響 低質(zhì)量碳化硅MOSFET的濫用,可能將這一本應(yīng)引領(lǐng)焊機(jī)產(chǎn)業(yè)升級(jí)的SiC碳化...

2025-04-14 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 12 0

方正微電子亮相第十三屆儲(chǔ)能國(guó)際峰會(huì)暨展覽會(huì)

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近日,在2025年第十三屆儲(chǔ)能國(guó)際峰會(huì)暨展覽會(huì)上,深圳方正微電子副總裁彭建華發(fā)表了主旨演講,發(fā)布了“750V/650V中壓SiC MOS產(chǎn)品系列 &am...

2025-04-12 標(biāo)簽:MOSSiC儲(chǔ)能 503 0

SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊來(lái)顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè)

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SiC MOSFET模塊(BMF80R12RA3和BMF160R12RA3)能夠替代傳統(tǒng)IGBT模塊并顛覆電鍍電源和高頻電源行業(yè),主要原因在于: SiC...

2025-04-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 116 0

電力電子應(yīng)用全面轉(zhuǎn)向碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的趨勢(shì)加速的原因

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電力電子應(yīng)用全面轉(zhuǎn)向碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的加速趨勢(shì),既源于其顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì),也與全球供應(yīng)鏈重構(gòu)下對(duì)自主可控的迫切需求密切相關(guān)。以下從技術(shù)優(yōu)勢(shì)和供應(yīng)...

2025-04-12 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 72 0

如何用SiC模塊打造最高效率大于98.8%的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS

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如何用SiC模塊打造最高效率及高性價(jià)比的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS) 通過(guò) 半橋兩電平拓?fù)淙嗨木€制+BMF240R12E2G3模塊 為核心,結(jié)合高效散熱...

2025-04-11 標(biāo)簽:模塊SiC儲(chǔ)能變流器 68 0

意法半導(dǎo)體:推進(jìn)8英寸SiC戰(zhàn)略,引領(lǐng)行業(yè)規(guī)模化發(fā)展

???????? ? ??文章來(lái)源:行家說(shuō)三代半 ? ??作者:行家說(shuō)-許若冰 ? ? 回顧2024年,碳化硅和氮化鎵行業(yè)在多個(gè)領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)步,并經(jīng)...

2025-04-10 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體SiC第三代半導(dǎo)體 400 0

國(guó)產(chǎn)SiC模塊破局策略:堅(jiān)持“技術(shù)定力+供應(yīng)鏈韌性+場(chǎng)景深耕”三位一體協(xié)同

以“他強(qiáng)任他強(qiáng),清風(fēng)拂山崗;他橫任他橫,明月照大江”為核心理念,結(jié)合當(dāng)前進(jìn)口IGBT模塊降價(jià)30%的價(jià)格戰(zhàn)背景,國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊行業(yè)的發(fā)展需以內(nèi)在定力...

2025-04-10 標(biāo)簽:IGBTSiC 83 0

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近日,茂睿芯受邀參加充電頭網(wǎng)在前海國(guó)際會(huì)議中心舉辦的2025(春季)亞洲充電展。我司華南區(qū)應(yīng)用經(jīng)理梁潮裕先生參加了同期舉辦的2025亞洲充電大會(huì),并在現(xiàn)...

2025-04-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體控制器SiC 164 0

國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商絕口不提柵氧可靠性的根本原因是什么

部分國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商避談柵氧可靠性以及TDDB(時(shí)間相關(guān)介電擊穿)和HTGB(高溫柵偏)報(bào)告作假的現(xiàn)象,反映了行業(yè)深層次的技術(shù)矛盾、市場(chǎng)...

2025-04-07 標(biāo)簽:MOSFETSiC 114 0

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01AI服務(wù)器電源的核心挑戰(zhàn)與技術(shù)需求超高功率密度:?jiǎn)螜C(jī)架功率已從傳統(tǒng)服務(wù)器的數(shù)千瓦提升至數(shù)十千瓦(如英偉達(dá)DGX-2需10kW,未來(lái)GB300芯片預(yù)計(jì)...

