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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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易星新材料獲Pre-A輪融資,精進(jìn)SiC研磨減薄技術(shù)
近日,西安易星新材料有限公司(簡(jiǎn)稱“易星新材料”)成功宣布完成數(shù)千萬(wàn)元的Pre-A輪融資。本輪融資由西高投旗下基金獨(dú)家出資,為公司未來(lái)的發(fā)展注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。
逆變焊機(jī)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊的損耗計(jì)算
傾佳電子楊茜以NB500系列輸入功率29KVA的逆變焊機(jī)應(yīng)用為例做國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊BMF80R12RA3和英飛凌高頻IGBT模塊FF150R12KS...
高頻感應(yīng)電源國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對(duì)比
傾佳電子楊茜以50KW高頻感應(yīng)電源應(yīng)用為例,分析BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計(jì)算對(duì)比: 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳...
2025-02-10 標(biāo)簽:SiC感應(yīng)電源碳化硅 51 0
英飛凌再次榮膺2024年全球電子成就獎(jiǎng),CoolSiC? MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目
英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場(chǎng)領(lǐng)先的產(chǎn)品設(shè)計(jì)以及卓越的...
新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離
新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiCMO...
英飛凌科技:看好新能源汽車和AIoT市場(chǎng)增長(zhǎng)潛力,打造創(chuàng)新產(chǎn)品為客戶增加價(jià)值
英飛凌科技表示:“2024 財(cái)年,英飛凌表現(xiàn)良好,業(yè)績(jī)符合預(yù)期。回顧近幾年,電子行業(yè)既承載了低碳化數(shù)字化轉(zhuǎn)型帶來(lái)的機(jī)遇,也面臨著由市場(chǎng)波動(dòng)和不確定性帶來(lái)...
來(lái)源:新華網(wǎng) 我國(guó)在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件 ? 以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料是我國(guó)制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的驅(qū)動(dòng)因素和重要保證。...
AMAZINGIC晶焱科技技術(shù)應(yīng)用:典范轉(zhuǎn)移 EV全生態(tài)系商機(jī) - The CAN SIC Transceiver Is Ready To Go.
AMAZINGIC晶焱科技技術(shù)應(yīng)用:典范轉(zhuǎn)移 EV全生態(tài)系商機(jī) - The CAN SIC Transceiver Is Ready To Go.
中國(guó)電力電子系統(tǒng)制造商的未來(lái)事業(yè)發(fā)展藍(lán)圖
超高壓與高頻化:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率器件供應(yīng)商(比如BASiC基本股份)研發(fā)3300V及以上SiC MOSFET,適配海上風(fēng)電、軌道交通需求;突破MHz...
碳化硅(SiC)MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述
碳化硅(SiC)MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述,傾佳電子楊茜綜合了當(dāng)前研究進(jìn)展與關(guān)鍵技術(shù)方向。
傾佳電子楊茜向您拜年:以SiC革新電力電子 · 2025與您智啟零碳未來(lái)!
新春賀辭 尊敬的電力電子行業(yè)伙伴與客戶朋友們: 祥龍回首辭舊歲,金蛇起舞迎新年!在這萬(wàn)象更新的美好時(shí)刻,我謹(jǐn)代表傾佳電子及團(tuán)隊(duì),向廣大客戶、合作伙伴致以...
2025-01-28 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體 191 0
碳化硅(SiC)MOSFET以低價(jià)策略顛覆市場(chǎng)的核心邏輯
碳化硅(SiC)MOSFET以低價(jià)策略顛覆市場(chǎng)的核心邏輯:低價(jià)SiC器件的“致命性”在于性價(jià)比的絕對(duì)碾壓
為V2H壁掛小直流雙向充電樁提供SiC碳化硅MOSFET全橋功率模塊解決方案
BASiC基本公司為V2H壁掛小直流雙向充電樁提供SiC碳化硅MOSFET全橋功率模塊解決方案 V2H(即車輛到家庭)使用智能電動(dòng)汽車充電和雙向(雙向)...
為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動(dòng)芯片及驅(qū)動(dòng)供電解決方案
BASiC基本公司為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動(dòng)芯片及驅(qū)動(dòng)供電解決方案 BASiC基本公司針對(duì)多種應(yīng)用場(chǎng)景研發(fā)推出門極驅(qū)動(dòng)芯...
為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管
?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復(fù)二極管 在科技政策與法規(guī)的推動(dòng)下,半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)深刻的變革。隨著對(duì)高效能、低...
25個(gè)半導(dǎo)體項(xiàng)目達(dá)成簽約、開(kāi)工、封頂及投產(chǎn)等重要進(jìn)展
? ? 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉:近日,華天盤古半導(dǎo)體先進(jìn)封測(cè)項(xiàng)目、士蘭集宏的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目、百立新半導(dǎo)體6英寸MEMS晶圓制造線項(xiàng)目、...
國(guó)產(chǎn)首款高壓抗輻射SiC功率器件完成空間驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)在軌電源系統(tǒng)應(yīng)用
功率器件是實(shí)現(xiàn)電能變換和控制的核心,被譽(yù)為電力電子系統(tǒng)的心臟,是最為基礎(chǔ)、最為廣泛應(yīng)用的器件之一。隨著硅(Si)基功率器件的性能逼近極限,以碳化硅(Si...
SiC產(chǎn)業(yè)融資熱潮持續(xù),五家企業(yè)近期成功獲資
近期,全球及國(guó)內(nèi)的碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)迎來(lái)了融資加速期,又有五家企業(yè)成功獲得融資,進(jìn)一步推動(dòng)了SiC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 瞻芯電子在1月21日宣布完成...
碳化硅(SiC)功率器件在航空與航天領(lǐng)域的應(yīng)用與技術(shù)前景
隨著飛機(jī)、航天和衛(wèi)星系統(tǒng)對(duì)功率轉(zhuǎn)換需求的快速發(fā)展,技術(shù)趨勢(shì)正朝著更高功率和電壓水平、更小尺寸、更輕重量以及更高效率的轉(zhuǎn)換器方向發(fā)展。寬禁帶(WBG)半導(dǎo)...
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