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標(biāo)簽 > sram
SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。
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FPGA是一種數(shù)字集成電路芯片,名稱為“現(xiàn)場可編程邏輯門陣列”FPGA的一項重要特點是其可編程特性,即用戶可通過程序指定FPGA實現(xiàn)某一特定數(shù)字電路,F(xiàn)...
國產(chǎn)鐵電存儲器PB85RS2MC在可移動數(shù)據(jù)采集器中的應(yīng)用方案
在數(shù)據(jù)采集中,某些變化緩慢的直流信號,需要長時間監(jiān)測記錄信號變化;用性能可靠的移動存儲器接在工作現(xiàn)場進(jìn)行數(shù)據(jù)自動記錄采集,待采集完成后取回并接到計算機(jī)讀...
2023-06-15 標(biāo)簽:存儲器sram數(shù)據(jù)采集 689 0
在高層次上,計算機(jī)體系結(jié)構(gòu)有幾個關(guān)鍵組件:CPU(由計算核心和互連組成)、內(nèi)存(由高速緩存、主內(nèi)存和硬盤驅(qū)動器組成)以及輸入和輸出硬件。雖然架構(gòu)的所有部...
賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元(訪問時間高達(dá)20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲元件相結(jié)合,可提供...
淺談人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)計算的內(nèi)存挑戰(zhàn)
CXL – CXL 提供了大幅擴(kuò)展內(nèi)存容量和提高帶寬的機(jī)會,同時還從處理器中抽象出內(nèi)存類型。通過這種方式,CXL 為整合新的內(nèi)存技術(shù)提供了一個很好的接口...
海速芯TM52F1363單片機(jī)在智能電熱杯中的應(yīng)用
電熱杯加熱水主要是通過底部的發(fā)熱管起作用的,電熱杯底部發(fā)熱管通電后,內(nèi)部的電阻絲會產(chǎn)生熱量,并將熱量傳遞到杯身,從而對杯內(nèi)的水進(jìn)行加熱,當(dāng)水加熱沸騰時,...
這要求在更接近數(shù)據(jù)源的地方大幅提高性能,但仍然只能使用非常少的功耗,并且價格便宜。雖然訓(xùn)練將繼續(xù)在云中進(jìn)行,但長距離移動大量數(shù)據(jù)的成本很高,所以邊緣AI...
應(yīng)該有可以回答的上來的,但是大部分應(yīng)該是回答不上來。標(biāo)題的回答也不對。 計算機(jī)內(nèi)存里面分這么幾種數(shù)據(jù) 存在SRAM里面,嗯?內(nèi)存?對也不對,大家覺得內(nèi)存...
英特爾Clearwater Forest系列突破高核心數(shù)服務(wù)器CPU
在封裝方面,英特爾表示,對于Clearwater Forest,將使用其他工藝節(jié)點來實現(xiàn)SRAM和I/O,因為這些節(jié)點在較新的工藝上無法很好地擴(kuò)展。
基于32位RISC-V CPU架構(gòu)的Trikarenos微控制器
研究人員解釋說,針對太空條件的常見對策通常依賴于專有的抗輻射技術(shù)、低密度制造節(jié)點和廣泛的復(fù)制。這些因素導(dǎo)致成本高、性能和效率低。Trikarenos 旨...
“憑借先進(jìn)的封裝技術(shù),一些公司已經(jīng)在 CPU 上堆疊 SRAM,”Lee 說。“但是在 3 級之后,我們可以有 4 級,一個額外的緩存層嗎?根據(jù)工作負(fù)載...
如何打通機(jī)器學(xué)習(xí)的三大玄關(guān)
隨著時下智能時代的發(fā)展,機(jī)器學(xué)習(xí)已成為不少專業(yè)人士的“必備技能”。盡管如此,可它在實用性上仍然存在一些問題。因而設(shè)計師們采取了架構(gòu)精簡、壓縮、以及硬件加...
2023-08-03 標(biāo)簽:cpu神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)sram 477 0
深入解析Cache在AI處理器設(shè)計中的作用機(jī)制
最快的存儲器類型是SRAM,但每個SRAM單元需要六個晶體管,因此SRAM在SoC內(nèi)部很少使用,因為它會消耗大量的空間和功率。
人工智能與機(jī)器學(xué)習(xí)計算中的內(nèi)存挑戰(zhàn)
更多帶寬 – 隨著需要移動大量數(shù)據(jù),我們目睹了所有 DRAM 類型繼續(xù)競相提高數(shù)據(jù)速率以提供更多內(nèi)存帶寬。
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