2025-04-03 標(biāo)簽:SiCGaNAI服務(wù)器 169 0

碳化硅(SiC)MOSFET的柵氧可靠性成為電力電子客戶應(yīng)用中的核心關(guān)切點(diǎn)

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為什么現(xiàn)在越來(lái)越多的客戶一看到SiC碳化硅MOSFET功率器件供應(yīng)商聊的第一個(gè)話題就是碳化硅MOSFET的柵氧可靠性,碳化硅(SiC)MOSFET的柵氧...

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SiC MOSFET為什么需要專用的柵極驅(qū)動(dòng)器

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)從特斯拉Model3和比亞迪漢大規(guī)模應(yīng)用SiC開始,不到十年的時(shí)間里,隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)迅速擴(kuò)張,汽車技術(shù)迭代周期正在以史無(wú)...

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東升西降:從Wolfspeed危機(jī)看全球SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)

Wolfspeed作為全球碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的先驅(qū)企業(yè),其股價(jià)暴跌(單日跌幅超50%)、財(cái)務(wù)困境與德國(guó)30億歐元項(xiàng)目擱淺危機(jī),折射出歐美與中...

2025-03-31 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體 234 0

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一、引言 1.1 SiC材料在高壓電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用背景 碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,其物理特性(如3.3 eV的禁帶寬度、3.7...

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質(zhì)量亂象:未通過(guò)可靠性關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)的國(guó)產(chǎn)SiC功率模塊應(yīng)用隱患與后果

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2025-04-02 標(biāo)簽:SiC功率模塊 128 0

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深度分析:從IGBT模塊可靠性問題看國(guó)產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性 某廠商IGBT模塊曾因可靠性問題導(dǎo)致國(guó)內(nèi)光伏逆變器廠商損失數(shù)億元,這一案例凸顯了功...

2025-03-31 標(biāo)簽:IGBTSiC 167 0

從深圳V2G車網(wǎng)互動(dòng)看國(guó)產(chǎn)SiC模塊在雙向充電樁應(yīng)用的市場(chǎng)潛力

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從深圳V2G聯(lián)網(wǎng)試驗(yàn)看國(guó)產(chǎn)SiC模塊在雙向充電樁應(yīng)用的市場(chǎng)潛力 深圳近期開展的全國(guó)最大規(guī)模車網(wǎng)互動(dòng)(V2G)實(shí)測(cè)活動(dòng)(覆蓋760個(gè)充電場(chǎng)站、1.7萬(wàn)車次...

2025-03-31 標(biāo)簽:SiC充電樁V2G 186 0

全球首發(fā)上車!國(guó)產(chǎn)1500V SiC MOSFET!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)比亞迪在最近的超級(jí)e平臺(tái)技術(shù)發(fā)布會(huì)上,推出了一系列的“王炸”技術(shù),包括全域1000V高壓架構(gòu)、10C兆瓦閃充平臺(tái)、3萬(wàn)轉(zhuǎn)5...

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海外儲(chǔ)能PCS市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)趨勢(shì):基于SiC碳化硅功率模塊的高效率高壽命

進(jìn)入2025年,海外儲(chǔ)能市場(chǎng)呈現(xiàn)發(fā)展新的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì): 通過(guò)采用核心功率器件SiC功率模塊的新一代高效率高壽命儲(chǔ)能變流器PCS在海外市場(chǎng)得到廣泛認(rèn)可并得...

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芯朋微電子熱門產(chǎn)品介紹

Chipown引領(lǐng)技術(shù)創(chuàng)新,全新發(fā)布2025《產(chǎn)品選型目錄》!此次目錄匯聚了AC-DC、DC-DC、Driver、Digital PMIC、Power ...

2025-03-27 標(biāo)簽:逆變器DC-DCSiC 341 0

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